光刻工復(fù)習(xí)題

理論局部填空題1正光刻膠和負(fù)光刻膠涂膠。有四個(gè)步驟：分滴，旋轉(zhuǎn)分開，旋轉(zhuǎn)甩掉，溶劑揮發(fā)。3曝光的方式有接觸式、接近式曝光和投影式曝光。436157納米之間的每種波長(zhǎng)436nmg光線405nm的波h365nmi光線，波長(zhǎng)為248nm的波名稱是深紫外(DUV)157nm的波名稱是真空紫外(VUV)1接近式曝光和投影式曝光光刻工藝一般都要經(jīng)過涂膠，前烘、曝光、顯影，堅(jiān)膜、腐蝕、去膠等步驟。正性光刻膠和負(fù)性光刻膠是兩種主要的光刻膠。對(duì)于負(fù)性光刻膠，曝光局部不會(huì)溶解，在光刻膠中形成的圖形與掩膜板的圖形相反對(duì)于正性光刻膠，曝光局部簡(jiǎn)潔溶解一樣?？涛g的方法主要有濕法刻蝕、干法刻蝕和和等離子體。前烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜、腐蝕、去膠等步驟。一、推斷題最早應(yīng)用在半導(dǎo)體光刻工藝中的光刻膠是正性光刻膠〔F 〕步進(jìn)光刻機(jī)的三個(gè)根本目標(biāo)是對(duì)準(zhǔn)聚焦、曝光和合格產(chǎn)量〔F 〕黃色熒光燈照明的緣由是，光刻膠只對(duì)特定波長(zhǎng)的光線敏感，例如深紫外線和白光，而對(duì)黃光不敏感〔T 〕曝光后烘焙，簡(jiǎn)稱后烘，其對(duì)傳統(tǒng)I線光刻膠是必需的〔T 〕對(duì)正性光刻來說，剩余不行溶解的光刻膠是掩膜幅員案的準(zhǔn)確復(fù)制〔T 〕芯片上的物理尺寸特征被稱為關(guān)鍵尺寸，即CD〔T 〕光刻的本質(zhì)是把電路構(gòu)造復(fù)制到以后要進(jìn)展刻蝕和離子注入的硅片上?！睺 〕有光刻膠掩蓋硅片的三個(gè)生產(chǎn)區(qū)域分別為光刻區(qū)、刻蝕區(qū)和集中區(qū)〔T 〕最早應(yīng)用在半導(dǎo)體光刻工藝中的光刻膠是正性光刻膠〔F 〕步進(jìn)光刻機(jī)的三個(gè)根本目標(biāo)是對(duì)準(zhǔn)聚焦、曝光和合格產(chǎn)量〔F 〕黃色熒光燈照明的緣由是，光刻膠只對(duì)特定波長(zhǎng)的光線敏感，例如深紫外線和白光，而對(duì)黃光不敏感〔T 〕曝光后烘焙，簡(jiǎn)稱后烘，其對(duì)傳統(tǒng)I線光刻膠是必需的〔T 〕對(duì)正性光刻來說，剩余不行溶解的光刻膠是掩膜幅員案的準(zhǔn)確復(fù)制〔T 〕芯片上的物理尺寸特征被稱為關(guān)鍵尺寸，即CD〔T 〕光刻的本質(zhì)是把電路構(gòu)造復(fù)制到以后要進(jìn)展刻蝕和離子注入的硅片上。〔T 〕〔T〕簡(jiǎn)答題1答：(1)將掩模板圖案轉(zhuǎn)移到晶圓外表頂層的光刻膠中。(2)在后續(xù)工藝中，保護(hù)下面的材料〔例如刻蝕或離子注入阻擋層。2分類的?；パa(bǔ)的掩模圖形。而對(duì)于正性光刻膠來說，受紫外線照耀的區(qū)域的光刻膠會(huì)變得更易被溶解，并且形成別洗去。3、什么叫光刻？光刻工藝質(zhì)量的根本要求是什么？答：光刻是一種圖形復(fù)印和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的周密外表加工技術(shù)。