半導(dǎo)體真空設(shè)備

半導(dǎo)體真空設(shè)備氣體導(dǎo)論氣體導(dǎo)論，氣體方程式理想氣體(IdealGas)在不考慮分子間的作用力下，氣體分子在一體積為V的容器內(nèi)部的行為，將滿足氣體方程式PV=nRTP：容器內(nèi)的壓力n：氣體分子數(shù)量(莫耳數(shù))T：溫度R：氣體常數(shù)氣體的移動(dòng)自由徑(FreePath)-氣體分子與另一氣體分子發(fā)生撞擊前所移動(dòng)的距離平均自由徑(MeanFreePath)-氣體分子發(fā)生撞擊前所移動(dòng)的平均距離(MFP)=0.05/P(壓力)室溫下氣體的流動(dòng)-當(dāng)氣體分子移動(dòng)的平均自由徑不同時(shí),亦反應(yīng)整體(巨觀)的運(yùn)動(dòng)行為，造成氣體有不同的流動(dòng)黏性流動(dòng)(ViscousFlow)dn(dn：容器的直徑)時(shí)，氣體分子的運(yùn)動(dòng)易受其它氣體分子的影響;又可細(xì)分為層流(laminarflow)與擾流(turbulentflow),兩者以雷諾數(shù)值(Reynoldnumber)區(qū)分分子流動(dòng)(MolecularFlow)dn時(shí),氣體分子的運(yùn)動(dòng)多為與容器壁的接觸；可見于SEM,Implantation等制程Knudsen流動(dòng)dn時(shí),氣體分子的運(yùn)動(dòng)介于(i)與(ii)間的過渡性流動(dòng)；可見于Sputtering,Dryetching等制程真空邦浦簡介真空的建立真空邦浦(VacuumPump)是建立真空環(huán)境的主要工具，而所獲得的真空品

質(zhì)則取決定于所選取pump的種類真空度一般可分為：粗空度(Roughvacuum,ATM~1torr)中空度(Mediavacuum,1~10-3torr)高空度(Highvacuum,10-3~10-7torr)超高空度(Ultra-highvacuum,10-7~torr)各類邦浦之工作范圍鬲廈空

另?甘壑加bar_

羸'SSS'—

質(zhì)片式邦浦

液膜式邦浦

滑片式萩浦

炭尊拄塞邦通

集式邦浦

善式/爪.式邦瀟

M邦浦鬲廈空

另?甘懂散啜身、「招沌

?g)了-拜浦冷崖邦瀟吸附邦浦L__olLLEVElPUFAF仍L&T-WATEJSHAFTSTATDJ1Al11心IL-^SEiPANATOR____PL5-roMSLIDE.__^P1STOHCOOLLNQ-SJACKET活塞式回轉(zhuǎn)邦浦活塞式回轉(zhuǎn)邦浦(RotaryL__olLLEVElPUFAF仍L&T-WATEJSHAFTSTATDJ1Al11心IL-^SEiPANATOR____PL5-roMSLIDE.__^P1STOHCOOLLNQ-SJACKET翼式回轉(zhuǎn)邦浦翼式回轉(zhuǎn)邦浦(RotaryVanePump)抽氣速率：1cfm~15cfm轉(zhuǎn)速：~1700rpmROTAHiDIVGTIfcLUGMEC1PUMPWQDULH?■■*■riFormiUEVA.LVEK]RFPLlMPFNn干式邦浦(魯式，多階魯式，爪式，爪式+魯式，螺式)干式邦浦(DryPump)不以油或水作為密封介質(zhì)之邦浦，即抽除氣體之過程氣體未觸及具油，水的環(huán)境，均屬之使用干式邦浦的優(yōu)點(diǎn)干凈的真空環(huán)境較優(yōu)的機(jī)械性能，如可靠度，維修少，成本低魯式邦浦(RootsPump)多階魯式邦浦(Multi-StageRootsPump)爪式邦浦(ClawtypePump)爪式+魯式邦浦螺式邦浦(ScrewTypePump)高真空邦浦OilDiffusionPump

