標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 12750-2006 半導(dǎo)體器件 集成電路 第11部分：半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范(不包括混合電路)》與《GB/T 12750-1991 半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范 (不包括混合電路)》相比，主要在以下幾個方面進行了更新和調(diào)整：

  1. 標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的調(diào)整：2006版標(biāo)準(zhǔn)作為GB/T 12750系列標(biāo)準(zhǔn)的一部分，明確將其定位為系列標(biāo)準(zhǔn)的第11部分，這反映了標(biāo)準(zhǔn)體系的細化和規(guī)范化，便于用戶更系統(tǒng)地查找和應(yīng)用相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容。

  2. 技術(shù)內(nèi)容的更新：鑒于半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展，2006版標(biāo)準(zhǔn)對集成電路的設(shè)計、制造、測試等方面的技術(shù)要求進行了更新，納入了新的技術(shù)和工藝標(biāo)準(zhǔn)，以適應(yīng)行業(yè)進步和市場需求。例如，可能包含了關(guān)于更小幾何尺寸、更高集成度、更低功耗等方面的要求。

  3. 測試方法和指標(biāo)的改進：為了保證集成電路產(chǎn)品的性能和質(zhì)量，新版標(biāo)準(zhǔn)可能引入了更為精確和全面的測試方法，以及更為嚴格的性能指標(biāo)，確保產(chǎn)品符合當(dāng)前的技術(shù)水平和應(yīng)用需求。

  4. 標(biāo)準(zhǔn)化語言和表述的規(guī)范：2006版標(biāo)準(zhǔn)在表述上可能更加嚴謹和國際化，遵循了最新的標(biāo)準(zhǔn)化編寫規(guī)則，使得標(biāo)準(zhǔn)文本更加清晰易懂，便于國內(nèi)外企業(yè)的理解和執(zhí)行。

  5. 安全和環(huán)保要求的加強：隨著全球?qū)﹄娮赢a(chǎn)品安全和環(huán)境保護意識的增強，新版標(biāo)準(zhǔn)可能加入了更多關(guān)于材料使用、生產(chǎn)過程、廢棄物處理等方面的安全和環(huán)保要求，促進可持續(xù)發(fā)展。

  6. 參考標(biāo)準(zhǔn)的更新：考慮到國際標(biāo)準(zhǔn)和先進國家標(biāo)準(zhǔn)的最新進展，2006版標(biāo)準(zhǔn)引用了一系列新的或修訂的參考標(biāo)準(zhǔn)，確保國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)與國際標(biāo)準(zhǔn)保持同步，促進產(chǎn)品和技術(shù)的國際交流與合作。

這些變化體現(xiàn)了從1991年到2006年間，我國在半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)制定上的進步和完善，旨在提升產(chǎn)品質(zhì)量，促進技術(shù)創(chuàng)新，并與國際市場接軌。


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  • 2006-08-23 頒布
  • 2007-02-01 實施
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GB/T 12750-2006半導(dǎo)體器件集成電路第11部分：半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范(不包括混合電路)_第1頁
GB/T 12750-2006半導(dǎo)體器件集成電路第11部分：半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范(不包括混合電路)_第2頁
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GB/T 12750-2006半導(dǎo)體器件集成電路第11部分：半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范(不包括混合電路)-免費下載試讀頁

