半導(dǎo)體器件 第16-1部分 微波集成電路 放大器 編制說(shuō)明

1《半導(dǎo)體器件第16-1部分：微波集成電路放大器》（征求意見(jiàn)稿）編制說(shuō)明(TC599)歸口。主要起草單位為中國(guó)電子科技集團(tuán)公司稱“中國(guó)電科55所”）、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)接軌，適應(yīng)新的要求，對(duì)原標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)對(duì)參編單位進(jìn)行意見(jiàn)征集，形成《半導(dǎo)體器件第16-1部分：微波集成電路放2024年5月，編制組參加了征求意見(jiàn)稿討論會(huì)，參會(huì)單位有電子五所、中2其中主編單位為中國(guó)電科55所，主要負(fù)責(zé)本標(biāo)準(zhǔn)的翻譯、修訂、試驗(yàn)及驗(yàn)在調(diào)研國(guó)內(nèi)放大器技術(shù)發(fā)展的前提下，為了保證放大器測(cè)試參數(shù)、測(cè)試方法和測(cè)試程序與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)接軌，本標(biāo)準(zhǔn)等同采用IEC60747-16-1edition1.2：除去對(duì)原文的部分編輯性修改外，本標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)與內(nèi)容與IEC60747-16-1以ISO/IEC標(biāo)準(zhǔn)化文件為基礎(chǔ)的標(biāo)可靠性起著重要作用。本標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)IEC60747產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)一致，實(shí)現(xiàn)微波集成電我國(guó)現(xiàn)行的微波集成電路放大器相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)主要有：GJB3表1本標(biāo)準(zhǔn)與相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)比情況制的轉(zhuǎn)換系數(shù)、群延遲時(shí)間、n階諧波失真比、輸率、限幅輸出功率平坦度、1分貝增益壓縮輸出額定值和特性制的轉(zhuǎn)換系數(shù)、群延遲時(shí)間、功率附加效率、率和限幅輸出功率平坦度、1分貝增益壓縮輸出 度、線性功率增益、線性功率增益平坦度、增益控制范圍、限幅輸出功率、限幅輸出功率平坦度、1分貝增益壓縮輸出功率、互調(diào)失真、截距點(diǎn)功率、幅度調(diào)制對(duì)相應(yīng)調(diào)制的轉(zhuǎn)換系數(shù)、群延遲時(shí)間、功率附加效率、噪聲系數(shù)的術(shù)語(yǔ)和定義；本標(biāo)準(zhǔn)中另包含n階諧波失真比、輸出噪聲功率、輸出功率、GJB8125-2013中另包含脈沖響應(yīng)時(shí)間、抗燒毀功率的的術(shù)語(yǔ)和定義。從適4用性上，n階諧波失真比可以衡量器件輸出端第n階諧波分量功率與基頻功率之比；鄰信道功率比可以衡量信號(hào)帶外頻譜失真特性，即主功率泄露到鄰頻信道的程度；負(fù)載失配允差、源失配允差、負(fù)載失配穩(wěn)定性可驗(yàn)證產(chǎn)品在規(guī)定條件下的抗失配能力。均宜納入微波集成性、機(jī)械與環(huán)境額定值特性和數(shù)據(jù)、附加資料；GJB8125-2013偏向于測(cè)試的電特性指標(biāo)的測(cè)試方法，其中GJB8125-2013還增加了一類使分析儀進(jìn)行電特性測(cè)試的測(cè)試方法；兩類標(biāo)4）驗(yàn)證方法：本標(biāo)準(zhǔn)與GJB8125-20135表2修訂前后版本變化對(duì)比…………5.14輸出反射系數(shù)的模（輸出回波損耗|s22|）5.15反向傳輸系數(shù)的模（隔離度|s12|）………………5.13輸入反射系數(shù)的模（輸入回波損5.14輸出反射系數(shù)的模（輸出回波損耗|S225.15反向傳輸系數(shù)的模（隔離度|S12……5.22鄰信道功率比(Padj/Po(mod))……6表2（續(xù)）GB/T4728.13—1996電氣簡(jiǎn)圖用圖形件和集成電路第1部分：總則(idtIECIEC60748-2：1997半導(dǎo)體器件IEC60748-4：1997半導(dǎo)體器件ElectrotechnicalVocabulary(IEV注：GB/T14733.7-2008電信術(shù)語(yǔ)注：GB/T4728（所有部分）電氣簡(jiǎn)圖用圖形符號(hào)（IEC6061IEC60747-1:2006半導(dǎo)體器件第1部分：（Semiconductordevices-Discretedevices注：GB/T20516-XXXX半導(dǎo)體devices—Integratedcircuits—Part2：Digitalintegratedevices—Integratedcircuits—Part3：AnalogIEC60748-4:1997半導(dǎo)體器件集成電路第4部分：接口集成電路（Semiconductordevices—Integratedcircuits—Part4：InterfaceintegratedIEC/TS61340-5-1靜電-第5-1節(jié)：保護(hù)電子設(shè)備不受靜電現(xiàn)象干擾-通用要求electrostaticphenomena-Generalr注：GB/T37977.51-2019靜電學(xué)第5-1部分：電子器件的靜電防護(hù)通用要求(IECIEC/TS61340-5-2靜電-第5-2節(jié)：保護(hù)電子設(shè)備不受靜電現(xiàn)象干擾-用戶指南electrostaticphenomena7表2（續(xù)）……11|…………注：縮寫(xiě)“IMDn”通常用于n階交調(diào)失真?！?jiàn)：IEC60747-4:2007/7…………見(jiàn)：IEC60747-4:2007/7……8表2（續(xù)）……作為附加資料，可以給出完整的電路圖，但不必標(biāo)明電路元器件值。必須給出功能圖形符號(hào)。這些可以從圖形符號(hào)標(biāo)準(zhǔn)……性-……4.6.2.23鄰信道功率比（4.6.2.24負(fù)載失配允差（4.6.2.26負(fù)載失配穩(wěn)定性（增加“鄰信道功率比、負(fù)載失配允差、源失配允差、負(fù)載失配穩(wěn)定性”P(pán)O和Pn——分別為基頻信號(hào)和交調(diào)失真的輸出功率P1和Pn——分別為基頻信號(hào)和交調(diào)失真的功率輸出功率“PO”符號(hào)修改為“P1”在圖9所示電路圖中階諧波失真比Pnth/P1(單位為dBc)由下式刪除“(單位為dBc)”(Padj/Po(mod))-5.22鄰信道功率比(Padj/Po(mod))增加5.22鄰信道功率比(Padj/Po(mod))-9三、試驗(yàn)驗(yàn)證的分析、綜述報(bào)告，技術(shù)經(jīng)濟(jì)論證，預(yù)期的經(jīng)濟(jì)效益、社會(huì)放大器的生產(chǎn)符合國(guó)家相關(guān)環(huán)境法律法規(guī)要以GaN類功率放大器為例，依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的測(cè)試方法，對(duì)相關(guān)參數(shù)進(jìn)行表3WFDN240280-P40型GaN功率放大器芯片測(cè)試項(xiàng)目及測(cè)試條件1ACPR圖1WFDN240280-P40型GaN功率放大器芯片鄰信道功率比測(cè)試數(shù)據(jù)表4WFDN015016-P37型GaN功率放大器芯片測(cè)試項(xiàng)目及測(cè)試條件1ψ-2ψ-3ψ-圖2低溫抗失配試驗(yàn)系統(tǒng)及頻譜雜散測(cè)試表5WFDN015016-P37型GaN功率放大器芯片負(fù)載失配允差測(cè)試數(shù)據(jù)無(wú)2：1無(wú)3：1無(wú)5：1無(wú)7：1無(wú)10：1有表6WFDN015016-P37型GaN功率放大器芯片源失配允差測(cè)試數(shù)據(jù)無(wú)2：1無(wú)3：1無(wú)5：1無(wú)7：1無(wú)10：1無(wú)表7WFDN015016-P37型GaN功率放大器芯片負(fù)載失配穩(wěn)定性測(cè)試數(shù)據(jù)2：13：15：17：110：1來(lái)幾年內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)進(jìn)一步擴(kuò)大，預(yù)計(jì)在2030年全球放大器市場(chǎng)將超過(guò)3016-1：Microwaveintegratedcircuits-Amplifiers》。本標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)和內(nèi)容與IEC——第6部分：微波集成電路倍頻器。五、以國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)為基礎(chǔ)的起草情況，以及是否合規(guī)引用或者采用國(guó)際國(guó)外16-1：Microwaveintegratedcircuits-Ampl