MMIC項目建設(shè)方案課件

前言一、砷化鎵（GaAs）半導體概況（1）國外砷化半體行于

1957年10月射了全世界第一Sputnik人造星，其中子系相關(guān)目是其中重要的一個部分。子系是國防子的重要依，從

1958年開始，在微系技域啟了砷化IC技及硅大型體路兩個重要目。砷化目商化的自

1988至1995年行的

MIMIC目，涵蓋范包括材料、制程、模、封裝等量化的，并將砷化件從原先復的分離器件成方展成集成路，美國一直到今日仍然是砷化的地位。一、砷化鎵（GaAs）半導體概況（2）國內(nèi)砷化半體行中國從上世60年代初開始研制砷化，近年來，隨著中科稼英半體有限公司、北京圣科有限公司相成立，中國的新世代半體上新臺，走向更快的展道路。中科英公司成功拉制出中國第一根6.4公斤5英寸LEC法大直徑砷化晶；信部

46所生出中國第一根6英寸砷化晶，晶重

12kg，并已出

6根6英

寸

砷

化

晶；西安理工大在高晶爐上重

元技研方面取得了突破性的展。目前中國GaAs材料晶以2～3英寸主，4英

寸

在

化前期，研制水平達

6英寸，4英寸以上芯片及集成路GaAs芯片主要依口。砷化生主要原材料砷和，主要用于生光子器件。集成路用砷化材料的砷和原料要求達

7N，基本靠口解決。中國國內(nèi)GaAs材料主要生包括中科英、有研硅股、信部子

46所、子13所、子55所等。二、市場分析（1）1、砷化半體用域市砷化半體廣泛運用于高及無通(主要超1GHz以上的率)，激光器、無通信、光通信、移通信、

GPS全球航等域。砷化材料的用域主要分微子域和光子

域

。在微子域中，主要用于制作無通（星通、移通）、光通、子等用的微波器件。砷化下游--砷化集成路市平均增近年都在

40%以上。砷化芯片是手機中重要關(guān)性零部件，隨著通網(wǎng)路的建構(gòu)與普及而需求大增，砷化芯片的需求量也會愈來愈大。整個移通技第四代（

4G）的迅猛展，

也伴隨著MMIC的快速展。二、市分析（2）附錄表1

擬建項目產(chǎn)品主要應用領(lǐng)域及規(guī)格主要應用領(lǐng)域產(chǎn)品規(guī)格56%

PAE

for

GSM全球移動通信系統(tǒng)（GSM）和分散控制系統(tǒng)（DCS）應用53%

for

DCSABVSWR>10:139.1%

PAE

@

28dBma

great

ACPR

margin

of-10dBc功率增益27dBCDMA

DCS

(825MHz)

應用，3.3V動力試驗二、市分析（3）￠

MMIC市場每年以40%的成長率增加。2011年有70億顆的需求而預計2015年有200億顆￠

六吋晶圓的需求:2011年為90萬片(每月7.5萬片)，2015年200萬片(每月16.7萬片)￠

主力市場在于手機、智能型手機與平板計算機對于MMIC芯片的急速需求￠

主要的MMIC需求:

HBTPA(主力)與BiHEMT(成長中)￠

目前主要客戶群如skyworks,Avago與Renesas等全球砷化鎵mmic市場趨勢預估24005040302000Total

Market16001200MMIC

Market

forNew

SuppliersMarket

Share

forNew

Suppliers2080040001002009

2010

2011

2012

2013

2014

2015

2016YearRef.

