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文檔簡介

第二次試驗存儲器試驗計算機科學與技術(shù)教研室一、試驗目的掌握靜態(tài)隨機存取存儲器RAM工作特性及數(shù)據(jù)的讀寫方法二、試驗內(nèi)容1、試驗原理2、試驗接線3、試驗步驟二、試驗內(nèi)容1、試驗原理連線圖見試驗手冊圖3-5幾個重要的控制信號SWB——控制三態(tài)門（u51，74LS245）的導通CE——片選信號WE——寫有效信號T3——手動脈沖二、試驗內(nèi)容2、試驗接線1）MBUS連BUS22）EXJ1連BUS33）跳線器J22的T3連TS34）跳線器J16的SP連H235）跳線器SWB、CE、WE、LDAR撥在左邊6）總清開關(guān)置“1”二、試驗內(nèi)容3、試驗步驟1）連接試驗線路，仔細查線無誤后接通電源2）給存儲器的01地址單元寫入數(shù)據(jù)11，具體步驟如下：輸入數(shù)據(jù)改為00000001，便于后邊的地址驗證二、試驗內(nèi)容3、試驗步驟3）讀出剛寫入的01地址單元的內(nèi)容，觀察內(nèi)容是否與寫入的一致，具體步驟如下：三態(tài)門74LS245地址寄存器74LS273存儲器器6264地址或數(shù)據(jù)的輸入開關(guān)地址信息LED顯示燈控制三態(tài)門的導通T3:手動脈沖WE：寫信號，高有效CE：片選，低有效LDAR：與T3配合把數(shù)據(jù)寫入地址

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