半導(dǎo)體二極管

半導(dǎo)體二極管第1頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一1.1半導(dǎo)體的基本知識(shí)

在物理學(xué)中。根據(jù)材料的導(dǎo)電能力，可以將他們劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。典型的半導(dǎo)體是硅Si和鍺Ge，它們都是4價(jià)元素。硅原子鍺原子硅和鍺最外層軌道上的四個(gè)電子稱(chēng)為價(jià)電子。第2頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一

本征半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)束縛電子在絕對(duì)溫度T=0K時(shí)，所有的價(jià)電子都緊緊束縛在共價(jià)鍵中，不會(huì)成為自由電子，因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱，接近絕緣體。一.本征半導(dǎo)體

本征半導(dǎo)體——化學(xué)成分純凈的半導(dǎo)體晶體。制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料的純度要達(dá)到99.9999999%，常稱(chēng)為“九個(gè)9”。第3頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一

這一現(xiàn)象稱(chēng)為本征激發(fā)，也稱(chēng)熱激發(fā)。當(dāng)溫度升高或受到光的照射時(shí)，束縛電子能量增高，有的電子可以?huà)昝撛雍说氖`，而參與導(dǎo)電，成為自由電子。自由電子+4+4+4+4+4+4+4+4+4

自由電子產(chǎn)生的同時(shí)，在其原來(lái)的共價(jià)鍵中就出現(xiàn)了一個(gè)空位，稱(chēng)為空穴?？昭ǖ?頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一

可見(jiàn)本征激發(fā)同時(shí)產(chǎn)生電子空穴對(duì)。

外加能量越高（溫度越高），產(chǎn)生的電子空穴對(duì)越多。

動(dòng)畫(huà)演示

與本征激發(fā)相反的現(xiàn)象——復(fù)合在一定溫度下，本征激發(fā)和復(fù)合同時(shí)進(jìn)行，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。電子空穴對(duì)的濃度一定。常溫300K時(shí)：電子空穴對(duì)的濃度硅：鍺：自由電子+4+4+4+4+4+4+4+4+4空穴電子空穴對(duì)第5頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一半導(dǎo)體中有兩種載流子:自由電子和空穴自由電子空穴第6頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一自由電子帶負(fù)電荷逆電場(chǎng)運(yùn)動(dòng)電子流動(dòng)畫(huà)演示+4+4+4+4+4+4+4+4+4自由電子E＋－＋總電流載流子空穴帶正電荷順電場(chǎng)運(yùn)動(dòng)空穴流本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性取決于外加能量：溫度變化，導(dǎo)電性變化；光照變化，導(dǎo)電性變化。導(dǎo)電機(jī)制第7頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一在外電場(chǎng)作用下，電子的定向移動(dòng)形成電流++++++++--------第8頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一在外電場(chǎng)作用下，空穴的定向移動(dòng)形成電流++++++++--------第9頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一1.本征半導(dǎo)體中載流子為電子和空穴;2.電子和空穴成對(duì)出現(xiàn),濃度相等;3.由于熱激發(fā)可產(chǎn)生電子和空穴,因此半導(dǎo)體的導(dǎo)電性和溫度有關(guān),對(duì)溫度很敏感?？偨Y(jié)第10頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一二.雜質(zhì)半導(dǎo)體

在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量雜質(zhì)元素后的半導(dǎo)體稱(chēng)為雜質(zhì)半導(dǎo)體。1.

N型半導(dǎo)體

在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)雜質(zhì)元素，例如磷，砷等，稱(chēng)為N型半導(dǎo)體。

第11頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一N型半導(dǎo)體多余電子磷原子硅原子多數(shù)載流子——自由電子少數(shù)載流子——空穴++++++++++++N型半導(dǎo)體施主離子自由電子電子空穴對(duì)第12頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一

在本征半導(dǎo)體中摻入三價(jià)雜質(zhì)元素，如硼、鎵等。多數(shù)載流子——空穴少數(shù)載流子——自由電子－－－－－－－－－－－－P型半導(dǎo)體受主離子空穴電子空穴對(duì)2.

