電子技術基礎第五康華光 半導體二極管及其基本電路

3二極管及其基本電路3.1半導體的基本知識3.3二極管3.4二極管的基本電路及其分析方法3.5特殊二極管3.2PN結(jié)的形成及特性13.1半導體的基本知識

半導體材料

半導體的共價鍵結(jié)構

本征半導體

雜質(zhì)半導體2

半導體材料根據(jù)物質(zhì)導電能力(電阻率)的不同，來劃分導體、絕緣體和半導體。典型的半導體有硅Si、鍺Ge、砷化鎵GaAs和一些硫化物、氧化物等。半導體：導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(zhì)。半導體材料多以晶體的形式存在。3

半導體的共價鍵結(jié)構晶體中原子的排列方式硅單晶中的共價健結(jié)構共價健共價鍵中的兩個電子，稱為價電子（束縛電子）。+4+4+4+4價電子4

本征半導體本征半導體——完全純凈的、具有晶體結(jié)構的半導體。在絕對0度和沒有外界激發(fā)時，價電子完全被共價鍵束縛著，本征半導體中沒有可以運動的帶電粒子（即載流子），它的導電能力為0，相當于絕緣體。+4+4+4+4價電子5

本征半導體當溫度升高或受到光的照射時，價電子能量增高，有的價電子可以掙脫原子核的束縛成為自由電子。這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)（也稱熱激發(fā)）。但常溫下，通過本征激發(fā)產(chǎn)生的載流子很少，所以本征半導體的導電能力很弱。+4+4+4+4價電子6價電子在獲得一定能量（溫度升高或受光照）后，即可掙脫原子核的束縛成為自由電子（帶負電），同時共價鍵中留下一個空位，稱為空穴（帶正電）。價電子自由電子+4+4+4+4空穴7+4+4+4+4在其它力的作用下，空穴吸引附近的電子來填補，這樣的結(jié)果相當于空穴的遷移，而空穴的遷移相當于正電荷的移動，因此可以認為空穴是載流子。8本征半導體的導電機理當半導體兩端加上外電壓時，在半導體中將出現(xiàn)兩部分電流(1)自由電子作定向運動電子電流(2)價電子遞補空穴空穴電流注意：溫度愈高，載流子的數(shù)目愈多，半導體的導電性能也就愈好。所以，溫度對半導體器件性能影響很大。

自由電子和空穴都是載流子。

自由電子和空穴成對地產(chǎn)生的同時，又不斷復合。在一定溫度下，載流子的產(chǎn)生和復合達到動態(tài)平衡，半導體中載流子便維持一定的數(shù)目。9半導萍體的料導電眨特性（本征占半導布體的楊導電炭能力好很差圣）摻雜躬性:往純擋凈的處半導罷體中弄摻入之某些場雜質(zhì)迎，導耽電能愛力明鬼顯增強畝。(可談做成殘各種位不同嘴用途低的半贈導體避器件巖，如兔二極姥管、云三極纏管和泄晶閘跌管等什）。光敏液性:當受售到光昆照時嫂，導扯電能犧力明虛顯變東化。(可殖做成制各種萬光敏怨元件恢)熱敏石性:當環(huán)等境溫芬度升耀高時欠，導抵電能訓力顯悔著增色強。（可樂做成妻溫度驕敏感吸元件林，如玩熱敏通電阻微)10雜質(zhì)桐半導邁體N型半臺導體——隔摻入役五價始雜質(zhì)痕元素朗（如囑磷）貞的半段導體法。P型半揮導體——揪摻入章三價丑雜質(zhì)仰元素途（如腳硼）咸的半涂導體近。在常把溫下揭，本鴉征半練導體染的兩派種載騙流子科數(shù)量懲還是齒極少禾的，踏其導診電能元力相慶當?shù)痛佟Ｔ诒臼痴靼胛饘w籃中摻取入微話量的街雜質(zhì)翼元素凈，形悅成雜質(zhì)趟半導史體。雜質(zhì)盜半導瞞體的堤導電蠅能力儉將大穩(wěn)大提獲高。111.第N型專半導株體（摻入惠五價狡元素附）在N恥型半蓋導體雀中自由仇電子江是多撿數(shù)載肥流子，它勤主要控由雜卡質(zhì)原雅子提度供；空穴闊是少牌數(shù)載剛流子,由本斷征激離發(fā)形殺成。

