海思芯片HTOL老化測(cè)試技術(shù)規(guī)范

HTOL測(cè)試技術(shù)規(guī)范歷史版本記錄適用范圍:期上電運(yùn)行的可靠性評(píng)估。本規(guī)范適用于量產(chǎn)芯片驗(yàn)證測(cè)試階段的HTOL老化測(cè)試需求。試工程師需要依據(jù)實(shí)際情況選擇合適的模式完成HTOL測(cè)試。序號(hào)序號(hào)參考標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明HTOL主要用于評(píng)估芯片的壽命和電路可靠性，需要項(xiàng)目SE、封裝工程師、可靠性工案、HTOL環(huán)境調(diào)試、HTOL測(cè)試流程執(zhí)行、測(cè)試結(jié)果分析、失效定位等。HTO種方式進(jìn)行測(cè)試：DFT測(cè)試模式和EVB測(cè)試模式。際應(yīng)用場(chǎng)景，該模式下芯片各模塊一般按照真實(shí)的應(yīng)用場(chǎng)景并行運(yùn)行。高低高中1、DFT:各模塊依次運(yùn)行，動(dòng)態(tài)時(shí)實(shí)現(xiàn)多芯片并行老化難依賴測(cè)試平臺(tái)，可在實(shí)驗(yàn)室溫箱進(jìn)行；TR4TR5廠SE廠工程師可靠性工程師硬件工程師封裝工程師FT測(cè)試工程師TR4TR5TR4功耗數(shù)據(jù)SE環(huán)境調(diào)試可靠性測(cè)試總體方案可靠性工程師芯片殼溫測(cè)試?yán)匣逭{(diào)試高溫功耗測(cè)試?yán)匣h(huán)境溫度可靠性測(cè)試總體方案可靠性工程師芯片殼溫測(cè)試?yán)匣逭{(diào)試高溫功耗測(cè)試?yán)匣h(huán)境溫度HTOL測(cè)試報(bào)告0hATE測(cè)試168hATE測(cè)試ATE測(cè)試1000hATE測(cè)試結(jié)果分析測(cè)試方案確定調(diào)試結(jié)果確認(rèn)調(diào)試結(jié)果確認(rèn)測(cè)試方案評(píng)審EVB原理EVB原理圖&PCB工程師芯片熱阻參數(shù)封裝尺寸芯片熱阻參數(shù)封裝尺寸圖工程師HTOL回測(cè)老化程序失效分析HTOLHTOL回測(cè)老化程序失效分析測(cè)試2.HTOL測(cè)試條件最低結(jié)溫Tj要求125℃,且結(jié)溫不得高于150℃。然而，對(duì)于沒(méi)有集成內(nèi)部溫度傳感器的IC，結(jié)溫?zé)o法直接測(cè)量，需要用公式推算：jcjc其中:，即芯片封裝外殼溫度，調(diào)試過(guò)程中可用傳感器實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)；θ溫度調(diào)試方法為，環(huán)境溫度升到125℃,測(cè)試芯片在該條件下的總功耗。然后由于結(jié)溫有范圍(125℃,150℃)，可通過(guò)T=T-θP反推特定結(jié)溫下要求的殼溫，通過(guò)升高或降cjjc低環(huán)境溫度，將殼溫調(diào)節(jié)到特定值。最終的環(huán)境溫度大概率不是125℃,且功耗P相對(duì)于125℃條件下會(huì)有些細(xì)微變化，但一般認(rèn)為變化較小可忽略不計(jì)。抽樣檢驗(yàn)的樣本量的取樣原則按下表所示：解釋為：若該批次抽樣45units且檢驗(yàn)無(wú)失效，則老化時(shí)間需要綜合計(jì)算，以便抽樣測(cè)試的結(jié)果能滿足早期失效率要求(詳細(xì)細(xì)節(jié)參考溫度加速因子：AEQ\*jc3\*hps35\o\al(\s\up14(E),k)aT為正常使用條件下的結(jié)溫(單位：K)；uT為加速條件下的結(jié)溫(單位：K)；aau正常使用條件下等效使用時(shí)間：a9a)9-3ELF9ELF-3ELFaaa舉例說(shuō)明如何計(jì)算一定條件下老化試驗(yàn)的早期失效率和等效使用時(shí)間：γkNA=AT*AVtELFr1.8V測(cè)試時(shí)間下對(duì)應(yīng)的等效使用年限。高溫操作壽命HTOL及早期失效EFR計(jì)算公3.HTOL測(cè)試注意事項(xiàng)定芯片是否完好。在ATE測(cè)試過(guò)程中，我們會(huì)記錄各個(gè)模塊的關(guān)鍵參數(shù)，如logic和Memory電路的最高工作頻率FMAX和最低工作電壓VDDMIN，用于分析該參數(shù)在老轉(zhuǎn)化后的老化向量，可能需要返回前端進(jìn)行仿真，確認(rèn)老化向量出管腳并抓取波形，如果確認(rèn)波形正確后，老化板調(diào)試才能結(jié)束并開(kāi)始HTOL測(cè)試，試驗(yàn)條件下測(cè)試準(zhǔn)確殼溫和功耗，計(jì)算芯片的結(jié)溫。在HTOL測(cè)試前，將芯片至于高溫條件下（125℃),測(cè)試其功耗。計(jì)測(cè)試芯片表面溫度。相同，確認(rèn)老化向量可以在高溫下運(yùn)行。記錄每個(gè)芯片的關(guān)鍵參數(shù)，并保存datalog。EVB功能模式的老化同樣需要測(cè)試并記錄DFT模式下，測(cè)試機(jī)臺(tái)需求1）輸入通道數(shù)：老化機(jī)臺(tái)的輸入通道數(shù)為96個(gè)DFT模式下，老化向量覆蓋模塊需求：HTOL測(cè)試成員參考但不限于以下因素來(lái)確定老化向量覆蓋的模塊：1）IP/IO和工藝存在的風(fēng)險(xiǎn)：如使用未經(jīng)過(guò)