P型半導(dǎo)體硼原子硅原子第13頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意圖++++++++++++N型半導(dǎo)體多子—電子少子—空穴－－－－－－－－－－－－P型半導(dǎo)體多子—空穴少子—電子少子濃度——本征激發(fā)產(chǎn)生，與溫度有關(guān)多子濃度——摻雜產(chǎn)生與，溫度無(wú)關(guān)第14頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一內(nèi)電場(chǎng)E因多子濃度差形成內(nèi)電場(chǎng)多子的擴(kuò)散空間電荷區(qū)

阻止多子擴(kuò)散，促使少子漂移。PN結(jié)合空間電荷區(qū)多子擴(kuò)散電流少子漂移電流耗盡層三.PN結(jié)及其單向?qū)щ娦?/p>

1.PN結(jié)的形成

第15頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一

動(dòng)畫(huà)演示少子漂移補(bǔ)充耗盡層失去的多子，耗盡層窄，E多子擴(kuò)散又失去多子，耗盡層寬，E內(nèi)電場(chǎng)E多子擴(kuò)散電流少子漂移電流耗盡層動(dòng)態(tài)平衡：擴(kuò)散電流＝漂移電流總電流＝0勢(shì)壘UO硅0.5V鍺0.1V第16頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一2.PN結(jié)的單向?qū)щ娦?1)加正向電壓（正偏）——電源正極接P區(qū)，負(fù)極接N區(qū)

外電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)方向相反。

外電場(chǎng)削弱內(nèi)電場(chǎng)→耗盡層變窄→擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)＞漂移運(yùn)動(dòng)→多子擴(kuò)散形成正向電流IF正向電流

第17頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一(2)加反向電壓——電源正極接N區(qū)，負(fù)極接P區(qū)

外電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)方向相同。

外電場(chǎng)加強(qiáng)內(nèi)電場(chǎng)→耗盡層變寬→漂移運(yùn)動(dòng)＞擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)→少子漂移形成反向電流IRPN

在一定的溫度下，由本征激發(fā)產(chǎn)生的少子濃度是一定的，故IR基本上與外加反壓的大小無(wú)關(guān)，所以稱(chēng)為反向飽和電流。但I(xiàn)R與溫度有關(guān)。

第18頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一

PN結(jié)加正向電壓時(shí)，具有較大的正向擴(kuò)散電流，呈現(xiàn)低電阻，PN結(jié)導(dǎo)通；

PN結(jié)加反向電壓時(shí)，具有很小的反向漂移電流，呈現(xiàn)高電阻，PN結(jié)截止。

由此可以得出結(jié)論：PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。?9頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一3.PN結(jié)的伏安特性曲線(xiàn)及表達(dá)式

根據(jù)理論推導(dǎo)，PN結(jié)的伏安特性曲線(xiàn)如圖正偏I(xiàn)F（多子擴(kuò)散）IR（少子漂移）反偏反向飽和電流反向擊穿電壓反向擊穿熱擊穿——燒壞PN結(jié)電擊穿——可逆第20頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一

根據(jù)理論分析：u為PN結(jié)兩端的電壓降i為流過(guò)PN結(jié)的電流IS為反向飽和電流UT=kT/q

稱(chēng)為溫度的電壓當(dāng)量其中k為玻耳茲曼常數(shù)

1.38×10－23q

為電子電荷量1.6×10－9T為熱力學(xué)溫度對(duì)于室溫（相當(dāng)T=300K）則有UT=26mV。當(dāng)u>0u>>UT時(shí)當(dāng)u<0|u|>>|UT

|時(shí)第21頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一4.PN結(jié)的電容效應(yīng)

當(dāng)外加電壓發(fā)生變化時(shí)，耗盡層的寬度要相應(yīng)地隨之改變，即PN結(jié)中存儲(chǔ)的電荷量要隨之變化，就像電容充放電一樣。

(1)勢(shì)壘電容CB第22頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一(2)擴(kuò)散電容CD

當(dāng)外加正向電壓不同時(shí)，PN結(jié)兩側(cè)堆積的少子的數(shù)量及濃度梯度也不同，這就相當(dāng)電容的充放電過(guò)程。電容效應(yīng)在交流信號(hào)作用下才會(huì)明顯表現(xiàn)出來(lái)極間電容（結(jié)電容）第23頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一1.2半導(dǎo)體二極管二極管=PN結(jié)+管殼+引線(xiàn)NP結(jié)構(gòu)符號(hào)陽(yáng)極+陰極-第24頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一

二極管按結(jié)構(gòu)分三大類(lèi)：(1)點(diǎn)接觸型二極管

PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。第25頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一(3)平面型二極管