Si

Si

Si

Sip+多余仇電子磷原派子在常嬸溫下孫即可支變?yōu)檠鹤杂勺C電子失去粗一個沒電子尊變?yōu)閭蛘x僚子自由民電子焰導電起成為但這種慘半導反體的民主要但導電諷方式違，稱驅(qū)為N型匆半導替體（電雜子半匹導體甲）。施主隔雜質(zhì)122.析P型嫂半導做體（摻入暈三價準元素未）在P細型半徒導體燈中空穴任是多煌數(shù)載硬流子泥，它主尺要由身摻雜藝形成；自由電子寺是少控數(shù)載謹流子店，由本漿征激庸發(fā)形肝成。摻雜掃后空對穴數(shù)街目大醫(yī)量增肉加，慘空穴歉導電換成為扛這種叮半導屆體的排主要汽導電寸方式底，稱咱為P型濱半導欣體(空求穴半共導體通)。

Si

Si

Si

SiB–硼原微子接受北一個究電子敘變?yōu)榉地撾x期子空穴雜質(zhì)勒半導白體對遼外是搖否顯衰電性丑？受主命雜質(zhì)13摻入已雜質(zhì)為對本俗征半使導體噴的導征電性帽有很寺大的飄影響完，一吐些典鼓型的尼數(shù)據(jù)辭如下綱:T=300K室溫下,本征硅的電子和空穴濃度:

n=p=1.45×1010/cm32本征硅的原子濃度:4.96×1022/cm3

1以上戶三個它濃度妖基本恒上依泊次相歡差1覽06/c錦m3。

3摻雜后N型半導體中的自由電子濃度:

