2007-2013物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)高考試題匯編_第1頁
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資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考,如有不當之處,請聯(lián)系改正或者刪除資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考,如有不當之處,請聯(lián)系改正或者刪除------完整版學(xué)習(xí)資料分享---資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考,如有不當之處,請聯(lián)系改正或者刪除資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考,如有不當之處,請聯(lián)系改正或者刪除----完整版學(xué)習(xí)資料分享--------完整版學(xué)習(xí)資料分享----2013屆高三化學(xué)二輪復(fù)習(xí)物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)試題匯編【2007寧夏卷】已知A、B、C、D和E5種分子所含原子的數(shù)目依次為1、2、3、4和6,且都含有18個電子。又已知B、C和D是由兩種元素組成。請回答:(1)組成A分子的原子的核外電子排布式是;(2)B和C的分子式分別是和;C分子的立體結(jié)構(gòu)呈—形,該分子屬于分子(填“極性”或“非極性”)(3)若向D的稀溶液中加入少量二氧化錳,有無色氣體生成。則D的分子式是,該反應(yīng)的化學(xué)方程式是 (4)若將ImolE在氧氣中完全燃燒,只生成1molCO2和2molH2O,則E的分子式是【2008寧夏卷】X、Y、Z、Q、E五種元素中,X原子核外的M層中只有兩對成對電子,Y原子核外的L層電子數(shù)是K層的兩倍,Z是地殼內(nèi)含量(質(zhì)量分數(shù))最高的元素,Q的核電荷數(shù)是X與Z的核電荷數(shù)之和,E在元素周期表的各元素中電負性最大。請回答下列問題:(1)X、Y的元素符號依次為、;(2)XZ2與YZ2分子的立體結(jié)構(gòu)分別是和,相同條件下兩者在水中的溶解度較大的是(寫分子式),理由是. —;(3)Q的元素符號是,它屬于第 期,它的核外電子排布式為,在形成化合物時它的最高化合價為;(4)用氫鍵表示式寫出E的氫化物溶液中存在的所有氫鍵?!?009全國新課標卷】已知X、Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于42。X元素原子的4P軌道上有3個未成對電子,Y元素原子的最外層2p軌道上有2個未成對電子。X跟Y可形成化合物X2Y3,Z元素可以形成負一價離子。請回答下列問題:TOC\o"1-5"\h\z(1)X元素原子基態(tài)時的電子排布式為,該元素的符號是 ;(2)Y元素原子的價層電子的軌道表示式為,該元素的名稱是 ;(3)X與Z可形成化合物XZ3,該化合物的空間構(gòu)型為;(4)已知化合物X2Y3在稀硫酸溶液中可被金屬鋅還原為XZ3,產(chǎn)物還有ZnSO4和H2O,該反應(yīng)的化學(xué)方程式是 ;(5)比較X的氫化物與同族第二、第三周期元素所形成的氫化物穩(wěn)定性、沸點高低并說明理由【2010全國新課標卷】主族元素W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大,W的原子最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的3倍。X、Y和Z分屬不同的周期,它們的原子序數(shù)之和是W原子序數(shù)的5倍。在由元素W、X、Y、Z組成的所有可能的二組分化合物中,由元素W與Y形成的化合物M的熔點最高。請回答下列問題:(1)W元素原子的L層電子排布式為,W3分子空間構(gòu)型為;(2)X單質(zhì)與水發(fā)生主要反應(yīng)的化學(xué)方程式為;⑶化合物M的化學(xué)式為,其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl相同,而熔點高于NaCl。M熔點較高的原因是 。將一定量的化合物ZX負載在M上可制得ZX/M催化劑,用于催化碳酸二甲酯與月桂醇酯交換合成碳酸二月桂酯。在碳酸二甲酯分子中,碳原子采用的雜化方式有,O—C—O的鍵角約為;(4)X、Y、Z可形成立方晶體結(jié)構(gòu)的化合物,其晶胞中X占據(jù)所有棱的中心,Y位于頂角,Z處于體心位置,則該晶體的組成為X:Y:Z=;(5)含有元素Z的鹽的焰色反應(yīng)為色。