StrategyAnalyticsConfidential全球砷化鎵mmic代工市場趨勢預估(只以hbtmmic價格評估)3000502400180012006000403020100Total

MarketMarket

forNew

SuppliersMarket

Share

forNew

Suppliers2009

2010

2011

2012

2013

2014

2015

2016YearNote:實際全球砷化鎵組件產(chǎn)值在2011

年為58

億美元(此包括高單價pHEMT,

HBT

MMIC芯片與封裝)附錄表1-1

半導體材料的分類及其應用表材料名稱制作器件二極管、晶體管集成電路主要用途通訊、雷達、廣播、電視、自動控制各種計算機、通訊、廣播、自動控制、電子鐘表、儀表整流整流器硅晶閘管整流、直流輸配電、電氣機車、設(shè)備自控、高頻振蕩器原子能分析、光量子檢測太陽能發(fā)電射線探測器太陽能電池各種微波管激光管雷達、微波通訊、電視、移動通訊光纖通訊小功率/高功率紅（外）光源磁場控制紅（外）發(fā)光管霍爾組件砷化鎵激光調(diào)制器高速集成電路太陽能電池xxxxxxxx納米IC激光通訊高速計算機、移動通訊太陽能發(fā)電xxxxxxxxIC組件激光器件光學存儲、激光打印機、醫(yī)療、軍事應用信號燈、視頻顯示、微型燈泡、移動電話分析儀器、火焰檢測、臭氧監(jiān)測發(fā)光二極管紫外探測器集成電路xxxxxxxx納米IC發(fā)光二極管整流器、晶閘管氮化鎵通訊基站（功放器件）、永遠性內(nèi)存、電子開光、導彈xxxxxxxxIC組件信號燈、視頻顯示、微型燈泡、移動電話超高功率器件、國防應用碳化硅建設(shè)規(guī)模1、模確定的依據(jù)公司根據(jù)品生技的先性及成熟性，品的用范和國內(nèi)外市需求，作確定本目品生模的重要依據(jù)，體

：（1）目品市的需求；（2）目品的技性能、市定位及品的爭能力；（3）公司展劃及未來展（4）合企自身的合能力、人力、技、管理水平、金的來源，原材料和能源的作配套條件等情況的合

考

。建設(shè)規(guī)模2、建根據(jù)上述依據(jù)，公司通本目的建，建砷化芯片生1條，可形成年砷化芯片

18萬片的生模。建砷化外延片生1條，可年砷化外延片

6萬片；3、投金本案投15人民，其中土建、廠工程施3人民；及其他12人民。4、效益本目達,估占全球市占率10-15%，估年可達

24.3元。利潤平均35%以上毛利率，3~5年即達損益平衡。三、產(chǎn)品方案1、產(chǎn)品生產(chǎn)大綱本項目主要生產(chǎn)砷化鎵芯片，根據(jù)原料來源的不同，分為專用芯片和普通芯片，專用芯片是外購砷化鎵芯片，經(jīng)外延加工、芯片生產(chǎn)二個加工過程，普通芯片是外購經(jīng)過外延的砷化鎵芯片，直接進行芯片加工生產(chǎn)。項目產(chǎn)品線寬在0.2微米以下，初步確定產(chǎn)品方案如下表。附表1-2品方案序號代表產(chǎn)品名稱規(guī)格單位萬片萬片萬片產(chǎn)量6備注1

專用砷化鎵芯片2

普通砷化鎵芯片**

合計6寸6寸1824附表1-3

半導體產(chǎn)業(yè)鏈及本項目工藝范圍-子遷移速度高-耐高溫四、產(chǎn)品主要特點-抗照附1-5

化合物半體附1-4

硅元素半體的石構(gòu)五、項目建成影響（1）（1）目建有助于我國半體行新的突破目前4英寸以上芯片及集成路GaAs芯片主要依口。本目技在微波通域于世界先的地位，技自主研，技有能力以自行、改裝生GaAs芯片，從外延、芯片生均可在廠內(nèi)完成，高度垂直整合布局在全球同中取得相當爭可充分公司的技研，通引高素技人才，確保公司技新的高效率和研工作的高水平。本目品主要用于全球移通信系（