用于集成電路制造工藝中。PN結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開(kāi)關(guān)電路中。(2)面接觸型二極管

PN結(jié)面積大，用于低頻大電流整流電路。第26頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一半導(dǎo)體二極管的型號(hào)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)半導(dǎo)體器件型號(hào)的命名舉例如下：2AP9用數(shù)字代表同類(lèi)器件的不同規(guī)格（序號(hào)）。代表器件的功能類(lèi)別，P為普通管，Z為整流管，K為開(kāi)關(guān)管。代表器件的材料和類(lèi)型，A為N型Ge，B為P型Ge，C為N型Si，D為P型Si。2代表二極管，3代表三極管。第27頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一第28頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一

一、半導(dǎo)體二極管的V—A特性曲線(xiàn)

硅：0.5V

鍺：

0.1V(1)正向特性導(dǎo)通壓降反向飽和電流(2)反向特性死區(qū)電壓擊穿電壓UBR實(shí)驗(yàn)曲線(xiàn)uEiVmAuEiVuA鍺硅：0.7V鍺：0.3V第29頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一二.二極管的模型及近似分析計(jì)算例：IR10VE1kΩD—非線(xiàn)性器件iuRLC—線(xiàn)性器件第30頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一二極管的模型DU串聯(lián)電壓源模型UD二極管的導(dǎo)通壓降。硅管0.7V；鍺管0.3V。理想二極管模型正偏反偏導(dǎo)通壓降二極管的V—A特性第31頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一二極管的近似分析計(jì)算IR10VE1kΩIR10VE1kΩ例：串聯(lián)電壓源模型測(cè)量值9.32mA相對(duì)誤差理想二極管模型RI10VE1kΩ相對(duì)誤差0.7V第32頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一例：二極管構(gòu)成的限幅電路如圖所示，R＝1kΩ，UREF=2V，輸入信號(hào)為ui。

(1)若ui為4V的直流信號(hào)，分別采用理想二極管模型、理想二極管串聯(lián)電壓源模型計(jì)算電流I和輸出電壓uo解：（1）采用理想模型分析。

采用理想二極管串聯(lián)電壓源模型分析。第33頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一（2）如果ui為幅度±4V的交流三角波，波形如圖（b）所示，分別采用理想二極管模型和理想二極管串聯(lián)電壓源模型分析電路并畫(huà)出相應(yīng)的輸出電壓波形。解：①采用理想二極管模型分析。波形如圖所示。0-4V4Vuit2V2Vuot第34頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一02.7Vuot0-4V4Vuit2.7V

②采用理想二極管串聯(lián)電壓源模型分析，波形如圖所示。第35頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一三.二極管的主要參數(shù)

(1)最大整流電流IF——二極管長(zhǎng)期連續(xù)工作時(shí)，允許通過(guò)二極管的最大整流電流的平均值。(2)反向擊穿電壓UBR———

二極管反向電流急劇增加時(shí)對(duì)應(yīng)的反向電壓值稱(chēng)為反向擊穿電壓UBR。

(3)反向電流IR——

在室溫下，在規(guī)定的反向電壓下的反向電流值。硅二極管在納安(nA)級(jí)；鍺二極管在微安(A)級(jí)。第36頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一當(dāng)穩(wěn)壓二極管工作在反向擊穿狀態(tài)下,工作電流IZ在Izmax和Izmin之間變化時(shí),其兩端電壓近似為常數(shù)穩(wěn)定電壓四、穩(wěn)壓二極管

穩(wěn)壓二極管是應(yīng)用在反向擊穿區(qū)的特殊二極管（面結(jié)型、硅、高摻雜）正向同二極管反偏電壓≥UZ

反向擊穿＋UZ－限流電阻第37頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓原理UoDZRILUiRLIRIZIR=IZ+IC(1)UiUoIZIRURUo(2)UiUoIZIRURUo(3)Ui不變RLRLILIRUoIZIZ=IL總電流不變，輸出電壓不變第38頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一

穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)