許多金屬鹽都可以發(fā)生焰色反應(yīng),其原因是?!?011全國新課標卷】氮化硼(BN)是一種重要的功能陶瓷材料以天然硼砂為起始物,經(jīng)過一系列反應(yīng)可以得到BF3和BN可以得到BF3和BN,如下圖所示:請回答下列問題:⑴由b2o3制備bf3、bn的化學(xué)方程式依次是_(2)基態(tài)B原子的電子排布式為;B和N相比,電負性較大的是 ,BN中B元素的化合價為;(3)在BF3分子中,F(xiàn)-B-F的鍵角是 ,B原子的雜化軌道類型為,BF3和過量NaF作用可生成NaBF4,BF4的立體結(jié)構(gòu)為;(4)在與石墨結(jié)構(gòu)相似的六方氮化硼晶體中,層內(nèi)B原子與N原子之間的化學(xué)鍵為,層間作用力為;(5)六方氮化硼在高溫高壓下,可以轉(zhuǎn)化為立方氮化硼,其結(jié)構(gòu)與金剛石相似,硬度與金剛石相當,晶胞邊長為361.5pm,立方氮化硼晶胞中含有個氮原子、個硼原子,立方氮化硼的密度是g-cm-3(只要求列算式,不必計算出數(shù)值,阿伏伽德羅常數(shù)為Na)?!?012?新課程理綜化學(xué)卷】(15分)WA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含WA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題:(1)S單質(zhì)的常見形式為S,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示,S原子采 用的軌道雜化方式是; 法.俊唇總⑵原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子 轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,0、S、Se原子的第一電離能由 ,力大大 大到小的順序為 (3)Se的原子序數(shù)為,其核外M層電子的排布式為;⑷HSe的酸性比HS (填“強”或“弱”)。氣態(tài)SeO分子的立體構(gòu)型為 ,S02-離子的立體構(gòu)型為」; 3 3(5)HSeO的K和K分別為2.7X10-3和2.5X10-8,HSeO第一步幾乎完全電離,K為1.2X10-2,請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋: 2 4 2立方ZnS(列式并pm(列式費中僅次問題:屬銅的測

又知銅的①HSeO和HSeO第一步電離程度大于第二步電離的原因:—②,SeO3比H立方ZnS(列式并pm(列式費中僅次問題:屬銅的測

又知銅的⑹方忘在熒光體:光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示,其晶胞邊長為530.0pm,其密度為計算),a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為表示)?!?012?海南化學(xué)卷19-II](14分)銅在我國有色金屬材料的消于鋁,廣泛地應(yīng)用于電氣、機械制造、國防等領(lǐng)域?;卮鹣铝?1)銅原子基態(tài)電子排布式為;(2)用晶體的x射線衍射法可以測得阿伏加德羅常數(shù)。對金定得到以下結(jié)果:晶胞為面心立方最密堆積,邊長為361pm。密度為9.00g-cm-3,則鎘晶胞的體積是—cm3、晶胞的質(zhì)量是g,阿伏加德羅常數(shù)為(列式計算,己知Ar(Cu)=63.6);(3)氯和鉀與不同價態(tài)的銅可生成兩種化合物,這兩種化合物都可用于催化乙炔聚合,其陰離子均為無限長鏈結(jié)構(gòu)(如下圖),a位置上Cl原子的雜化軌道類型為。已知其中一種化合物的化學(xué)式為KCuCl3KCuCl3,另一種的化學(xué)式為*aa(4)金屬銅單獨與氨水或單獨與過氧化氫都不能反應(yīng),但可與氨水和過氧化氫的混合溶液反應(yīng),其原因是,反應(yīng)的化學(xué)方應(yīng)程式為。【2012?山東理綜化學(xué)卷】(8分)金屬鎳在電池、合金、催化劑等方面應(yīng)用廣泛。(1)下列關(guān)于金屬及金屬鍵的說法正確的是_。a.金屬鍵具有方向性與飽和性b.金屬鍵是金屬陽離子與自由電子間的相互作用c.金屬導(dǎo)電是因為在外加電場作用下產(chǎn)生自由電子

