半導(dǎo)體制造技術(shù)智慧樹知到答案章節(jié)測試2023年上海工程技術(shù)大學(xué)

第一章測試“摩爾定律”是（）提出的？

A:1965年

B:1958年

C:1960

D:1970年

答案:A第一個晶體管是（）材料晶體管？

A:鍺

B:硅

C:碳

答案:A戈登摩爾是（）科學(xué)家。

A:德國

B:美國

C:法國

D:英國

答案:B第一個集成電路在（）被研制。

A:1960

B:1955

C:1965

D:1958

答案:D（）被稱為中國“芯片之父”。1、

A:鄧中翰

B:許居衍

C:沈緒榜

D:吳德馨

答案:A第二章測試硅在地殼中的儲量為（）。

A:第四

B:第二

C:第三

D:第一

答案:B脫氧后的沙子主要以（）的形式。

A:碳化硅

B:硅

C:二氧化硅

答案:C半導(dǎo)體級硅的純度（）。

A:99.99999％

B:99.999999％

C:99.999％

D:99.9999999％

答案:D西門子工藝制備得到的硅為單晶硅。（）

A:對

B:錯

答案:B一片硅片只有一個定位邊。（）

A:錯

B:對

答案:A晶面指數(shù)（m1m2m3）：m1、m2、m3分別為晶面在X、Y、Z軸上截距的倒數(shù)。（）

A:錯

B:對

答案:B第三章測試通過薄膜淀積方法生長薄膜不消耗襯底的材料。（）

A:對

B:錯

答案:A熱氧化法在硅襯底上制備二氧化硅需要消耗硅襯底。（）

A:錯

B:對

答案:B二氧化硅可以與氫氟酸發(fā)生反應(yīng)。（）

A:錯

B:對

答案:B薄膜的密度越大，表明致密性越低。（）

A:對

B:錯

答案:B電阻率，表征導(dǎo)電能力的參數(shù)，同一種物質(zhì)的電阻率在任何情況下都是不變的。（）

A:錯

B:對

答案:A第四章測試光刻本質(zhì)上是光刻膠的光化學(xué)反應(yīng)。（）

A:錯

B:對

答案:B一個透鏡的數(shù)值孔徑越大就能把更少的衍射光會聚到一點(diǎn)。（）

A:錯

B:對

答案:A使用正膠進(jìn)行光刻時，晶片上所得到的圖形與掩膜版圖形相同。（）

A:錯

B:對

答案:B使用負(fù)膠進(jìn)行光刻時，晶片上得到的圖形與掩膜版上的圖形相反。（）

A:對

B:錯

答案:A正性光刻膠經(jīng)過曝光后，可以溶解于顯影液。（）

A:對

B:錯

答案:A負(fù)性光刻膠經(jīng)過曝光后，可以溶解于顯影液。（）

A:錯

B:對

答案:A第五章測試刻蝕是用化學(xué)方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程。（）

A:錯

B:對

答案:A濕法刻蝕是各向同性腐蝕。（）

A:錯

B:對

答案:B干法刻蝕有各向同性腐蝕，也有各向異性腐蝕。（）

A:對

B:錯

答案:A選擇比指在不同刻蝕條件下，刻蝕一種材料對另一種材料的刻蝕速率之比。（）

A:對

B:錯

答案:B同一晶體不同晶面的原子鍵密度不一樣，導(dǎo)致刻蝕速率不一樣。（）

A:對

B:錯

答案:A第七章測試選擇比指在同樣的條件下對兩種無圖形覆蓋材料拋光速率的比值。（）

A:對

B:錯

答案:A尖楔現(xiàn)象是鋁硅接觸時，較多的鋁溶解到硅中形成尖刺的現(xiàn)象。（）

A:錯

B:對

答案:A雙大馬士革中采用CMP，銅需要被刻蝕。（）

A:錯

B:對

答案:A高溫回流：一般是在高溫下進(jìn)行，可適用于所有金屬層間介質(zhì)。（）

A:對

B:錯

答案:B肖特基接觸在某種條件下可以轉(zhuǎn)變?yōu)闅W姆接觸（高摻雜）。（）

A:對

B:錯

答案:A第八章測試物質(zhì)有三種形態(tài)。（）

A:對

B:錯

答案:B霜是有水汽直接在地面或近地面的物體上凝華形成的。（）

A:對

B:錯

答案:A半導(dǎo)體制造工藝中用的氣體可以隨便運(yùn)輸。（）

A:錯

B:對

答案:A工藝腔是指一個受控的常壓環(huán)境。（）

A:錯

B:對

答案:A等離子體是不導(dǎo)電的。（）

A:錯

B:對

答案:A第九章測試芯片測試完成時，合格的芯片用墨水標(biāo)出。（）

A:對

B:錯

答案:B芯片成品率等于合格芯片數(shù)占總芯片數(shù)的百分比。（）

A:錯

B:對

答案:B半導(dǎo)體制造工藝中不同硅片之間測試數(shù)據(jù)差別過大是可以接受的。（）

A:對

B:錯

答案:B泊松模型是假設(shè)缺陷密度為均勻的，且硅片