模擬集成電路電流源基準(zhǔn)源課件

1.鏡像電流源基準(zhǔn)電流：無論Rc的值如何，IC2的電流值將保持不變。恒流源和有源負(fù)載一電流源電路因?yàn)椋核裕篋r.JianFang.UESTC1.鏡像電流源基準(zhǔn)電流：無論Rc的值如何，I1Dr.JianFang.UESTCDr.JianFang.UESTC22.微電流源由于很小，所以IC2也很小Dr.JianFang.UESTC2.微電流源由于很小，所以IC2也很小Dr.JianF3Dr.JianFang.UESTCDr.JianFang.UESTC43.多路電流源Dr.JianFang.UESTC3.多路電流源Dr.JianFang.UESTC53.電流源的改進(jìn)帶緩沖恒流源Dr.JianFang.UESTC3.電流源的改進(jìn)帶緩沖恒流源Dr.JianFang6Dr.JianFang.UESTCDr.JianFang.UESTC7具有基極電流補(bǔ)償?shù)暮懔髟碊r.JianFang.UESTC具有基極電流補(bǔ)償?shù)暮懔髟碊r.JianFang.UE8MOS恒流源Dr.JianFang.UESTCMOS恒流源Dr.JianFang.UESTC9Wilso恒流源Dr.JianFang.UESTCWilso恒流源Dr.JianFang.UESTC104.電流源作有源負(fù)載交流電阻大直流電阻小電壓范圍寬工藝容易實(shí)現(xiàn)Dr.JianFang.UESTC4.電流源作有源負(fù)載交流電阻大Dr.JianFang.114.電流源作有源負(fù)載共射電路的電壓增益為：對(duì)于此電路Rc就是鏡像電流源的交流電阻，因此增益比用電阻Rc作負(fù)載時(shí)大大提高了。放大管鏡像電流源鏡像電流源鏡像電流源Dr.JianFang.UESTC4.電流源作有源負(fù)載共射電路的電壓增益為：對(duì)于12恒流源電路

精密匹配電流鏡Dr.JianFang.UESTC恒流源電路精密匹配電流鏡Dr.JianFang.13PNP基本恒流源及其改進(jìn)電路Dr.JianFang.UESTCPNP基本恒流源及其改進(jìn)電路Dr.JianFang.14模擬集成電路.基準(zhǔn)源電路Dr.JianFang.UESTC模擬集成電路.基準(zhǔn)源電路Dr.JianFang.UE15基準(zhǔn)源電路穩(wěn)定的電壓輸出不隨溫度變化低的輸出電阻,不隨負(fù)載變化Dr.JianFang.UESTC基準(zhǔn)源電路穩(wěn)定的電壓輸出Dr.JianFang.UE16(1)BE結(jié)二極管的正向壓降VBE,VBE=0.6~0.8V,他的溫度系數(shù)

;(2)由NPN管反向擊穿BE結(jié)構(gòu)成的齊納二極管的擊穿電壓Vz，Vz=6～9V，它的溫度系數(shù)：(3)等效熱電壓Vt＝26mV，溫度系數(shù)Dr.JianFang.UESTC(1)BE結(jié)二極管的正向壓降VBE,VBE=0.6~0.17正向二極管基準(zhǔn)電路齊納二極管基準(zhǔn)電路具有溫度補(bǔ)償?shù)凝R納基準(zhǔn)電路負(fù)反饋基準(zhǔn)源電路參考電壓源Dr.JianFang.UESTC正向二極管基準(zhǔn)電路Dr.JianFang.UESTC18正向二極管基準(zhǔn)電路溫度系數(shù)大內(nèi)阻較大芯片面積大VrefDr.JianFang.UESTC正向二極管基準(zhǔn)電路溫度系數(shù)大VrefDr.JianFan19R1R2TVref解決了大Vref的問題(1)BE結(jié)二極管的正向壓降VBE,VBE=0.6~0.8V,他的溫度系數(shù)