(1)穩(wěn)定電壓UZ——(2)動(dòng)態(tài)電阻rZ——

在規(guī)定的穩(wěn)壓管反向工作電流IZ下，所對(duì)應(yīng)的反向工作電壓。

rZ=U

/I

rZ愈小，反映穩(wěn)壓管的擊穿特性愈陡,穩(wěn)壓性能越好。

(3)最小穩(wěn)定工作電流IZmin——

保證穩(wěn)壓管擊穿所對(duì)應(yīng)的電流，若IZ＜IZmin則不能穩(wěn)壓。

(4)最大穩(wěn)定工作電流IZmax——

超過(guò)Izmax穩(wěn)壓管會(huì)因功耗過(guò)大而燒壞。第39頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一使用穩(wěn)壓二極管的注意事項(xiàng)（1）必須工作在反向擊穿狀（2）流過(guò)穩(wěn)壓管的電流在IZ和IZM之間（3）穩(wěn)壓管可以串聯(lián)使用，串聯(lián)后穩(wěn)壓值為各管穩(wěn)壓值之和。不能并聯(lián)使用串聯(lián)使用舉例課本p/10（5）溫度系數(shù)ɑ可正可負(fù)，4-7伏最小。第40頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一五光電二極管結(jié)構(gòu)與工作原理:光電二極管又叫光敏二極管，它是一種將光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)的器件。其結(jié)構(gòu)與普通二極管相似，只是管殼上留有一個(gè)能入射光線(xiàn)的窗口。

光電二極管工作在反偏狀態(tài)下，當(dāng)無(wú)光照時(shí)，與普通二極管一樣，反向電流很小，稱(chēng)為暗電流。當(dāng)有光照時(shí)，其反向電流隨光照強(qiáng)度的增加而增加，稱(chēng)為光電流。第41頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一(a)圖形符號(hào)(b)特性曲線(xiàn)需光照、反偏壓、其反向電流與光照度成正比。用于光測(cè)量，將光信號(hào)－－電信號(hào)，光電傳感器、遙控、報(bào)警電路中。第42頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一六發(fā)光二極管（1）結(jié)構(gòu)和工作原理。發(fā)光二極管簡(jiǎn)寫(xiě)為L(zhǎng)ED（LightEmittingDiode）。是一種將電能轉(zhuǎn)換為光能的半導(dǎo)體器件。它由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成,當(dāng)發(fā)光二極管正偏時(shí)，注入到N區(qū)和P區(qū)的載流子被復(fù)合時(shí)，會(huì)發(fā)出可見(jiàn)光和不可見(jiàn)光。（2）優(yōu)點(diǎn)：發(fā)光二極管具有體積小、工作電壓低、工作電流?。?0~30mA）、發(fā)光均勻穩(wěn)定、響應(yīng)速度快和壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。(a)圖形符號(hào)(b)外形第43頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一1.3半導(dǎo)體二極管的基本應(yīng)用電路三、單向橋式整流濾波電路一、限幅電路二、鉗位電路第44頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一一、限幅電路(a)電路圖(b)波形圖利用單向?qū)щ娦院蛯?dǎo)通后兩端電壓基本不變的特性第45頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一二、鉗位電路uoABR0D2D1+12V將輸出電壓鉗在一定數(shù)值上UA=5VUB=0VUo=0.7VD2優(yōu)先導(dǎo)通D1反向截止第46頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一1.橋式整流電路（1）組成：由四個(gè)二極管組成橋路u2正半周時(shí):D1

、D3導(dǎo)通，D2、D4截止+–（2）工作原理：u2uL三、單向橋式整流濾波電路第47頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一-+u2負(fù)半周時(shí)：D2、D4

導(dǎo)通，D1

、D3截止u2uL第48頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一輸出電壓平均值：輸出電流平均值:IL=UL/RL=0.9u2

/RL

流過(guò)二極管的平均電流：ID=IL/2u2uL（3）主要參數(shù)：二極管承受的最大反向電壓：URM=22u第49頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一脈動(dòng)系數(shù)Ｓ1:用傅氏級(jí)數(shù)對(duì)橋式整流的輸出uL

分解后可得:uL20t基波基波峰值輸出電壓平均值第50頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一集成硅整流橋：u2uL+

–

~+~-

+–第51頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一電容濾波2.濾波電路第52頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一（1）空載（RL=∞）時(shí)：u2tuLtuc=uLu2＞uC時(shí)：二極管導(dǎo)通，C充電u2＜uC時(shí)：二極管截止，C放電。由于RL=∞，無(wú)放電回路，所以u(píng)C保持。第53頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一u2＜uC時(shí)：二極管截止，C放電。（2）接入RL（且RLC較大）時(shí)u2tiDtu2＞uC時(shí)：二極管導(dǎo)通，C充電二極管中的電流uc=uL第54頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一近似估算:UL=1.2U2(b)流過(guò)二極管瞬時(shí)電流很大整流管導(dǎo)電時(shí)間越短iD的峰值電流越大電容濾波電路的特點(diǎn)：(a)UL與RLC的