文檔簡介

ICS31.200L56中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T12750—2006/IEC60748-11：1990代替GB/T12750-1991半導(dǎo)體器件集成電路第11部分：半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范（不包括混合電路)Semiconductordevices-integratedcircuits-Part11：SectionalSpecificationforsemiconduetorintegratedcircuitsexcludinghybridcircuits(IEC60748-11:1990,IDT)2006-08-23發(fā)布2007-02-01實施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T12750-2006/IEC60748-11:1990茶《半導(dǎo)體器件集成電路》分為如下幾個部分：-GB/T16464一1996半導(dǎo)體器件集成電路第1部分：總則(idtIEC60748-1:1984)-GB/T17574-1998華半導(dǎo)體器件集成電路第2部分:數(shù)字集成電路(idtIEC60748-2:1985）-GB/T17940-2000華導(dǎo)體器件集成電路第3部分：模擬集成電路（idtIEC60748-3：1986）IEC60748-4華導(dǎo)體器件集集成電路第4部分：接口集成電路半導(dǎo)體器件IEC60748-5集成電路第5部分：半定制集成電路IEC60748-11半導(dǎo)體器件集成電路第11部分：半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范(不包括混合電路）本標(biāo)準(zhǔn)為第11部分，等同采用IEC60748-11：1990《半導(dǎo)體器件集成電路第11部分：半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范（不包括混合電路)》英文版）。本標(biāo)準(zhǔn)代替（B/T12750—1991《半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范(不包括混合電路)》.本標(biāo)準(zhǔn)除等同IEC60748-11外.還將1995年和1999年的IEC兩次修改單內(nèi)容納入本標(biāo)準(zhǔn)。本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T12750—1991相比,存在如下技術(shù)性差異：為保持本標(biāo)準(zhǔn)中涉及到的IEC標(biāo)準(zhǔn)體系的統(tǒng)一性和完整性,引用文件一律引用IEC原文。刪除了GB/T12750—1991中的附錄A"加速試驗程序”增加了規(guī)范性附錄“起草空白詳細規(guī)范的指南和格式”表7中順序按照IEC原文改為A、B和D.-2.5.3.1條中增加相關(guān)系數(shù)的一個公式。表9中改變了采用LTPD的B、C和D組試驗的抽樣要求。為便于使用，本標(biāo)準(zhǔn)做了如下編輯性修改：刪除國際標(biāo)準(zhǔn)中的前言。b）將IEC原文前言中的引用文件納入本標(biāo)準(zhǔn)附錄B的引用文件中。按照GB/T1.1的要求編制國家標(biāo)準(zhǔn),將IEC原文中涉及到的表號和頁碼重新加以編排原文C組試驗的"*“沒有標(biāo)注原出處,現(xiàn)明確在C5分組。e）為了達到表9中涉及到的分組與B組分組的一致性,去掉不存在的B5a分組本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A為規(guī)范性附錄.附錄B為資料性附錄。本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國信息產(chǎn)業(yè)部提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所(CESI)本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：王琪。

GB/T12750—2006/IEC60748-11:1990半導(dǎo)體器件集成電路第11部分：半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范（不包括混合電路)1范圍本分規(guī)范適用于已封裝的半導(dǎo)體集成電路，包括多片集成電路，但不包括混合電路2總則本規(guī)范應(yīng)與有關(guān)的總規(guī)范一起使用,并為評定包括數(shù)字、模擬及接口電路在內(nèi)的半導(dǎo)體集成電路規(guī)定了質(zhì)量評定程序、檢驗要求、篩選順序、抽樣要求、試驗和測量程序的詳細內(nèi)容所有用確定工藝制造的器件允許應(yīng)用能力批準(zhǔn)程序(見IECQC00100211.7,但目前集成電路的能力批準(zhǔn)程序尚在考電之中)來代替鑒定批準(zhǔn)程序如果需要且技術(shù)上可行，則對用上述確定工藝生產(chǎn)的任一型號或一組型號產(chǎn)品可以補充應(yīng)用質(zhì)量一致性檢驗規(guī)則(見IEC60747-103.6和本規(guī)范5章～9章）。本規(guī)范的所有要求在未被新條款“能力批準(zhǔn)程序"(在考慮中)的要求修改前,將繼續(xù)有效2.1有關(guān)文件1EC60747-10/QC700000:1984.2.2溫度推薦值1EC60748-1M.5.23電壓推薦值TEC60748-1M.6。2.4與制造過程有關(guān)的定義2.4.1生產(chǎn)線生產(chǎn)線定義為一套包括一個或多個下述制造階段的工藝操作：散：芯片制備：3）裝配：最終加工和最終電測試;5)篩選（適用時）。?。哼@些階段不含質(zhì)量評定程序1）擴散該階段是從制造的初始階段到劃片前最后一道工序這一制造工藝操作，2）芯片制備該階段是將品園劃分為芯片的制造工藝操作

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