IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊使用注意事項(xiàng)-基礎(chǔ)電子

精品文檔-下載后可編輯IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊使用注意事項(xiàng)-基礎(chǔ)電子1.IGBT模塊的選擇

在使用IGBT模塊的場(chǎng)合，選擇何種電壓，電流規(guī)格的IGBT模塊，需要做周密的考慮。

a.電流規(guī)格

IGBT模塊的集電極電流增大時(shí)，VCE(-)上升，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開關(guān)損耗增大，原件發(fā)熱加劇。因此，根據(jù)額定損耗，開關(guān)損耗所產(chǎn)生的熱量，控制器件結(jié)溫（Tj）在150oC以下（通常為安全起見，以125oC以下為宜），請(qǐng)使用這時(shí)的集電流以下為宜。特別是用作高頻開關(guān)時(shí)，由于開關(guān)損耗增大，發(fā)熱也加劇，需十分注意。一般來說，要將集電極電流的值控制在直流額定電流以下使用，從經(jīng)濟(jì)角度這是值得推薦的。

b.電壓規(guī)格

IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即市電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系列于表1。根據(jù)使用目的，并參考本表，請(qǐng)選擇相應(yīng)的元件。

元器件電壓規(guī)格

600V1200V1400V

電源

電壓200V；220V；230V；240V346V；350V；380V；400V；415V；440V575V

2.防止靜電

IGBT的VGE的耐壓值為±20V，在IGBT模塊上加出了超出耐壓值的電壓的場(chǎng)合，由于會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞的危險(xiǎn)，因而在柵極-發(fā)射極之間不能超出耐壓值的電壓，這點(diǎn)請(qǐng)注意。

在使用裝置的場(chǎng)合，如果柵極回路不合適或者柵極回路完全不能工作時(shí)（珊極處于開路狀態(tài)），若在主回路上加上電壓，則IGBT就會(huì)損壞，為防止這類損壞情況發(fā)生，應(yīng)在柵極一發(fā)射極之間接一只10kW左左的電阻為宜。

此外，由于IGBT模塊為MOS結(jié)構(gòu)，對(duì)于靜電就要十分注意。因此，請(qǐng)注意下面幾點(diǎn)：

1)在使用模塊時(shí)，手持分裝件時(shí)，請(qǐng)勿觸摸驅(qū)動(dòng)端子部份。

2)在用導(dǎo)電材料連接驅(qū)動(dòng)端子的模塊時(shí)，在配線未布好之前，請(qǐng)先不要接上模塊。

3)盡量在底板良好接地的情況下操作。

4)當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電放電后，再觸摸。

5)在焊接作業(yè)時(shí)，焊機(jī)與焊槽之間的漏泄容易引起靜電壓的產(chǎn)生，為了防止靜電的產(chǎn)生，請(qǐng)先將焊機(jī)處于良好的接地狀態(tài)下。

6)裝部件的容器，請(qǐng)選用不帶靜電的容器。

3.并聯(lián)問題用于大容量逆變器等控制大電流場(chǎng)合使用IGBT模塊時(shí)，可以使用多個(gè)器件并聯(lián)。

并聯(lián)時(shí)，要使每個(gè)器件流過均等的電流是非常重要的，如果一旦電流平衡達(dá)到破壞，那么電過于集中的那個(gè)器件將可能被損壞。為使并聯(lián)時(shí)電流能平衡，適當(dāng)改變器件的特性及接線方法。例如。挑選器件的VCE(sat)相同的并聯(lián)是很重要的。

4.其他注意事項(xiàng)

1)保存半導(dǎo)體原件的場(chǎng)所的溫度，溫度，應(yīng)保持在常溫常濕，不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5－35℃，常濕的規(guī)定為45—