T-CPIA 0061-2024 T-CSTE 0535-2024 質(zhì)量分級及“領(lǐng)跑者”評價(jià)要求光伏硅片

CCSH82T/CPIA0061—2024T/CAssessmentrequiremenforerunner—Photovoltaics中國光伏行業(yè)協(xié)會中國技術(shù)經(jīng)濟(jì)學(xué)會IT/CPIA0061—2024T/CSTE0535—2024本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》和T/CAQP015—2023、T/ESF0001—2023《質(zhì)量分級“領(lǐng)跑者”評價(jià)標(biāo)準(zhǔn)編制通則》的規(guī)定起草。請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利，本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任。本文件由中國光伏行業(yè)協(xié)會標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會和企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)“領(lǐng)跑者”工作委員會提出。本文件由中國光伏行業(yè)協(xié)會標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會、中國技術(shù)經(jīng)濟(jì)學(xué)會歸口。本文件起草單位：中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院、高景太陽能股份有限公司、TCL中環(huán)新能源科技股份有限公司、內(nèi)蒙古中環(huán)晶體材料有限公司、青海高景太陽能科技有限公司、隆基綠能科技股份有限公司。本文件主要起草人：陳曉達(dá)、孫彬、郭志榮、張石晶、汪奇、付楠楠。1T/CPIA0061—2024T/CSTE0535—2024質(zhì)量分級及“領(lǐng)跑者”評價(jià)要求光伏硅片本文件規(guī)定了光伏硅片產(chǎn)品質(zhì)量及企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)水平評價(jià)的基本要求、評價(jià)指標(biāo)及要求、評價(jià)方法及等級劃分。本文件適用于單晶硅光伏硅片，多晶硅光伏硅片可參考使用。本文件用于光伏硅片產(chǎn)品質(zhì)量和企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)水平評價(jià)，相關(guān)機(jī)構(gòu)開展質(zhì)量分級和企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)水平評估、“領(lǐng)跑者”產(chǎn)品評價(jià)以及相關(guān)認(rèn)證或評價(jià)時(shí)可參照使用，相關(guān)企業(yè)在制定企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)時(shí)也可參照使用。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T1551—2021硅單晶電阻率的測定直排四探針法和直流兩探針法GB/T6619—2009硅片彎曲度測試方法GB/T6620—2009硅片翹曲度非接觸式測試方法GB/T11073—2007硅片徑向電阻率變化的測量方法GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語GB/T19001質(zhì)量管理體系要求GB/T23331能源管理體系要求及使用指南GB/T24001環(huán)境管理體系要求及使用指南GB/T26071—2018太陽能電池用硅單晶片GB/T30869—2014太陽能電池用硅片厚度和總厚度變化測試方法GB/T45001職業(yè)健康安全管理體系要求及使用指南SJ/T11630—2016太陽能電池用硅片幾何尺寸測試方法T/CSTE0421—2023/T/CAS703—2023質(zhì)量分級及“領(lǐng)跑者”標(biāo)識3術(shù)語與定義GB/T14264界定的術(shù)語和定義適用于本文件。4基本要求4.1近三年，生產(chǎn)企業(yè)無較大及以上環(huán)境、安全、質(zhì)量事故。4.2企業(yè)應(yīng)未列入國家信用信息嚴(yán)重失信主體相關(guān)名錄。2T/CPIA0061—2024T/CSTE0535—20244.3企業(yè)可根據(jù)GB/T19001、GB/T23331、GB/T24001、GB/T45001建立并運(yùn)行相應(yīng)質(zhì)量、能源、環(huán)境和職業(yè)健康安全管理體系，鼓勵企業(yè)根據(jù)自身運(yùn)營情況建立更高水平的相關(guān)管理體系。