TurbomolecularPumpCryogenicPump（低溫邦浦）lonnPump（離子邦浦）壓力測量計(jì)壓力測量計(jì)波登測壓計(jì)(BourdonGauge)量測范圍：ATM~1torr原理：機(jī)械式變形指示指針特性：粗略指示用受外界大氣壓影響，在10torr上下壓力指示不隨氣體種類變化熱電偶測壓計(jì)(ThermocouplePressureGauge)量測范圍：1~10-3torr原理：熱傳導(dǎo)原理；壓力指示須隨不同氣體作修正高壓時(shí)分子數(shù)多，熱傳導(dǎo)較好燈絲溫度低低壓時(shí)分子數(shù)少，熱傳導(dǎo)較不好燈絲溫度高電容式測壓計(jì)(CapacitancePressureGauge)量測范圍：1atm~10-5torr原理:量測金屬膜片與電極間之電容大小，換算為壓力離子式測壓計(jì)(IonizationPressureGauge)HotCathodeType:量測范圍：10-4~10-12torr原理:量測電子撞擊氣體分子后所產(chǎn)生之離子數(shù)，以決定壓力大小限制：1.上限受電子與分子多次碰撞造成誤差下限受X-ray效應(yīng)影響同離子式測壓計(jì)ColdCathodeType量測范圍：10-2~10-7torr

擇活舞辛Si*甥圓范陞：2000J并如狀牝r院握接地?擇活舞辛Si*甥圓范陞：2000J并如狀牝r院握接地?蘋俄成:昧安培表〔S-扯邛〕電子-翳「?險(xiǎn)我杖擇：，隋或不場演W埸秘:為網(wǎng)邸房斯6.真空設(shè)備應(yīng)用Equip-mentLPCVDEtcherImp!anterSputterCVDSEMPumpDtyPumpDryPumpRotary,TurboDryPumpRotary,Turbo,CryoHotaty,Turbo,CryoDtyPump,Turbo,RotatyTurbo,IonPuiGaugeTC?Cap.ManoTC?Cap.ManoTC?Cap.Mano,CCIGTC?Cap.Mano?HCIGCap.ManoTC?H(7.管路與管路系統(tǒng)管路與管路系統(tǒng)管路系統(tǒng)為輸送制程材料，所必備得的零組件，包含氣筒，各類閥件（Valve）,壓力調(diào)解器（Regulator）,管件（Tube）及連接管件與配件之接頭（Fittings）管件之種類Tube-用于高壓，高潔凈度,低漏率之管路Pipe-用于一般無毒，常壓態(tài)之管路Hose-可用于真空抽氣管路（金屬）或化學(xué)藥液（非金屬）管路配件FittingsRegulatorValve質(zhì)流量控制器（MassFlowController）管件的選用—考慮因素材質(zhì)（腐蝕性、強(qiáng)度、機(jī)械加工難易等因素）表面處理-潔凈度施工方式-漏率一流道的要求潔凈性-微粒逸出（outgas）平滑性-避免雜質(zhì)積存抗蝕性-抗腐蝕氣，液體低漏率-高真空，接合管路的材質(zhì)金屬-鋁（Aluminum）、銅（Copper）、鐵（碳鋼）、不銹鋼（Stainless）、合金（Alloy）非金屬-工程塑料材質(zhì)，如PVC（聚氯乙烯）、PP（聚丙烯）、PE（聚乙烯）、PVDF（聚氟乙烯）、PTFE（鐵弗?。C

真空維護(hù)一清洗目的：袪除污染物(Contaminants),如陷入焊道內(nèi)部之焊劑，機(jī)件表面經(jīng)高溫處理后形成的氧化膜或材料在熱處理吸附的氫氣維護(hù)既有功能，設(shè)備在始用一段時(shí)間后需袪除污染物，如蒸鍍或?yàn)R鍍系統(tǒng)內(nèi)壁遭鍍膜材料污染，需做預(yù)防性維護(hù)(PM)一清洗技術(shù)：物理方法：Polishing,Scratching,Beadblasting化學(xué)方法：IPAorAcetonclean,Acidclean,Electrolyticpolishing(電解拋光)超音波振蕩：—漏(Leak)任何封合之物，容器或系統(tǒng)在制造組合或使用時(shí)由于程序錯(cuò)誤或系統(tǒng)組件老化，造成裂隙或小孔以至物質(zhì)之流進(jìn)或流出，并對其產(chǎn)生有害的效應(yīng).—真空中，漏可區(qū)分為：1,真漏(Realleak)：由真正孔隙所造成氣體的通路虛漏(Virtualleak)：由真空系統(tǒng)中局限氣體之逸出所造成逸氣(Outgassing)：真空中物質(zhì)釋放出其表面所吸