電子工作室開(kāi)發(fā)板7芯片手冊(cè)ds1302中文

星期、年的計(jì)數(shù)。年計(jì)數(shù)可達(dá)到2100年。最少I/O讀寫時(shí)鐘寄存器或內(nèi)部RAM（31*8位的額外兼容TTL可選的工業(yè)級(jí)別，工作溫度-4085兼容DS1202較DS1202可通過(guò)Vcc1備用電源可采用電池或者超級(jí)電容(0.1F以上)，可以用老式電腦主板上的3.6V充電電池。較小的普通電解電容器代替。100μF1時(shí)時(shí)鐘/1224小時(shí)制，可以設(shè)置AM、PM。只通過(guò)三根線進(jìn)行數(shù)據(jù)的控制和傳遞：、 電源可以讓芯片在小于1MW的功率下運(yùn)作。Figure1RAM每個(gè)SCLK上升沿時(shí)8個(gè)脈沖便可讀取一個(gè)字節(jié)從而實(shí)現(xiàn)串行輸入與輸出。最初8個(gè)時(shí)鐘周期載入控制字節(jié)到移位寄存器。如果控制指令選擇的是單字節(jié)模888位數(shù)據(jù)的讀操作，SCLK時(shí)鐘的上升沿時(shí)，數(shù)據(jù)被寫入DS1302，SCLK脈沖的下降沿讀出DS1302的數(shù)據(jù)。8個(gè)脈沖便可讀寫一個(gè)字節(jié)。在突發(fā)模式，通過(guò)連續(xù)的脈沖一次性讀寫完7個(gè)字節(jié)的時(shí)鐘/日歷寄存器（注意時(shí)鐘/者的區(qū)別。我們?nèi)绻麑⑦@位置一，可以禁止寫入。bit6為‘0’則指定對(duì)時(shí)鐘/日歷寄存器控制讀寫操作，為‘1’則為RAM區(qū)數(shù)據(jù)的控制讀寫操作，bir1~bit5bit0指定是輸入還是輸出，為‘0’ 地址/命令序列送入移位寄存器；其次，RST提供終止單字節(jié)或多字節(jié)數(shù)據(jù)的傳送手段。當(dāng)RST為高電平時(shí)，所有的數(shù)據(jù)傳送被初始化，允許對(duì)DS1302進(jìn)行操作。如果在傳送過(guò)程中RST置為低電平，則會(huì)終止此次數(shù)據(jù)傳送，I/O引腳變?yōu)楦咦钁B(tài)。上電運(yùn)行時(shí)，在Vcc≥2.5V之前，RST必須保持低電平。只有在SCLK為低電平時(shí)，才能將RST置為高電平。I/O為串行數(shù)據(jù)輸入輸出端(雙向)，后面有詳細(xì)說(shuō)明。SCLK始終是輸入端。沿被輸出，注意第一位輸出是在最后一位控制指令所在脈沖的下降沿被輸出，要求RST保持位高電平。0指定讀或?qū)?。讀取或?qū)懭氲耐话l(fā)模式開(kāi)始在位00。對(duì)于DS12028個(gè)寄存器用來(lái)寫入相關(guān)數(shù)據(jù)，必須寫完。然而，在突發(fā)模式下寫RAM數(shù)據(jù)時(shí)，沒(méi)有必要全部寫完。每個(gè)字節(jié)都將被寫入而不論31字節(jié)是否寫完。碼秒寄存器的bit7是時(shí)鐘停止標(biāo)志位，如果這位是‘1’，時(shí)鐘晶振停止起振，DS1302進(jìn)入低功耗待命模式，耗用電流小于100nanoamps，如果這位是‘0’，晶振開(kāi)始起振。24小時(shí)制，在12小時(shí)制下，bit為‘1’選擇了PM24小時(shí)制下，bit520~23小時(shí)段。12diode，如果DS01，只有一個(gè)二極管被選擇，如果DS10diode，具體電路如0011，無(wú)涓流充電能力。還有電阻選擇位RS(bit0~1)將會(huì)選擇Vcc1Vcc2之間的電阻，具體RS和DS是有外部Vcc1Vcc2（如超級(jí)電容，第一頁(yè)已經(jīng)提到）最大充電電流來(lái)決定的，其最大充電電流由一Vcc25V，Vcc1VCC1、VCC2之間只有一個(gè)二由時(shí)鐘/8個(gè)時(shí)鐘/日歷寄存器將被連續(xù)的讀和寫，詳細(xì)見(jiàn)前面表格（“時(shí)鐘/日歷”處）00。ThestaticRAMis31x8bytesaddressedconsecutivelyintheRAMaddress由RAM控制指令字節(jié)來(lái)指定其突發(fā)模式操作。在該模式下，31RAM靜態(tài)寄存器將可以被連續(xù)的讀或?qū)?，起始與地址0和位0.VCC1可提供單電源控制也可以用來(lái)作為備用電源，VCC2為主電源。在主電源關(guān)閉的情況下，也能保持時(shí)鐘的小于Vcc1