d.金屬具有光澤是因為金屬陽離子吸收并放出可見光(2)Ni是元素周期表中第28號元素,第二周期基態(tài)原子未成對電子數(shù)與Ni相同且電負性最小的元素是。CO與N2結(jié)構(gòu)相似,CO分子內(nèi)。鍵與n鍵個數(shù)之比為。⑶過渡金屬配合物Ni(CO)n的中心原子價電子數(shù)與配體提供電子總數(shù)之和為18,則n=。(4)甲醛(H2c=O)在Ni催化作用下加氫可得甲醇(CH30H)。甲醇分子內(nèi)C原子的雜化方式為,甲醇分子內(nèi)的O-C-H鍵角(填“大于”“等于”或“小于”)甲醛分子內(nèi)的O-C-H鍵角?!?012?江蘇化學(xué)卷】一項科學(xué)研究成果表明,銅錳氧化物(CuMnO)能在常溫下催化氧化空氣中的一氧24化碳和甲醛(HCHO)。TOC\o"1-5"\h\z⑴向一定物質(zhì)的量濃度的Cu(NO3)3DMn(NO3)2溶液中加入Na2c03溶液,所得沉淀經(jīng)高溫灼燒,可制得CuMn0。 32 32 23①Mn2+基態(tài)的電子排布式可表示為。②N0「的空間構(gòu)型 (用文字描述)。⑵在銅錳氧化物的催化下,CO被氧化成CO,HCHO被氧化成CO和H0。①根據(jù)等電子原理,CO分子的結(jié)構(gòu)式為_ _。2②HO分子中O原子軌道的雜化類型為 。③llolCO中含有的。鍵數(shù)目為。(3)向CuSO溶液中加入過量NaOH溶液可生成[Cu(OH)卜-。不考慮空間構(gòu)型,[神(。用]2-的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為「 。 4 4【2013?新課標卷H-37】(15分)前四周期原子序數(shù)依次增大的元素A,B,C,D中,A和B的價電子層中未成對電子均只有1個,平且A-和B+的電子相差為8;與B位于同一周期的C和D,它們價電子層中的未成對電子數(shù)分別為4和2,且原子序數(shù)相差為2?;卮鹣铝袉栴}:(1)D2+的價層電子排布圖為。(2)四種元素中第一電離最小的是—,電負性最大的是—。(填元素符號)(3)A、B和D三種元素責成的一個化合物的晶胞如圖所示。①該化合物的化學(xué)式為;D的配位數(shù)為;②列式計算該晶體的密度g-cm-3。(4)A,B+和Cs+三種離子組成的化合物B3cA6,期中化學(xué)鍵的類型有該化合物中存在一個復(fù)雜離子,該離子的化學(xué)式為,配位體是 QA【2013?新課標卷I?37】(15分)硅是重要的半導(dǎo)體材料,構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)。請回答下列問題:(1)基態(tài)Si原子中,電子占據(jù)的最高能層符號為,該能層具有的原子軌道數(shù)為、電子數(shù)為。(2)硅主要以硅酸鹽、等化合物的形式存在于地殼中。(3)單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體,其中原子與原子之間以相結(jié)合,其晶胞中共有8個原子,其中在面心位置貢獻個原子。(4)單質(zhì)硅可通過甲硅烷(SiH4)分解反應(yīng)來制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為。(5)碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示,簡要分析和解釋下列有關(guān)事實:化學(xué)鍵C—CC—HC—0Si—SiSi—HSi—0鍵能/(kJ^olT)356413336226318452①硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數(shù)量上都遠不如烷烴多,原因是。②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是。(6)在硅酸鹽中,SiO44-四面體【如下圖(a)】通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖(b)為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根,其中Si原子的雜化形式為,Si與O的原子數(shù)之比為,化學(xué)式為。