n=5×1016/cm3雜質(zhì)對堆半導貞體導遲電性熱的影滲響本征騙半導垮體中病載流象子數(shù)弓目極益少,碰其腸導電拉性能船很差堂；摻貝入雜路質(zhì)后競，導拳電能鎮(zhèn)力大寒大增舍強。141.在雜往質(zhì)半忙導體著中多辦子的穴數(shù)量祝主要貨與（a寧.弱摻雜天濃度嫌、b獸.溫農(nóng)度）煤有關皮。2.財在雜釣質(zhì)半醫(yī)導體未中少握子的持數(shù)量拳主要彈與（a樹.葉摻雜爽濃度堆、b底.溫錦度）秩有關鋸。3.腰當溫謹度升抵高時靜，少革子的川數(shù)量（a擴.添減少黨、b絮.付不變鼻、c鋼.動增多聰）。abc4.徐在外謝加電鋼壓的焦作用宜下，善P逐型半亮導體餅中的百電流主要妥是，N拿型記半導愿體中粱的電族流主蛾要是趨。（a肢.怨電子稅電流此、b案.空妥穴電襲流）ba思考修題：153.諸2份P秘N結(jié)的店形成作及特盼性PN黎結(jié)的構形成PN菊結(jié)的廣單向鴉導電適性PN稱結(jié)的秒反向嶺擊穿PN寸結(jié)的駁電容悔效應16不論腿是P攪型半彈導體泛還是那N型錦半導和體，穗都只指能看脊做是詠一般修的導煉電材至料，暫不具查有半漫導體美器件火的任級何特屯點。半導袋體器抬件的湊核心冷是PN支結(jié)，是爬采取醒一定朗的工扔藝措駐施在雞一塊漂半導具體基愧片的考兩側(cè)胡分別婚制成區(qū)P型術半導醬體和初N型站半導丙體，飄在兩緩種半旺導體嶄的交互界面仔上形氏成P果N結(jié)嚼。各種圖各樣漸的半抄導體環(huán)器件袋都是乖以P歲N結(jié)腦為核鏡心而把制成艘的，裳正確夕認識輛PN貍結(jié)是困了解悠和運死用各煮種半稀導體總器件蹦的關谷鍵所局在。PN境結(jié)17載流受子的招漂移裳與擴撫散漂移美運動準：在電匆場作速用引合起的私載流皂子的摸運動欺稱為壁漂移胸運動。擴散膝運動朋：由載御流子輔濃度桿差引延起的梢載流換子的劣運動蕉稱為盈擴散什運動半。183.件2.們1煮P墨N結(jié)蘿的形暮成多子正的擴扔散運咽動內(nèi)電場少子莊的漂伐移運面動濃度橫差P型半裂導體N型半興導體內(nèi)電曉場越推強，懼漂移旬運動棉越強慘，而西漂移丟使空末間電巧荷區(qū)醋變薄火。擴散砌的結(jié)北果使五空間義電荷桂區(qū)變殃寬。擴散丈和漂舟移這危一對桐相反妥的運索動最載終達斑到動蓮態(tài)平等衡，歉空間谷電荷何區(qū)的僻厚度損固定蕩不變瓜。－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++－－－－－－－－形成肝空間遼電荷顏區(qū)即煙PN語結(jié)19在一指塊本疑征半徑導體奏在兩塵側(cè)通拖過擴匆散不吊同的蔥雜質(zhì)插,分禾別形橡成N型半劇導體肌和P型半慕導體莫。此巷時將僑在N型半皆導體虛和P型半閃導體而的結(jié)筒合面摟上形束成如佳下物尸理過斬程:因濃趨度差空間脊電荷扣區(qū)形只成內(nèi)呈電場內(nèi)電消場促站使少蜻子漂辮移內(nèi)電防場阻漆止多歡子擴津散最后罪,多繁子的擴散和少察子的漂移達到動態(tài)仰平衡。對于P型半導體和N型半導體結(jié)合面，離子薄層形成的空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。在空間電荷區(qū)，由于缺少載流子，所以也稱耗盡層。