對(duì)光刻工藝質(zhì)量的根本要求是：刻蝕的圖形完整、尺寸準(zhǔn)確、邊緣整齊、線條陡直；圖片內(nèi)無小島、不染色、腐蝕干凈；圖形套合格外準(zhǔn)確；介質(zhì)膜或金屬膜上無針孔；硅片外表清潔、不發(fā)花、無殘留的被腐蝕物質(zhì)。1面。這種特性就被稱為抗腐蝕性。有的干法刻蝕過程在較高的溫度〔例如1500C〕下進(jìn)展，這就需要光刻膠具有能夠保持其外形的熱穩(wěn)定性。2四個(gè)步驟：分滴，旋轉(zhuǎn)分開，旋轉(zhuǎn)甩掉，溶劑揮發(fā)。31〕(EUV0.1μm的細(xì)線條。但難以找到適宜的掩模板材料和光學(xué)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)?！?〕電子束光刻，由于電子束的直徑很小，所以光刻區(qū)分率很高。承受電子束直寫方式，效率低，不適于大規(guī)模生產(chǎn)，目前僅限于制備光刻掩模板?！?〕X射線，承受波長(zhǎng)更短X70nm的線條。但作為X射線源的同步輻射裝置格外浩大且價(jià)格昂貴?！?〕離子束光刻，與電子束光刻的機(jī)理相像，承受掩膜或直寫方式。離子轟擊光刻膠時(shí)沒有散射作用，曝光視場(chǎng)較大，有利于大規(guī)模生產(chǎn)。論述題法刻蝕工作原理、應(yīng)用范圍和優(yōu)缺點(diǎn)〕濕法腐蝕利用液態(tài)化學(xué)試劑或溶液通過化學(xué)反響進(jìn)展刻蝕的方法。優(yōu)點(diǎn)：選擇性好、重復(fù)性好、生產(chǎn)效率高、設(shè)備簡(jiǎn)潔、本錢低缺點(diǎn)：鉆蝕嚴(yán)峻、對(duì)圖形的掌握性較差應(yīng)用：在半導(dǎo)體工藝中有著廣泛應(yīng)用，如磨片、拋光、清洗、圖形或窗口的形成等。物理干法刻蝕，通過高能惰性氣體離子的物理轟擊作用進(jìn)展刻蝕的，如濺射與離子束銑蝕。特點(diǎn)：各向異性性好，但選擇性較差。化學(xué)干法刻蝕特點(diǎn)：選擇性好、對(duì)襯底損傷較小，但各向異性較差。物理和化學(xué)方法相結(jié)合的干法刻蝕通過活性離子對(duì)襯底的物理轟擊和化學(xué)反響雙重作用進(jìn)展刻蝕的，如反響離子刻蝕RI。RIE已成為VLSI工藝中應(yīng)用最廣泛的主流刻蝕技術(shù)。論述接觸式曝光、接近式曝光和投影式曝光的工作原理、應(yīng)用范圍和優(yōu)缺點(diǎn)答：①接觸式曝光光刻膠膜與掩模板直接接觸，中間沒有間隙，光線不會(huì)發(fā)生衍射。生損傷，影響光刻膠圖形的完整性。一般只適用于中小規(guī)模集成電路。②接近式曝光光刻膠膜與掩模板不直接接觸片或掩模板上的微粒等對(duì)掩模板和光刻膠膜的損傷，提高芯片的成品率。適用于特征尺寸較大的集成電路生產(chǎn)工藝。③投影式曝光利用特地的光學(xué)系統(tǒng)將掩模板上的圖形投射到硅片上。片的一小局部進(jìn)展曝光，且掩模板圖形大于實(shí)際成像圖形，光刻區(qū)分率高。是超大規(guī)模集成電路的主流技術(shù)。列出光刻的八個(gè)步驟，并對(duì)每個(gè)步驟作簡(jiǎn)短的說明。步驟一：打底膜硅片外表的粘結(jié)。步驟二：旋涂光刻膠準(zhǔn)確數(shù)量的液態(tài)光刻膠被滴在晶圓上然后讓晶圓高速旋轉(zhuǎn)使其外表涂有均勻的光刻膠。