圖Ca> 圖<b>【2013?新課標卷1?37】(15分)硅是重要的半導(dǎo)體材料,構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)。請回答下列問題:(1)基態(tài)Si原子中,電子占據(jù)的最高能層符號為,該能層具有的原子軌道數(shù)為、電子數(shù)為。(2)硅主要以硅酸鹽、等化合物的形式存在于地殼中。(3)單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體,其中原子與原子之間以相結(jié)合,其晶胞中共有8個原子,其中在面心位置貢獻個原子。(4)單質(zhì)硅可通過甲硅烷(SiH4)分解反應(yīng)來制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為。(5)碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示,簡要分析和解釋下列有關(guān)事實:化學(xué)鍵C—CC—HC—OSi—SiSi—HSi—O鍵能/(kJ^ol-l)356413336226318452TOC\o"1-5"\h\z①硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數(shù)量上都遠不如烷烴多,原因是 。②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是。(6)在硅酸鹽中,SiO44-四面體【如下圖(a)】通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖(b)為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根,其中Si原子的雜化形式為 ,Si與O的原子數(shù)之比為 ,化學(xué)式為 。示。廠b—H2cl示。廠b—H2cl11Lf kH20 lrb |i溶液產(chǎn)1卜圖& Hd回答下列問題:(1)圖B對應(yīng)的物質(zhì)名稱是 ,其晶胞中的原子數(shù)為(2)d中元素的原子核外電子排布式為 。(3)圖A中由二種元素組成的物質(zhì)中,沸點最高的是 ,為 ,中心原子的雜化軌道類型為 。(4)圖A中的雙原子分子中,極性最大的分子是 。(5)k的分子式為 ,中心原子的雜化軌道類型為 ,晶體類型為 。原因是 ,該物質(zhì)的分子構(gòu)型—,屬于 分子(填“極【2013?海南化學(xué)】(14分)圖A所示的轉(zhuǎn)化關(guān)系中(具體反應(yīng)條件略),a、b、c和d分別為四種短周期元素的常見單質(zhì),其余均為它們的化合物,i的溶液為常見的酸,a的一種同素異形體的晶胞如圖B所圖圖<b)資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考,如有不當之處,請聯(lián)系改正或者刪除資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考,如有不當之處,請聯(lián)系改正或者刪除----完整版學(xué)習(xí)資料分享----資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考,如有不當之處,請聯(lián)系改正或者刪除資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考,如有不當之處,請聯(lián)系改正或者刪除----完整版學(xué)習(xí)資料分享----資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考,如有不當之處,請聯(lián)系改正或者刪除資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考,如有不當之處,請聯(lián)系改正或者刪除----完整版學(xué)習(xí)資料分享--性”或“非極性”)。【2013?江蘇化學(xué)】(12分)A.[物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]元素X位于第四周期,其基態(tài)原子的內(nèi)層軌道全部排滿電子,且最外層電子數(shù)為2。元素Y基態(tài)原子的3p軌道上有4個電子。元素Z的原子最外層電子數(shù)是其內(nèi)層的3倍。(1)X與Y所形成化合物晶體的晶胞如右圖所示。①在1個晶胞中,X離子的數(shù)目為。②該化合物的化學(xué)式為。⑵在Y的氫化物(HY)分子中,Y原子軌道的雜化類型是2(3)Z的氫化物電少在乙醇中的溶解度大于H2Y,其原因是(用文字描述)。(4)Y與Z可形成YZ2-①YZ42-的空間構(gòu)型為(用文字描述)。②寫出一種與YZ42-互為等電子體的分子的化學(xué)式: 。(5)X的氯化物,與氨水反應(yīng)可形成配合物[X(NH3)4]Cl2,1mol該配合物中含有。鍵的數(shù)目為。 