多子統(tǒng)的擴砌散運欣動由雜質(zhì)喊離子銜形成添空間還電荷探區(qū)20PN戀結(jié)21PN否結(jié)的悶單向晉導電咳性PN惱結(jié)加正兆向電唇壓，即陡：P村區(qū)接墾電源泄正極肺，N本區(qū)接濤電源刃負極決，又趴稱為淚PN標結(jié)正向灣偏置。PN類結(jié)加反口向電血壓，即丘：P晌區(qū)接奇電源敏負極賴，N從區(qū)接示電源莊正極字，又擔稱為疤PN島結(jié)反向貞偏置。22PN研結(jié)的勿單向糖導電碑性1.PN效結(jié)捐加正裳向電冒壓（正懇向偏傷置）P接促正、禽N接述負外電場IF內(nèi)電猴場被橋削弱棉，多投子的地擴散徑加強虜，形熄成較暫大的藏擴散必電流岡。PN脖結(jié)加正帽向電狹壓時，P宿N結(jié)寒變窄甲，正里向擴繞散電勝流較拼大，團正向江電阻伍較小棕，P蜻N結(jié)處于伶導通健狀態(tài)。內(nèi)電場PN－－－－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++++++++++–232.萄P鉛N耗結(jié)加軌反向妨電壓（反到向偏疼置）外電場P接判負、雪N接透正內(nèi)電場PN+++－－－－－－+++++++++－－－－－－－－－++++++－－－–+24PN監(jiān)結(jié)愚變寬外電場內(nèi)電訪場被偉加強堅，少厭子的閑漂移直加強亦，由存于少逗子數(shù)腳量很仍少，搶形成汁很小鏡的反痕向漂晚移電宋流。IR–+PN投結(jié)加反走向電兔壓時，P咐N結(jié)青變寬袋，反蹄向漂躬移電觀流較德小，獸反向淡電阻冷較大跑，P翻N結(jié)療處于截止熊狀態(tài)。內(nèi)電場PN+++－－－－－－+++++++++－－－－－－－－－++++++－－－2.船P群N杜結(jié)加站反向宣電壓（反型向偏妖置）P接挨負、兆N接手正反向抗漂移拒電流銜的大布小是呀否與錦溫度溫有關簽？25PN結(jié)的匯伏安獸特性PN扣結(jié)具幅有單向映導電受性，即野正向其導通魂、反棗向截毫止。263.釀PN園結(jié)V-I特性宴表達掩式其中IS——挖反向芬飽和史電流VT——化溫度健的電涂壓當泄量且在居常溫池下（T=3綁00紫K）PN結(jié)的伏安特性27PN售結(jié)的縫反向插擊穿當P歪N結(jié)肢的反述向電斜壓增污加到皮一定寨數(shù)值悠時，饒反向叔電流業(yè)突然弟快速巨增加鋪，此日現(xiàn)象裕稱為副PN降結(jié)的反向許擊穿但。熱擊呼穿—亂—不話可逆雪崩擊穿齊納擊穿電擊穿——可逆28PN諸結(jié)的座電容鉆效應1.氧勢壘鎮(zhèn)電容CB勢壘電容示意圖292.然擴散現(xiàn)電容CD擴散電容示意圖303.當3煩半爬導體鴉二極勾管半導勾體二姿極管帖的結(jié)暈構二極壤管的強伏安篩特性二極莖管的甜參數(shù)31半導符體二塞極管煩的結(jié)湊構將P油N結(jié)冬加上探引線刃和封毒裝，快就成角為一卵個二極扭管。表示姨符號辛：P區(qū)往引出演的線茶稱為陽極（正極），屬用“a”表舊示；N區(qū)姐引出揪的線符稱為陰極（負極），尋用“k”表勞示。k陰極陽極aD按結(jié)構分點接觸型面接觸型按材料分硅管鍺管按用途分普通管整流管…321.揀點接訂觸型張二極燭管PN孔結(jié)面堆積小啞、結(jié)甩電容局小、士正向牌電流塊小。脾用于籃檢波鴨和變圾頻等震高頻卻電路市。金屬觸絲陽極引線N型鍺片陰極引線外殼(a)點接觸型332.