Dr.JianFang.UESTCR1R2TVref解決了大Vref的問題(1)BE結(jié)二極管20齊納二極管基準(zhǔn)電路Vref(2)由NPN管反向擊穿BE結(jié)構(gòu)成的齊納二極管的擊穿電壓Vz，Vz=6～9V，它的溫度系數(shù)：Dr.JianFang.UESTC齊納二極管基準(zhǔn)電路Vref(2)由NPN管反向擊穿B21(1)BE結(jié)二極管的正向壓降VBE,VBE=0.6~0.8V,他的溫度系數(shù)

;(2)由NPN管反向擊穿BE結(jié)構(gòu)成的齊納二極管的擊穿電壓Vz，Vz=6～9V，它的溫度系數(shù)：(3)等效熱電壓Vt＝26mV，溫度系數(shù)Dr.JianFang.UESTC(1)BE結(jié)二極管的正向壓降VBE,VBE=0.6~0.22具有溫度補(bǔ)償?shù)凝R納基準(zhǔn)電路VrefDr.JianFang.UESTC具有溫度補(bǔ)償?shù)凝R納基準(zhǔn)電路VrefDr.JianFang23負(fù)反饋基準(zhǔn)源電路Dr.JianFang.UESTC負(fù)反饋基準(zhǔn)源電路Dr.JianFang.UESTC24偏置電壓源和基準(zhǔn)電壓源電路

雙極型三管能隙基準(zhǔn)源雙極型二管能隙基準(zhǔn)源

E／DNMOS基準(zhǔn)電壓源

CMOS基準(zhǔn)電壓源

Dr.JianFang.UESTC偏置電壓源和基準(zhǔn)電壓源電路雙極型三管能隙基準(zhǔn)源Dr.Ji251.雙極型三管能隙基準(zhǔn)源Dr.JianFang.UESTC1.雙極型三管能隙基準(zhǔn)源Dr.JianFang.UE26只要適當(dāng)設(shè)計(jì)R2／R3和J1／J2，即可使在該溫度下基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)接近零Dr.JianFang.UESTC只要適當(dāng)設(shè)計(jì)R2／R3和J1／J2，即可使在該溫度下基準(zhǔn)電壓27輸出接近為5V的能隙基準(zhǔn)源Dr.JianFang.UESTC輸出接近為5V的能隙基準(zhǔn)源Dr.JianFang.282.雙極型二管能隙基準(zhǔn)源

Dr.JianFang.UESTC2.雙極型二管能隙基準(zhǔn)源Dr.JianFang.U29可以通過控制有效發(fā)射結(jié)面積比AEl／AE2或AE3／AE4及電阻比R2／R1來獲得接近零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)源Dr.JianFang.UESTC可以通過控制有效發(fā)射結(jié)面積比AEl／AE2或AE3／AE4及303.E／DNMOS基準(zhǔn)電壓源

Dr.JianFang.UESTC3.E／DNMOS基準(zhǔn)電壓源Dr.JianFang31耗盡型和增強(qiáng)型MOS的閾值耗盡型增強(qiáng)型Dr.JianFang.UESTC耗盡型和增強(qiáng)型MOS的閾值耗盡型增強(qiáng)型Dr.JianFa32Dr.JianFang.UESTCDr.JianFang.UESTC33Dr.JianFang.UESTCDr.JianFang.UESTC34Dr.JianFang.UESTCDr.JianFang.UESTC35Dr.JianFang.UESTCDr.JianFang.UESTC36其溫度系數(shù)決定于三個(gè)因素M1，M2的開啟電壓之差的溫度系數(shù)，M1，M2漏極電流IDE＝IDD＝ID的溫度系數(shù)溝道電子遷移率的溫度系數(shù)。Dr.JianFang.UESTC其溫度系數(shù)決定于三個(gè)因素M1，M2的開啟電壓之差的溫度系數(shù)，37Dr.JianFang.UESTCDr.JianFang.UESTC38Dr.JianFang.UESTCDr.JianFang.UESTC394.CMOS基準(zhǔn)電壓源

Dr.JianFang.UESTC4.CMOS基準(zhǔn)電壓源Dr.JianFang.U40根據(jù)MOS晶體管次開啟區(qū)電特性的理論分析,當(dāng)