步驟三：軟烘溶劑。步驟四：對(duì)準(zhǔn)和暴光外光從而將掩膜板上的圖形轉(zhuǎn)移到涂過膠的晶圓上。步驟五：暴光后烘烤對(duì)于深紫外光刻暴光后在一個(gè)有100110緊跟著光刻膠暴光后進(jìn)展的。步驟六：顯影顯影對(duì)于在晶圓外表上的光刻膠上形成圖形是至關(guān)重要的一步被顯影液溶解，在晶圓外表留下可見的圖案。步驟七：硬烘顯影后的熱烘也被稱作硬烘目的是蒸發(fā)掉多余的光刻膠溶劑和提高光刻膠與晶圓外表的粘結(jié)。步驟八：檢測(cè)一旦光刻膠在晶圓上形成圖形，要進(jìn)展一個(gè)檢測(cè)來檢驗(yàn)光刻圖案的質(zhì)量。這是光刻工的復(fù)習(xí)題，這里是兩份理論卷子的，會(huì)考任意一份，大家把它都背上〔51042題，大家把LED教師講的看看把這些題背上〕實(shí)踐題1濕法清洗和干法清洗1、在硅片外表上涂上液體光刻膠最常用的方法是旋轉(zhuǎn)涂膠2、光刻區(qū)使用黃色熒光燈照明的緣由是，光刻膠只對(duì)特定波長(zhǎng)的光線敏感，例如深紫外線和白光，而對(duì)黃光不敏感3、涂膠前要進(jìn)展增粘處理，目的提高晶圓片外表的增粘效果。光學(xué)光刻的關(guān)鍵設(shè)備〔A 〕A光刻機(jī) B摔膠機(jī)C烘箱 D顯微鏡對(duì)于正性光刻膠被曝光的局部〔B 對(duì)于負(fù)性光刻膠被曝光的局部〔〕A簡(jiǎn)潔溶解；簡(jiǎn)潔溶解 B簡(jiǎn)潔溶解；不易溶解C不易溶解；簡(jiǎn)潔溶解 D不易溶解；不易溶解光刻要求晶圓片外表存在的圖案與掩膜版上的圖形對(duì)準(zhǔn)，此特性指標(biāo)稱為〔A 〕A套準(zhǔn)精度 B特征尺寸C區(qū)分率 4．投影掩膜版上的圖形是由〔B 〕金屬所形成的A鉭 B鉻 C鐵D銅光刻工藝一般都要經(jīng)過涂膠、前烘、曝光〔A 、后烘等步驟。A顯影 B去膠C清洗 D檢查等離子體刻蝕屬于〔B 〕刻蝕A濕法刻蝕 B干法刻蝕C電子刻蝕 D光學(xué)刻蝕后烘是在〔C 〕后和顯影前對(duì)硅片進(jìn)展的一次焙烘A清洗 B涂膠C曝光 D腐蝕以下哪個(gè)不屬于濕法清洗〔D 〕A超聲清洗 B噴霧清洗C溢流清洗 D等離子清洗三、簡(jiǎn)答題1答：①光刻膠②去邊劑：用于涂膠后的去邊HMDS：用于涂膠前的硅片增粘處理④顯影液：MF-319⑤丙酮：用于清潔，可溶解光刻膠⑥乙醇：用于清潔，擦拭設(shè)備，桌面等2答：一般光刻膠有以下三種成分：①根底樹脂②感光劑③溶劑光刻膠的保管方法：光刻膠對(duì)光和熱敏感，應(yīng)保保存在低溫，黑暗和枯燥的地方。3〕包括HMDS)膠面發(fā)花,均勻性差.回濺嚴(yán)峻,膠面上有很多圓形或彗星狀斑點(diǎn).膠被打空,片子外表未涂上膠.未做去邊(去邊劑壓力罐的壓力未加)膠中有大量的雜質(zhì).換錯(cuò)膠.4答：①對(duì)在制品狀況進(jìn)展交接②交代設(shè)備的工作狀況及其它留意事項(xiàng)③檢查膠瓶中的膠量，顯影液罐中的顯影液量，去邊劑的量，廢膠罐是否已滿④ 檢查工作現(xiàn)場(chǎng)是否整四、論述題(20分)識(shí)別以下圖所示工藝，寫出每個(gè)步驟名稱并進(jìn)展描述。答：1氣相成底膜：清洗、脫水，脫水烘焙后馬上用HMDS進(jìn)展成膜處理，起到粘附促進(jìn)劑的作用。