逐面接稿觸型冰二極催管鋁合金小球N型硅陽極引線PN結(jié)金銻合金底座陰極引線(b)面接觸型PN威結(jié)面姻積大售、正有向電漏流大景、結(jié)寫電容笛大，考用于握工頻棋大電踐流整紹流電眨路。343.捉平面君型二詠極管陰極引線陽極引線二氧化硅保護層P型硅N型硅(c)平面型往往粗用于怠集成游電路姑制造泉工藝紐奉中。橋PN雪結(jié)干面積因可大慶可小持，用橡于高筋頻整親流和剖開關月電路尺中。35硅管0.吹5V鍺管0.拿1V反向廊擊穿容電壓VBR正向姓壓降VF外加們電壓前大于獄死區(qū)與電壓宵，二向極管磨才能掩導通相。外加繼電壓合大于都反向野擊穿列電壓織，二耗極管枕被擊珠穿，緞失去鞠單向款導電墻性。正向餅特性反向咸特性特點樸：非線侍性硅0.7只V鍺0.2湯VvDiD死區(qū)頸電壓VthPN+–PN–+常溫獨下，面反向電酷流很呼小二極湊管的鑄伏安前特性36硅二極管2CP10的V-I特性鍺二極管2AP15的V-I特性在工桃程實辨踐中擠，為嚷什么濃硅二岡極管候應用建得較判普遍授？硅二文極管思的反必向電欣流一乖般在登納安免(n壤A)恩級；控鍺二蝦極管公的反張向電只流一畫般在字微安印(u芹A)末級。37二極綿管的單連向?qū)Ц怆娦?.毫二極件管加忍正向漂電壓腔（正閃向偏店置，墻陽極面接正拉、陰拾極接角負剩）時平，珠二極蚊管處閣于正臘向?qū)Ю瓮钕稇B(tài)，羽二極塘管正奧向電貝阻較態(tài)小，酸正向五電流銳較大蘿。2.未二極波管加潑反向某電壓畜（反糾向偏證置，歐陽極忌接負皮、陰跡極接廉正拔）時債，趕二極企管處脫于反蔥向截篇止狀帝態(tài)，墳二極概管反脈向電幅阻較答大，構反向師電流巨很小蠶。3.偽外框加電纖壓大趴于反災向擊埋穿電符壓二圍極管芒被擊紹穿，伍失去汁單向乘導電患性。4.躍二曉極管途的反污向電凱流受盆溫度暖的影集響，華溫度兆愈高目反向汽電流縣愈大家。38二極弦管的豆參數(shù)1.位最大另整流川電流IF2.汽反向忌擊穿拔電壓VBR二極咐管長挽期使鈴用時罩，允啄許流棕過二勵極管斬的最燙大正元向平僅均電原流。最高鋸反向餓工作績電壓VRM二極貓管反攻向擊崇穿時饑的電補壓值雹。是保咽證二揭極管堂不被租擊穿進而給辛出的殊反向芒峰值霸電壓設，一都般是庫二極哭管反奴向擊道穿電蒙壓VBR的一嚷半或街三分床之二月。鍺二極管2AP15的V-I特性——浮選凱擇二吊極管夏的依蓄據(jù)393.嘴正育向壓晚降VF鍺二極管2AP15的V-I特性門坎搶電壓找：硅管增0.悔5V伴，鍺管聲0.槐1V綱。導通剖壓降補:硅管拜0.暴7V隱,鍺管姻0.渾2V庭。門坎蹤蝶電壓Vth溫度即升高瞎時，仙二極夢管的便正向拋壓降饅將減日小，簡每增亭加1隊℃，正向便壓降VF大約跨減小路2m圖V，懸即二遙極管裙具有負溫毒度系限數(shù)。404.揮反職向電獲流IR指二求極管凈未擊選穿時尊的反容向電測流。稱反向殘電流補大，彈說明輕管子敬的單賢向?qū)щs電性刺差。5.損極燒間電呀容CJCJ=CD+CB溫度浴對二貫極管密的性與能有福較大屢的影萄響，牢溫度已升高瞞時，匹反向舞電流阿將呈洪指數(shù)航規(guī)律碎增加識。硅誦二極弱管溫鐘度每侄增加度8℃蔽，反急向電園流將喉約增委加一斜倍；利鍺二專極管椒溫度恰每增移加1溝2℃層，反簽向電驕流大介約增鞭加一念倍。413.間4二極間管基躺本電尺路及糟其分碗析方仁法3.慣4.刺2二極臂管電陰路的紡簡化取模型寶分析登方法3.糾4.戚1簡單慘二極鄙管電勸路的宵圖解姨分析牌方法423.矛4.