4.4產(chǎn)品應(yīng)為量產(chǎn)產(chǎn)品，應(yīng)滿足國家強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)及GB/T26071—2018標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的要求。5評價(jià)指標(biāo)體系5.1評價(jià)指標(biāo)分類5.1.1光伏硅片質(zhì)量分級及“領(lǐng)跑者”評價(jià)指標(biāo)體系包括基礎(chǔ)指標(biāo)、核心指標(biāo)和創(chuàng)新指標(biāo)。5.1.2基礎(chǔ)指標(biāo)不設(shè)置具體指標(biāo)，其厚度及允許偏差、總厚度變化（TTV）、彎曲度、翹曲度、垂直度、電阻率、徑向電阻率變化、表面質(zhì)量應(yīng)滿足GB/T26071—2018標(biāo)準(zhǔn)的相應(yīng)要求。5.1.3核心指標(biāo)包括邊長尺寸偏差、總厚度變化（TTV）、翹曲度、彎曲度、表面質(zhì)量、電阻率、徑向電阻率變化；核心指標(biāo)分為三個等級，包括領(lǐng)跑者水平，相當(dāng)于企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)排行榜中5星級水平；優(yōu)質(zhì)水平，相當(dāng)于企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)排行榜中4星級水平；達(dá)標(biāo)水平，相當(dāng)于企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)排行榜中3星級水平。5.1.4創(chuàng)新指標(biāo)包括表面質(zhì)量、電阻率上下限差值、光致發(fā)光（PL）?？蓜澐殖深I(lǐng)跑者水平和優(yōu)質(zhì)水平兩個等級，其中領(lǐng)跑者水平相當(dāng)于企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)排行榜中的5星級水平，優(yōu)質(zhì)水平相當(dāng)于企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)排行榜中4星級水平。5.2評價(jià)指標(biāo)體系框架光伏硅片“領(lǐng)跑者”標(biāo)準(zhǔn)評價(jià)指標(biāo)體系框架見表1。表1光伏硅片評價(jià)指標(biāo)體系框架平1234567893T/CPIA0061—2024T/CSTE0535—2024表1光伏硅片評價(jià)指標(biāo)體系框架（續(xù)）厚度<厚度<厚度<求GB/T26071度——— 容4T/CPIA0061—2024T/CSTE0535—20246評價(jià)方法及等級劃分6.1對具體產(chǎn)品企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的全部指標(biāo)進(jìn)行綜合評價(jià)，評價(jià)結(jié)果劃分為領(lǐng)跑者水平、優(yōu)質(zhì)水平、達(dá)標(biāo)水平，劃分依據(jù)見表2。6.2綜合評價(jià)滿足表2中領(lǐng)跑者水平的企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)為“領(lǐng)跑者”標(biāo)準(zhǔn)，符合表2中領(lǐng)跑者水平的產(chǎn)品為“領(lǐng)跑者”產(chǎn)品，自我聲明標(biāo)識可使用T/CSTE0421—2023/T/CAS703—2023中4.4圖4-1自我聲明“領(lǐng)跑者”標(biāo)識，認(rèn)證標(biāo)識可使用T/CSTE0421—2023/T/CAS703—2023中4.5圖5-1“領(lǐng)跑者”認(rèn)證標(biāo)識。6.3綜合評價(jià)滿足表2中優(yōu)質(zhì)水平的企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)為“優(yōu)質(zhì)”標(biāo)準(zhǔn)，符合表2中優(yōu)質(zhì)水平的產(chǎn)品為“優(yōu)質(zhì)”產(chǎn)品，自我聲明標(biāo)識可使用T/CSTE0421—2023/T/CAS703—2023中4.4圖4-2自我聲明“優(yōu)質(zhì)”標(biāo)識，認(rèn)證標(biāo)識可使用T/CSTE0421—2023/T/CAS703—2023中4.5圖5-2“優(yōu)質(zhì)”認(rèn)證標(biāo)識。6.4綜合評價(jià)滿足表2中達(dá)標(biāo)水平的企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)為“達(dá)標(biāo)”標(biāo)準(zhǔn)，符合表2中達(dá)標(biāo)水平的產(chǎn)品為“達(dá)標(biāo)