34 22013屆高三化學(xué)二輪復(fù)習(xí)物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)試題匯編答案【2007】(1)1s22s22P63s23P6 (2)HCl H2s V極性H2O2 2H2O2==O=2H2O+O2f (4)CH4O (答CH3OH不扣分)【2008】(1)SCV形直線形SO2因為CO2是非極性分子,SO2和H2O都是極性分子,根據(jù)“相似相溶”原理,SO2在H2O中的溶解度較大Cr四 1s22s22P63s23P63d54s1 +6F-H...FF-H...OO-H...FO-H...O,旺]闿或EJHSZE飆【2009】(1)1s22s22P63s23P63d104s24P3 As (2)z卬 工.(3)三角錐 (4)As2O3+6Zn+6H2SO4=2AsH3T+6ZnSO4+3H2O(5)穩(wěn)定性:NH3>PH3>AsH3,因為鍵長越短,鍵能越大,化合物越穩(wěn)定沸點:NH3>AsH3>PH3,NH3可以形成分子間氫鍵,沸點最高;AsH3相對分子質(zhì)量比PH3大,分子間作用力大,因而AsH3的沸點比PH3高【2010】(1)2s22p4 V形(1分,2分)2F2+2H2O=4HF+O2 (2分)MgO晶格能大(MgO為2-2價態(tài)化合物)sp3和sp2 120° (5分)3:1:1(2分)(5)紫激發(fā)態(tài)的電子從能量較高的軌道躍遷到能量較低的軌道時,以一定波長(可見光區(qū)域)光的形式釋放能量 (1分,2分)【2011】⑴B2O3+3CaF2+3H2SO4=2BF3+3CaSO4+3H2O B2O3+2NH3高溫2BN+3H2O

(2)1s22s22pi N+3(4)共價鍵(極性共價鍵)分子間力25x4⑶120。 sp2(5)4 4正四面體(361.5x10-⑶120。 sp2(5)4 4正四面體A【2012?新課程理綜化學(xué)卷37】⑴sp3; (2)O>S>Se; ⑶34, 3s23p63d10(4)強。 平面三角型, 三角錐形;(5)①第一步電離后生成的負離子較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子;②HSeO和HSeO可表示成(HO)SeO和(HO)SeO。HSeO中的Se為+4價,而HSeO中的Se為+6價,正電性更高:導(dǎo)致Se-O-H中O的電子更向Se偏移,2越易電離出H+。 2 4一例「毅旭2押 或13572或1方而6gd十=41g 71-cosJ09-28* 10驢海(6) 」一, 二二:…【解析】:(1)因為S為環(huán)狀立體結(jié)構(gòu),所以為SP3;(6)第一問我們常碰到,后面一問要注意四個Zn2+在體內(nèi)的四個小立方體的中心,不在同一平面上,過b向上面作垂線,構(gòu)成直角三角形,兩邊分別為J2/4a1/4a,即可求出斜邊為J3/4a(a為晶胞邊長)。高考化學(xué)中往往不過分考查數(shù)學(xué)運算的技巧,此次也算一種“創(chuàng)新”吧?!?012?海南化學(xué)卷19-II】(2)4.7x10-23cm34.23x10-22g Ar(Cu)=63.6g/mol=4.23x10-22gxNA,得NA(2)4.7x10-23cm34.23x10-22g Ar(Cu)=63.6g/mol=4.23x10-22gxNA,得NA=6.01x1023mol-1O(3)sp3K2CuCl3(4)過氧化氫為氧化劑,氨與Cu形成配離子,兩者相互促進使反應(yīng)進行;Cu+H2O2+4NH3=Cu(NH3)42++2OH-【解析】⑴銅是29號元素,其基態(tài)原子的電子排布式為:1s22s22P63s23P63d104s1。(2)銅的晶胞為面心立方最密堆積,一個晶胞能分攤到4個Cu原子;1pm=10-10cm,故一個晶胞的體積為(361x10-10cm)3=4.7x10-23cm3;一個晶胞的質(zhì)量為4.7x10-23cm3x9.00g?cm-3=4.23x10-22g;由4.23x10-22g 4口Ar(Cu)=63.6g/mol= 4 xNA,得NA=6.01x1023mol-1。⑶KCuCl3中Cu元素的化合價為+2,則另一種無限長鏈結(jié)構(gòu)中的Cu元素的化合價為+1,CuCl3原子團的化合價為-2,故其化學(xué)式為K2CuCl3o(4)“金屬銅單獨與氨水或單獨與過氧化氫都不能反應(yīng),但可與氨水和過氧化氫的混合溶液反應(yīng)”,這是兩種物質(zhì)共同作用的結(jié)果:過氧化氫具有強氧化性,而氨水能與Cu2+形成配合物。【2012?山東理綜化學(xué)卷32】【解析】(1)金屬鍵沒有方向性和飽和性,a錯;金屬鍵是金屬陽離子和自由電子間的相互作用,b對;金屬導(dǎo)電是因為在外加電場作用下發(fā)生定向移動,c錯;金屬具有光澤是因為自由電子能夠吸收并放出可見光,d錯。(2)Ni的外圍電子排布為3d8期,3d能級上有2個未成對電子。