艙1夏簡叢單二克極管仔電路圓的圖主解分傾析方已法二極私管是袍一種般非線儲性器翼件，袋因而移其電登路一犯般要壓采用夕非線癥性電核路的襲分析舍方法蔽，相毀對來介說比情較復慈雜，宿而圖例解分稍析法女則較黎簡單諸，但給前提鋪條件紙是已暑知二環(huán)極管島的V-I特性肺曲線政。43例：電路針如圖逼所示臣，已椅知二荒極管客的V-I特性躬曲線死、電呈源VDD和電梢阻R，求鑄二極炮管兩船端電譯壓vD和流鋤過二好極管智的電膽流iD。解：由電治路的紡KV悼L方混程，胸可得即是一蹈條斜汽率為桑-1硬/R的直園線，腎稱為負載返線Q點稱初為電婆路的工作忌點，Q的坐厲標值飼（VD，ID）即食為所葵求。44將指數(shù)模型分段線性化，得到二極管V-I特性的簡化模型。3.吳4.滿2咬二興極管您電路放的簡黨化模兔型分玩析方頃法1.咸理嫩想模性型正向偏置時的電路模型反向偏置時的電路模型電源朽電壓系遠大棟于二拖極管仔正向登壓降45定性分析：判斷二極管的工作狀態(tài)導通截止如何聯(lián)利用燈二極樂管理愧想模補型分獨析電答路？分析異方法曾：將二餓極管簽斷開均，分喪析二始極管腦兩端鍛電位館的高楊低。若V陽>V陰(豬正向書偏置搏)剃，二巷極管導通若V陽<V陰(澡反向勻偏置棚)憑，二擔極管截止理想由狀況仗下，正向舉導通果時，二浪極管抓可視撈作短路；反向穴截止咐時，二極槍管可憐視作斷路。46例：電路輔如圖釀(a收)所倡示，灶輸入滔電壓vs=1百8希si畫n魚t呀V,乞二抖極管險是理診想的磁，試川畫出海輸出旬電壓vO的波屠形。vs18V在這材里，志二極著管起整流作用撐。470V0V5V0VVCC5VRD1vI1vI2vOD25V5V0V0V5V例：電路劇如圖本，利測用理胃想模戀型求層解，味當vI1和vI2為樸0V步或5V時乒，求vI1和vI2的值搏各種算組合爛情況驢下，賺輸出涉電壓vO的值岔。在這麻里，德二極教管用倚作開關元件炊。482.嚷恒添壓降符模型正向管壓降硅管0.7V鍺管0.2ViD≈逆1m仰A珍或iD>韻1m博A493.達折枝線模誰型死區(qū)電壓硅管0.5V鍺管0.1V50理想峽模型（R=10k）（1）VDD=10V時恒壓壩降模襖型（硅二極管典型值）折線潛模型（硅二極管典型值）設例：電路我如圖鋤，R=椒10運kΩ聽，二賺極管竟為硅脖二極掃管。曉分別蛇用理馬想模絲式型、唐恒壓淚降模易型和襲折線映模型倡求解皮，當驗(1點)VDD=糧10哭V，駛(較2)VDD=巡壽1V走時，ID和VD的值芹。51恒壓爛降模蠻型（硅二極管典型值）折線粘模型（硅二極管典型值）設理想把模型（R=10k）（2）VDD=1V時52例：限幅造電路如圖鑰，R=濫1k衰Ω，VRE腰F=表3V罩，二聯(lián)極管喝為硅贊二極眠管。呈分別鐵用理白想模版型和什恒壓柔降模骨型求嘗解，盒當vi=繼6s撐intV時將，繪頂出相荒應的扛輸出辭電壓vo的波濕形。理想錢模型uO-+DVREFuI-+RuO-+VREFuI-+R53恒壓滋模型uO-+VFVREFuI-+RuO-+DVREFuI-+RuO-+VFVREFuI-+R544.斯小蔽信號障模型vs=歲0糾時,Q點稱貸為靜態(tài)雹工作刮點，反餅映直績流時宣的工倆作狀嶼態(tài)。vs=Vmsi佳nt時（Vm<<VDD）,雞將Q點附霜近小塵范圍蘭內(nèi)的監(jiān)V-領I獵特性線性呆化，即上以Q點為非切點樸作一嘆條直拼線，顛得到小信厲號模叛型。55二極梨管工闊作在穩(wěn)正向勻特性辱的某托一小恐范圍廁內(nèi)時亂，其音正向綠特性恭可以甘等效證成一染個微頌變電就阻。即根據(jù)得Q突點處普的微瘋變電眠導則常溫撇下（T=3窗00成K）特別注意：

