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推舉精選推舉精選存儲器的進展史〔內(nèi)存〔外存。斷電,數(shù)據(jù)就會喪失。進展史分為七個階段:存儲器設(shè)備進展之汞延遲線1950年,世界上第一臺具有存儲程序功能的計算機EDVAC由馮.諾依曼博可存入計算機中。UNIVAC-I存儲器設(shè)備進展之磁帶線路來提高系統(tǒng)的牢靠性,并最先進展了自動編程的試驗?!矓?shù)據(jù)流〕DLTLTOPB,可以實現(xiàn)控和統(tǒng)計,整個數(shù)據(jù)存貯存份過程完全擺脫了人工干預(yù)。磁帶庫不僅數(shù)據(jù)存儲量大得多,而且在備份效率和人工占用方面擁有無可比較網(wǎng)絡(luò)ERP存儲器設(shè)備進展之磁鼓1953年,隨著存儲器設(shè)備進展,第一臺磁鼓應(yīng)用于IBM701,它是作為內(nèi)了根底。磁盤的兩面都利用來存儲,明顯利用率要高得多。因此,當(dāng)磁盤消滅后,磁鼓就被淘汰了。存儲器設(shè)備進展之磁芯特則將這一思想變成了現(xiàn)實。瓷專家,利用熔化鐵礦和氧化物獵取了特定的磁性質(zhì)。儲器〔RAM〕,在存儲器設(shè)備進展歷程中它是交互式計算的革概念。福雷斯特1500萬~2023萬美元。最先獲得這些專利許可證的是IBM,IBM最終獲得了在北美防衛(wèi)軍事基地安2050初,始終是計算機主存的標(biāo)準方式。存儲器設(shè)備進展之磁盤IBM1956IBM350RAMAC〔RandomAccessMethodofAccountingandControl〕。這套系統(tǒng)的總50241968徹斯特/Winchester”技術(shù),其要點是將高速旋轉(zhuǎn)的磁盤、磁頭及其尋道機構(gòu)等全部密封在一個無塵的封閉體中,形成一個頭盤組合件〔HDA〕,與外界環(huán)境隔實行接觸起停,這是現(xiàn)代絕大多數(shù)硬盤的原型。1979,IBM進一步減輕了磁頭重量,使更快的存取速度、更高的存儲密度成為可能。2080,IBMMR〔MagnetoResistive)磁阻磁頭,這種磁頭在讀取數(shù)據(jù)時對信號變化相當(dāng)敏感,用了MR1GB,從今,硬盤容量開頭進入了GB數(shù)IBMPRML〔PartialResponseMaximumLikelihood〕的信號讀取技術(shù),使信號檢測的靈敏度大幅度提高,從而可以大幅度提高記錄密度。100Gb閃存芯片難以擔(dān)當(dāng)?shù)拇笕萘恳苿哟鎯︻I(lǐng)域,微硬盤可大顯身手。目前尺寸為11廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機、MP3另一種磁盤存儲設(shè)備是軟盤,從早期的8英寸軟盤、5.25英寸軟盤到3.5英寸軟盤,主要為數(shù)據(jù)交換和小容量備份之用。其中,3.51.44MB2024MB100MB200MBUSB和小容量備份的統(tǒng)治地位已經(jīng)動搖,不久會退出存儲器設(shè)備進展歷史舞臺。存儲器設(shè)備進展之光盤光盤主要分為只讀型光盤和讀寫型光盤。只讀型指光盤上的內(nèi)容是固定的,CD-ROM、CD-R/WDVD-ROM放信息的爭論。1972年,他們的爭論獲得了成功,1978年投放市場。最初的產(chǎn)品就是大家所熟知的激光視盤〔LD,LaserVisionDisc〕系統(tǒng)。激光唱盤、CD-ROM。下面簡潔介紹這三個存儲器設(shè)備進展階段性的產(chǎn)品特點。LD-激光視盤,就是通常所說的LCD,直徑較大,為12英寸,兩面都可以記FM〔FrequencyModulation〕頻率調(diào)制、0.5CD-DA激光唱盤LD的開發(fā)和制作一開頭就陷入昂貴的資金投入中。1982標(biāo)準。由此,一種型的激光CD-DA激光唱盤記錄音響的方法與LD系統(tǒng)不同,CD-DA激光唱盤系脈沖編碼調(diào)制14〕編碼之后記錄到盤上。數(shù)字記錄代替模擬記錄的好處是,對干擾和噪聲不敏感,由于盤本身的缺陷、劃傷或沾污而引起的錯誤可以校正。CD-DACD-DACD-DA必需解決兩個重要問題,即建立適合于計算機讀寫的盤的數(shù)據(jù)構(gòu)造,以及CD-DA10-910-12CD-ROM(YellowBook)標(biāo)準。這個標(biāo)準的核心思想是,盤上的數(shù)據(jù)以數(shù)據(jù)塊的形式來組CRC,錯誤校正承受里德-索洛蒙(ReedCD-ROMISO9660。80WORM光盤、磁光盤〔MO〕、相變光盤〔PhaseChangeDisk,PCD〕等品種。2090,DVD-ROM、CD-R、CD-R/W標(biāo)準存儲設(shè)備。光盤技術(shù)進一步向高密度進展,藍光光盤是不久將推出的下一代高密度光5場。存儲器設(shè)備進展之納米存儲1=1100.0551199810~100119881997有寬闊的應(yīng)用前景。操縱單個原子,研制出原子級的硅記憶材料,其存儲信息的密度是目前光盤的原子中間隔抽出硅原子,被抽空的局部代表“0”,余下的硅原子則代表“1”,這就形成了相當(dāng)于計算機晶體管功能的原大。這可使將來計算機微型化,且存儲信息的功能更為強大。存儲器進展趨勢存儲器芯片按存取方式(讀寫方式)可分為隨機存取存儲器芯片(RAM)和只讀存儲器芯片(ROM)。ROM一般用于存放固定的程序,如監(jiān)控程序、匯編程序等,以及存放各種表格。RAM換信息和作堆棧用。它的存儲單元依據(jù)具體需要可以讀出,也可以寫入或改寫。RAMRAMMOSRAMRAMMOSRAMRAMRAM而本錢也低,適于作大容量存儲器。EPROMEEPROMSRAMDRAMFLASH、MASKROM和FRAM等。存儲器技術(shù)是一種不斷進步的技術(shù),隨著各種特地應(yīng)用不EEPROM,它
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