關(guān)系：RLC愈大C放電愈慢UL(平均值)愈大RLC較大一般取：(T:電源電壓的周期)u2tiDtuc=uL第55頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一1.4串聯(lián)式穩(wěn)壓電路穩(wěn)壓電路的作用:交流電壓脈動(dòng)直流電壓整流濾波有波紋的直流電壓穩(wěn)壓直流電壓第56頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一電源變壓器:將交流電網(wǎng)電壓u1變?yōu)楹线m的交流電壓u2。整流電路:將交流電壓u2變?yōu)槊}動(dòng)的直流電壓u3。濾波電路:將脈動(dòng)直流電壓u3轉(zhuǎn)變?yōu)槠交闹绷麟妷簎4。穩(wěn)壓電路:清除電網(wǎng)波動(dòng)及負(fù)載變化的影響,保持輸出電壓uo的穩(wěn)定。直流穩(wěn)壓電源的組成和功能整流電路濾波電路穩(wěn)壓電路整流電路濾波電路穩(wěn)壓電路u1u2u3u4uo第57頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一一.穩(wěn)壓電路的主要性能指標(biāo)常用以下參數(shù)來(lái)說(shuō)明穩(wěn)壓電源的質(zhì)量：1、穩(wěn)壓系數(shù)2、輸出電阻3、溫度系數(shù)輸出電壓：第58頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一二.穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路1.穩(wěn)壓原理——利用穩(wěn)壓管的反向擊穿特性。

由于反向特性陡直，較大的電流變化，只會(huì)引起較小的電壓變化。第59頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一穩(wěn)壓原理：(1)當(dāng)輸入電壓變化時(shí)UiUZUoUoURIIZ由圖知：第60頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一(2)當(dāng)負(fù)載電流變化時(shí)穩(wěn)壓過(guò)程：

ILUoURUoIZIR第61頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一2、限流電阻的計(jì)算（1）當(dāng)輸入電壓最小，負(fù)載電流最大時(shí)，流過(guò)穩(wěn)壓二極管的電流最小。此時(shí)IZ不應(yīng)小于IZmin，由此可計(jì)算出穩(wěn)壓電阻的最大值。

即：可得：第62頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一

（2）當(dāng)輸入電壓最大，負(fù)載電流最小時(shí)，流過(guò)穩(wěn)壓二極管的電流最大。此時(shí)IZ不應(yīng)超過(guò)IZmax，由此可計(jì)算出穩(wěn)壓電阻的最小值。

即：

所以：可得：第63頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一

常用的集成三端穩(wěn)壓器的外形及類(lèi)型類(lèi)型：W7800系列——穩(wěn)定正電壓

W7805輸出+5VW7809輸出+9VW7812輸出+12VW7815輸出+15VW7900系列——穩(wěn)定負(fù)電壓

W7905輸出-5VW7909輸出-9VW7912輸出-12VW7915輸出-15V1端:輸入端2端:公共端3端:輸出端123第64頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一1.基本使用方法+20V+15V注意：輸入電壓Ui一般應(yīng)比輸出電壓端Uo高3V以上。三.三端固定式集成穩(wěn)壓器的使用

C1、C2的作用：防止自激振蕩，減小高頻噪聲、改善負(fù)載的瞬態(tài)響應(yīng)。第65頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一2.輸出正負(fù)電壓第66頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一3.輸出電壓可調(diào)由：可得：第67頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一1.三端可調(diào)式穩(wěn)壓器W117的內(nèi)部結(jié)構(gòu)：四.三端可調(diào)式集成穩(wěn)壓器

電阻R1和R2為外接電阻，忽略基準(zhǔn)源電流，則有：第68頁(yè)，共75頁(yè)，2023年，2月20日，星期一電容C1

：防止自激。電容C2：減小電阻R2上的電壓波動(dòng)。D1、

D2：保護(hù)二極管，防止輸入端短路時(shí)有很大的反向電流流過(guò)穩(wěn)壓器。2.W117的基本應(yīng)用