小信號模型中的微變電阻rd與靜態(tài)工作點Q有關。該模型用于二極管處于正向偏置條件下，且vD>>VT。

56如何女利用拉二極首管小說信號神模型泛分析渾電路百？1、怪判斷憑二極賞管是從否工當作于正向碧導通倚狀態(tài)；2、規(guī)分析百電路摧的靜獸態(tài)工禾作情性況，挽求得靜態(tài)怎工作甩點Q；3、滑根據(jù)梯靜態(tài)砍工作猴點Q計算曾出微變梢電阻rd；4、濱根據(jù)溪小信早號模杏型的交流儲通路，計享算出彩交流純小信常號作尊用下士電路凈的交摘流電冷壓、慣電流苦；5、觸將交悉流量朝與靜吉態(tài)直亦流量轎疊加城，得鬧到電女壓、確電流總量。57小信虹號工司作情梁況分摘析例：圖示枕電路桐中，VDD=敵5V下，R=肝5k，恒臂壓降侮模型血的VD=0因.7砌V，vs=驗0.例1s穴inwtV。水（1督）求荒輸出頭電壓vO的交揚流量膀和總琴量；父（2征）繪妻出vO的波文形。5859直流江通路、交流容通路、靜態(tài)、動態(tài)等概粉念，路在放廣大電刮路的芬分析宏中非總常重售要。二極狐管的賺用途導：整流蒙、限擦幅、晴開關旨、低傲電壓然穩(wěn)壓青、檢持波、倘鉗位萍、隔帶離、饞元件密保護訓、溫網(wǎng)度補旦償?shù)却健?03.姐5周特匯殊二都極管穩(wěn)壓嶺二極察管光電睜子器薯件1.燃光電軌二極瞧管2.頁發(fā)光膝二極竟管613.盈5.般1琴穩(wěn)匪壓二疊極管表示守符號還：穩(wěn)壓它二極悄管是一查種特爸殊的穿面接憂觸型艦二極蝕管。質(zhì)它在爪電路份中常鞋實現(xiàn)堤穩(wěn)定幟電壓弱的作富用。+-陰極陽極DZ621.駐伏安傅特性-VZ-IZ(截mi弊n)-IZ(慈ma材x)VZIZvDiDO1）正向揪特性勝：同普隨通二蝕極管2）反向器擊穿初特性施：a、反向決擊穿伙特性余曲線悟比普驕通二撤極管沒更陡晴一些煤，即較大送的I較小層的Vb、再在一掙定的語范圍膜內(nèi)，錫反向碎擊穿它具有裳可逆武性穩(wěn)壓歸二極測管穩(wěn)罪壓時憂工作省在反寒向電等擊穿創(chuàng)狀態(tài)枝，利柴用其憲反向鮮擊穿捉特性端實現(xiàn)裝穩(wěn)壓創(chuàng)。擊穿加區(qū)-VZ0-IZT63-VZ-IZ(min)-IZ(max)VZIZvDiDO-VZ0-IZTQ2.亮簡化詞模型64(1攤)情穩(wěn)定已電壓VZ在規(guī)兄定的寶穩(wěn)壓閉管反光向工文作電津流IZT下，予所對盾應的建反向忽工作織電壓票。(2叛)漏最大攜穩(wěn)定撲工作臥電流IZ(艙ma延x)3.樂主洋要參絞數(shù)最小飾穩(wěn)定蘇工作浩電流IZ(票mi擺n)-VZ-IZ(min)-IZ(max)VZIZvDiDO-VZ0-IZT若I<Iz(交mi砌n)，則日不能損穩(wěn)壓若I>Iz(車ma紀x)，則購穩(wěn)壓杏管會晶過熱鍛損壞65(3私)破動態(tài)耳電阻rZrZ=VZ/IZ(4博)渣最大摘耗散槍功率PZM(5酷)膚穩(wěn)定借電壓匪溫度礙系數(shù)豆——VZ3.悟主攤要參雞數(shù)保證須穩(wěn)壓匆管不壩發(fā)生禮熱擊蠢穿的車最大刮功率足損耗PZM=VZIZm單ax-VZ-IZ(min)-IZ(max)VZIZvDiDO-VZ0-IZTQrZ越小麥，說某明穩(wěn)緞壓管形穩(wěn)壓左特性語越好664.趨穩(wěn)迫壓電碌路并聯(lián)式穩(wěn)壓電路當電巾源波裂動或成負載頁電流捎的變船化引兇起Vo變化濫時：VOVZVO=VI-VRIZ緣瑞IR=(IZ+IO)VR=IRR正常陷穩(wěn)壓好時：VO=VZ穩(wěn)壓北條件因是什晴么？IZm克in≤IZ≤IZm拴ax不加R可以錘嗎？R移到懶穩(wěn)壓略管后章面可箱以嗎溉？注：痛穩(wěn)壓