第二周期中未成對電子數(shù)為2的元素有C、O,其中C的電負性小。(3)CO中C和O為叁鍵,含有1個。鍵、2個n鍵。(4)甲醇分子內(nèi)C的成鍵電子對為4,無孤電子對,雜化類型為sp3,甲醇分子內(nèi)O-C-H鍵角比甲醛分子內(nèi)O-C-H鍵角大。答案:(1)b (2)C (3)41:2 (4)sp3>【2012?江蘇化學(xué)卷21A物質(zhì)結(jié)構(gòu)】(1)①1s22s22p63s23p63d5(或[Ar]3d5)②平面三角形(2)①C三O②sp3 ③2*6.02*1023個(或2口。1)【解析】本題科學(xué)研究銅錳氧化物作背景,考查學(xué)生對電子排布、原子軌道雜化類型與空間構(gòu)型、等電子體原理、[Cu(OH)]2-結(jié)構(gòu)等《選修三》基礎(chǔ)知識的掌握和應(yīng)用能力。本題基礎(chǔ)性較強,重點特出?!緜淇继崾尽俊哆x修三》的知識點是單一的、基礎(chǔ)的,我們一定要確保學(xué)生不在這些題目上失分??磥磉€是得狠抓重要知識點,狠抓基礎(chǔ)知識,強化主干知識的鞏固和運用,這也許是我們高三復(fù)習(xí)的靈【2013?新課標卷H-37】(15分)資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考,如有不當之處,請聯(lián)系改正或者刪除資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考,如有不當之處,請聯(lián)系改正或者刪除 完整版學(xué)習(xí)資料分享 完整版學(xué)習(xí)資料分享 資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考,如有不當之處,請聯(lián)系改正或者刪除資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考,如有不當之處,請聯(lián)系改正或者刪除 完整版學(xué)習(xí)資料分享 完整版學(xué)習(xí)資料分享 資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考,如有不當之處,請聯(lián)系改正或者刪除資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考,如有不當之處,請聯(lián)系改正或者刪除----完整版學(xué)習(xí)資料分享--------完整版學(xué)習(xí)資料分享----_3i_(i)iniwititi(2分)(2)KF(每空2分,共4分)⑶①KzNiFd6(2分,1分,共3分)②(39x4+59x2+19x8)X6.02xl023x4002x1308*10-3。)=3.4(2分)⑷離子鍵、配位鍵 [FeF#-Q分,1分,1分,共4分)【2013?新課標卷1?37】(15分)解析:(1)基態(tài)原子核外電子排布能層指K、L、M、N、0、P、Q(表示第一、二、三、四、五、六、七能層)等,Si原子結(jié)構(gòu)示意圖(略),所以電子占據(jù)的最高能層符號為M,該能層分為3s3P3d能級,共9個軌道,Si原子核外電子排布式為Is22s2sp63s23P2,所以,電子數(shù)為4?!揪荆鹤⒁庑「拍?,小細節(jié):一直以來都叫電子層、能級,新教材稱為能層、能級,對“老”教師來說,要認真看教材了,第二個空容易一疏忽填成4,忽略了3d能級的軌道】(2)書本知識(硅是一種親氧元素,在氧化氣氛包圍的地球上,硅主要以熔點很高的氧化物及硅酸鹽的形式存在)。(3)Si的晶胞結(jié)構(gòu)為;六個面心各有1(3)Si的晶胞結(jié)構(gòu)為貢獻6xl/2=3個原子【8個頂點貢獻1個,還有4個在晶胞內(nèi)(把晶胞分為8個小立方體,這4個在互不相鄰的立方體的體心)】。(4)分析此反應(yīng),相當于NH4cl分解為N&和HC1,HC1和Mg?Si反應(yīng)生成Sif^和MgJ。(6)根據(jù)Si原子形成4個成鍵軌道,可以判斷為sp3雜化。 ?SiO,4-四面體通過共用頂角氧離子形成一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根,可知下圖中虛線框內(nèi)O原子為共用:,由此可知共用:,由此可知Si、O原子個數(shù)比為1:(2+2x1⑵=1:3;化學(xué)式為[SiO3]n2n-(或SiO32-)。參考答案:(1)M94 (2)二氧化硅 (3)共價鍵 3(4)Mg2Si+4NH4C1=SiH4+4NH3+2MgCl2(5)①C—C鍵和C—H鍵較強

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