GSM）、分散控制系（DCS）以及CDMADCS(825MHz)等高端市。五、項目建成影響（2）（2）有助于促我國通行的快速展

:整個移通技的展與

GaAs材料的技步與需求是相相成的。目前第四代（

4G）的通品已推向市，

4G通的快速展要求半體芯片有

高、高功率、高效率、低噪聲指數(shù)等更異的氣特性。砷化半體芯片技，以它基材料制成的集成路，其工作速度可比目前硅集成路高一個數(shù)量。四、MMIC品用

及品技種與用市場應用高光發(fā)電效率高頻,

高速特性HBT/HEMT/BiHEMTMMICSOLARCELLLD/LED/PIN組件技術(shù)應用Military光纖通訊Others6%4%Consumer10%光源地面發(fā)電無線通信汽車雷達有線電視WirelessComm.62%儲光數(shù)據(jù)

存

衛(wèi)星發(fā)電Fiber

OpticalComm.18%商務衛(wèi)星通信半導體技術(shù)及特性?電子遷移速率快?高崩潰電壓?

耐高溫?

發(fā)光,

抗輻射?

高光發(fā)電效率VSATVSAT汽車防撞雷達系統(tǒng)汽車防撞雷達系統(tǒng)智能型手機iPhone,

HTC..iPhone,

HTC..LMDSLMDS砷化鎵ConfidentialThis

document

is

consider

“Hansemi

Corp.”,

Confidential

and

Proprietary”Confidential第二節(jié)

工藝技術(shù)方案1、技術(shù)選擇的原則（1）安全與穩(wěn)定的原則工藝技術(shù)的先進性決定產(chǎn)品生產(chǎn)質(zhì)量及產(chǎn)品市場的競爭力，流程性生產(chǎn)過程必須滿足生產(chǎn)安全性、運行穩(wěn)定性要求。（2）設(shè)備配置合理，與規(guī)模相適應的原則生產(chǎn)工藝和生產(chǎn)設(shè)備的選擇還必須針對生產(chǎn)規(guī)模、產(chǎn)品加工工藝特性要求，采用合理的工藝流程，配備先進的生產(chǎn)設(shè)備，使工藝流程、設(shè)備配置、生產(chǎn)能力與生產(chǎn)規(guī)模及產(chǎn)品質(zhì)量相匹配，力求技術(shù)先進的同時，經(jīng)濟上合理。（3）堅持節(jié)能、環(huán)保與安全生產(chǎn)的原則項目建設(shè)中所采用的工藝技術(shù)體現(xiàn)“以人為本”的原則，確保安全生產(chǎn)和清潔生產(chǎn)的需要，有利于環(huán)境的保護，不對生產(chǎn)區(qū)內(nèi)外環(huán)境質(zhì)量構(gòu)成危險性或威脅性影響。盡量采用節(jié)能、生產(chǎn)污染少的生產(chǎn)工藝和技術(shù)裝備，從源頭上消除和控制污染源、減少污染量，嚴格貫徹“三同時”原則，搞好三廢治理。2、砷化鎵半導體的技術(shù)發(fā)展半體微波通技展已有半個世，隨著無通的蓬勃展，臺灣在

90年代后期先后從美、日兩國引一些技和成數(shù)家上、中游的公司，當包括了外延技用的達、全新和芯片制造的尚達、懋、GCT、宏捷等。并且目前全新和懋在外延和芯片代工都排在全球數(shù)一數(shù)二的地位。近年我國隨著改革開放所來的，以及全球手機與手持裝置無通品的速展，啟了大的移通市，也了通下游系、服的蓬勃展，建立了部分上游材料基板，

在

品

能力也快速成。3-1、本項目技術(shù)來源（1）技術(shù)要求本項目為流程性生產(chǎn)，主要分為砷化鎵外延片的制造、砷化鎵芯片組件的制造二個部分。-

砷化鎵外延片制造砷化鎵外延片的結(jié)構(gòu)非常復雜，單層材料的厚度可以薄至數(shù)十或數(shù)納米，而每層之間的摻雜型態(tài)和濃度可能有快速的變化，因此無法以傳統(tǒng)擴散方式來達成，而必須使用外延生長來取得外延芯片。-

組件制造復雜的組件結(jié)構(gòu)對芯片制造