海思芯片TC-測(cè)試技術(shù)規(guī)范

Copyright@克魯魯爾，侵權(quán)必究。更多專業(yè)文檔請(qǐng)關(guān)注：百度文庫(kù)-克魯魯爾海思TC(TemperatureCycling)測(cè)試技術(shù)規(guī)范擬制：克魯魯爾審核：批準(zhǔn)：日期：2019-11-11

歷史版本記錄版本時(shí)間起草/修改人內(nèi)容描述審核人批準(zhǔn)人V1.02019-11-11克魯魯爾首次發(fā)布適用范圍:該測(cè)試用來(lái)檢查芯片是否會(huì)因?yàn)闊崞谑?。本?guī)范適用于量產(chǎn)芯片驗(yàn)證測(cè)試階段的TC(TemperatureCycling)測(cè)試需求。簡(jiǎn)介：該測(cè)試是為了確定芯片在高低溫交替變化下的機(jī)械應(yīng)力承受能力。這些機(jī)械應(yīng)力可能導(dǎo)致芯片出現(xiàn)永久的電氣或物理特性變化。引用文件：下列文件中的條款通過(guò)本規(guī)范的引用而成為本規(guī)范的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本規(guī)范，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本規(guī)范達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本規(guī)范。序號(hào)參考標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明1JESD22-A104ETemperatureCycling測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)2JESD47I可靠性總體標(biāo)準(zhǔn)3

TC測(cè)試流程注意：做TC測(cè)試的芯片需經(jīng)過(guò)PC(Preconditioning)預(yù)處理。TC測(cè)試條件2.1溫度溫循的高低溫條件如下表：實(shí)際的高低溫須參照Datasheet說(shuō)明，一般在“建議運(yùn)行條件(RecommendedOperatingConditions)”會(huì)給出建議運(yùn)行的環(huán)境溫度范圍。例如進(jìn)芯的ADP16F0X：溫循溫度示意圖：說(shuō)明：Ts(min)為溫循最低溫度Ts(max)為溫循最高溫度cycletime為溫循周期Ramprate為溫升率建議Cycle周期0.5h，即2cycles/hour。建議溫升率(Ramprate)不超過(guò)15℃/min。Ts(min)和Ts(max)的持續(xù)時(shí)間不低于1min。2.2循環(huán)次數(shù)參考JESD47標(biāo)準(zhǔn)：推薦循環(huán)總次數(shù)為1000次，并且在200、500、700、1000次時(shí)復(fù)測(cè)。TC測(cè)試裝置高低溫箱——溫度范圍、測(cè)試時(shí)間可控