GB/T 42839-2023半導(dǎo)體集成電路模擬數(shù)字（AD）轉(zhuǎn)換器

ICS31200

CCSL.56

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T42839—2023

半導(dǎo)體集成電路

模擬數(shù)字AD轉(zhuǎn)換器

()

Semiconductorintegratedcircuits—

AnalodiitalADconverter

gg()

2023-08-06發(fā)布2023-12-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T42839—2023

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………2

分類

4………………………2

概述

4.1…………………2

雙積分型

4.2……………2

調(diào)制型

4.3∑—Δ………………………2

逐次逼近型

4.4…………………………2

全并行型

4.5……………2

流水線型

4.6……………2

技術(shù)要求

5…………………2

溫度

5.1…………………2

電特性

5.2………………3

封裝特性

5.3……………4

其他指標(biāo)

5.4……………4

電特性測試方法

6…………………………4

一般說明

6.1……………4

靜態(tài)特性

6.2……………4

動(dòng)態(tài)特性

6.3……………14

檢驗(yàn)規(guī)則

7…………………22

一般要求

7.1……………22

檢驗(yàn)分類

7.2……………22

質(zhì)量評定類別

7.3………………………22

抽樣方案

7.4……………22

檢驗(yàn)批構(gòu)成

7.5…………………………23

鑒定檢驗(yàn)

7.6……………23

質(zhì)量一致性檢驗(yàn)

7.7……………………23

篩選

7.8…………………26

標(biāo)志

8………………………26

包裝運(yùn)輸貯存

9、、…………………………27

包裝

9.1…………………27

運(yùn)輸

9.2…………………27

貯存

9.3…………………27

GB/T42839—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本文件起草單位中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院杭州電子科技大學(xué)成都華微電子股份有限公司成

:、、、

都振芯科技股份公司中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所中國電子科技集團(tuán)公司第二十四研究

、、

所四川翊晟芯科信息技術(shù)有限公司北京芯可鑒科技有限公司中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所廣東偉照業(yè)

、、、、

光電節(jié)能有限公司惠陽東亞電子制品有限公司杭州萬高科技股份有限公司

、、。

本文件主要起草人李錕邢浩張弛李大剛王會(huì)影張濤雷郎成謝紅建鐘明琛李文昌

:、、、、、、、、、、

董鴻亮王永軍林玲隋春娟

、、、。

Ⅰ

GB/T42839—2023

半導(dǎo)體集成電路

模擬數(shù)字AD轉(zhuǎn)換器

()

1范圍

本文件規(guī)定了模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器以下簡稱轉(zhuǎn)換器或的分類技術(shù)要求檢驗(yàn)方法

(AD)(ADADC)、、、

檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包裝運(yùn)輸和貯存

、、、。

本文件適用于采用半導(dǎo)體集成電路工藝設(shè)計(jì)制造的轉(zhuǎn)換器

AD。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體器件第部分分立器件和集成電路總規(guī)范

GB/T4589.1—200610:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分外部目檢

GB/T4937.3—20123:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)

GB/T4937.4—20124:

(HAST)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分快速溫度變化雙液槽法

GB/T4937.11—201811:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分鹽霧

GB/T4937.13—201813:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分引出端強(qiáng)度引線牢固性

GB/T4937.14—201814:()

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分通孔安裝器件的耐焊接熱

GB/T4937.15—201815:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分可焊性

GB/T4937.21—201821:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分高溫工作壽命

GB/T4937.2323:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分靜電放電敏感度測試

GB/T4937.2626:(ESD)

人體模型

(HBM)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分靜電放電敏感度測試

GB/T4937.2727:(ESD)

機(jī)器模型

(MM)

集成電路術(shù)語

GB/T9178

半導(dǎo)體器件集成電路第部分半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范不包括混合電路

GB/T12750—200611:()

半導(dǎo)體器件集成電路第部分?jǐn)?shù)字集成電路

GB/T17574—19982: