功率器件行業(yè)市場深度分析及發(fā)展規(guī)劃咨詢

功率器件行業(yè)市場深度分析及發(fā)展規(guī)劃咨詢功率半導(dǎo)體行業(yè)概述根據(jù)《功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)及標(biāo)準(zhǔn)化白皮書（2019版）》，功率半導(dǎo)體按器件集成度可以分為功率器件和功率IC兩大類。功率器件包括二極管、晶體管和晶閘管三大類，其中晶體管市場份額最大，常見的晶體管主要包括MOSFET、IGBT、BJT等。功率IC是指將高壓功率器件與其控制電路、外圍接口電路及各種保護(hù)電路等集成于同一芯片的集成電路，是系統(tǒng)信號(hào)處理部分和執(zhí)行部分的橋梁。（一）功率半導(dǎo)體市場規(guī)模功率半導(dǎo)體的應(yīng)用十分廣闊，涉及電路控制和電能轉(zhuǎn)換的產(chǎn)品均離不開功率半導(dǎo)體的使用。根據(jù)Omdia的數(shù)據(jù)及預(yù)測，2021年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為462億美元（主要包括功率器件、功率IC和功率模組），預(yù)計(jì)2024年將達(dá)到522億美元。中國的功率半導(dǎo)體行業(yè)在國家相關(guān)政策支持、加速及資本推動(dòng)等因素合力下，取得了長足的進(jìn)步與發(fā)展。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)及預(yù)測，2021年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為182億美元，預(yù)計(jì)2024年將達(dá)206億美元，中國作為全球最大的功率半導(dǎo)體市場，發(fā)展前景十分廣闊。（二）功率器件市場功率半導(dǎo)體主要可分為功率器件和功率IC兩大類。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2020年全球功率器件市場規(guī)模約為149．82億美元。隨著各個(gè)領(lǐng)域?qū)β势骷碾妷汉凸ぷ黝l率要求逐漸提升，能較好滿足該需求的MOSFET等功率器件產(chǎn)品成為了功率器件的主流產(chǎn)品。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2020年全球MOSFET器件市場規(guī)模為80．8億美元，在所有功率器件類別中占比最高，占比達(dá)53．90%，且增速與功率器件總體增速接近，需求保持穩(wěn)定增長。（三）MOSFET細(xì)分市場的情況MOSFET全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是一種廣泛應(yīng)用于模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管，用于將輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化，可實(shí)現(xiàn)開關(guān)和信號(hào)放大等功能，與雙極型晶體管（BipolarJunctionTransistor，也稱BJT、三極管）和絕緣柵雙極晶體管（InsulatedGateBipolarTransistor，也稱IGBT）同屬于晶體管領(lǐng)域。MOSFET具有開關(guān)速度快、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好等特性，應(yīng)用于包括通信、消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控制在內(nèi)的眾多領(lǐng)域。根據(jù)芯謀研究（ICwise）數(shù)據(jù)，2021年全球MOSFET市場規(guī)模為113．2億美元，預(yù)計(jì)2025年將增長至150．5億美元，年化復(fù)合增長率達(dá)7．4%。全球MOSFET市場規(guī)模預(yù)計(jì)將保持穩(wěn)定擴(kuò)張，市場前景廣闊。2021年中國MOSFET市場規(guī)模約為46．6億美元，占全球市場的41%。預(yù)計(jì)2025年中國MOSFET市場規(guī)模將增長至64．7億美元，年化復(fù)合增長率為8．5%，增速高于全球市場增速。MOSFET和IGBT同屬于功率器件大類下的晶體管產(chǎn)品。與BJT相比，MOSFET可在低電流和低電壓條件下工作，也可用于大電流開關(guān)電路和高頻高速電路，應(yīng)用場景更為廣泛；MOSFET具有易于驅(qū)動(dòng)、輸入阻抗高、開關(guān)速度快、導(dǎo)通內(nèi)阻小等特點(diǎn)，結(jié)構(gòu)較BJT更為復(fù)雜；部分MOSFET可將源極和漏極互換運(yùn)用，柵極可正可負(fù)，靈活性較BJT更優(yōu)。IGBT兼具BJT的高耐壓和MOSFET輸入阻抗高的特性，適用于高電壓、大電流場合。根據(jù)工作電壓劃分，以400V為分界，MOSFET可分為高壓MOSFET和中低壓MOSFET；根據(jù)器件結(jié)構(gòu)劃分，MOSFET可分為平面MOSFET、溝槽型MOSFET、超結(jié)MOSFET等。根據(jù)芯謀研究，2021年全球平面MOSFET的市場規(guī)模約為20．8億美元，預(yù)計(jì)2025年可增長至30．2億美元；2021年全球溝槽型MOSFET的市場規(guī)模約為19．0億美元，預(yù)計(jì)2025年可增長至23．9億美元；2021年全球超結(jié)MOSFET的市場規(guī)模約為6．8億美元，預(yù)計(jì)2025年可增長至10．7億美元。整體來看，未來三類MOSFET的市場規(guī)模均將繼續(xù)增長，三類MOSFET共存于市場。國產(chǎn)化率方面，整體來看高壓MOSFET的國產(chǎn)化率低于中低壓產(chǎn)品。根據(jù)芯謀研究，2021年中低壓平面（400V以下）MOSFET的國產(chǎn)化率約為42．2%，高壓平面MOSFET的國產(chǎn)化率約為29．9%，超高壓平面MOSFET的國產(chǎn)化率約為18．2%。MOSFET的主要技術(shù)發(fā)展維度包括器件結(jié)構(gòu)、制程、工藝、材料等多個(gè)方面，MOSFET的發(fā)展不高度依賴于先進(jìn)制程工藝，更側(cè)重于打造特色平臺(tái)，在結(jié)構(gòu)、工藝及材料方面不斷優(yōu)化?；贛OSFET不追求極致線寬、不必遵循摩爾定律的技術(shù)發(fā)展特點(diǎn)，MOSFET產(chǎn)品的整體研發(fā)方向?yàn)椋涸诳紤]成本因素的前提下，進(jìn)一步優(yōu)化工藝以提升良率、改進(jìn)優(yōu)化器件參數(shù)，達(dá)到性能、成本、可靠性的最優(yōu)解。具體來看，三類MOSFET的研發(fā)難度各有側(cè)重；平面MOSFET偏重于設(shè)計(jì)和工藝的結(jié)合，溝槽型MOSFET和超結(jié)MOSFET偏重于實(shí)現(xiàn)工藝，對設(shè)備精度的依賴性更高。三類MOSFET均可應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域，以消費(fèi)電子代表性品類智能家居產(chǎn)品為例，根據(jù)StrategyAnalytics數(shù)據(jù)，擁有一件以上智能家居產(chǎn)品的家庭比例將由2021年的15%上升至2025年的接近20%，智能家居市場規(guī)模將從2021年的1，230億美元增長至2025年的1，730億美元，亞太地區(qū)將成為最大的智能家居市場，市場前景廣闊。以工業(yè)控制領(lǐng)域代表性應(yīng)用產(chǎn)品逆變器為例，根據(jù)GlobalMarketInsight數(shù)據(jù)，全球光伏逆變器市場規(guī)模預(yù)計(jì)將從2021年的191．8億美元增長至2028年的270億美元以上，根據(jù)當(dāng)前6%的功率器件成本占比計(jì)算，光伏逆變器中使用的功率器件市場規(guī)模超過100億元人民幣，市場前景廣闊。超結(jié)MOSFET的下游應(yīng)用市場主要受新能源汽車帶動(dòng)，以其代表性應(yīng)用場景新能源充電樁為例，根據(jù)中國電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施促進(jìn)聯(lián)盟數(shù)據(jù)，2021年中國新能源充電樁市場規(guī)模達(dá)418．7億元，預(yù)計(jì)2026年可增長至2，870．2億元，巨大增長空間中將產(chǎn)生大量超結(jié)MOSFET需求，具有廣闊的市場前景。未來三類MOSFET的市場規(guī)模將繼續(xù)保持增長，體現(xiàn)出三類MOSFET之間主要為互補(bǔ)關(guān)系；三類MOSFET的下游應(yīng)用領(lǐng)域均包含消費(fèi)電子、工業(yè)控制等，具有廣闊的市場前景。長期以來，以英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體、東芝、瑞薩為代表的國外品牌憑借先進(jìn)制造優(yōu)勢、人才集聚優(yōu)勢、大規(guī)模研發(fā)投入和技術(shù)積累，目前占據(jù)全球MOSFET市場的主要份額。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，以銷售額計(jì)，2020年MOSFET市場前七大品牌的市場占有率合計(jì)達(dá)到68．09%。市場競爭格局相對穩(wěn)定。我國知名功率半導(dǎo)體企業(yè)華潤微、士蘭微分別位列第八位和第十位，安世半導(dǎo)體（已被聞泰科技收購）位列第九位，三家合計(jì)市場份額占比10．26%。這表明國產(chǎn)品牌經(jīng)過多年發(fā)展已在國際競爭中嶄露頭角，但整體市場份額較國外品牌仍存差距。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2020年英飛凌和安森美分別占據(jù)了中國MOSFET市場產(chǎn)品銷售額的24．87%和16．53%，中國本土最大的MOSFET品牌華潤微市場占有率約為9%，排名第三。近年來，在政府的政策引導(dǎo)及資金扶持下，國內(nèi)MOSFET市場蓬勃發(fā)展，MOSFET廠商資本支出和研發(fā)投入持續(xù)提升，涌現(xiàn)出華潤微、士蘭微、華微電子、新潔能、東微半導(dǎo)等一批國內(nèi)廠商，與國外品牌進(jìn)行市場競爭，標(biāo)志著國內(nèi)MOSFET品牌與國外品牌的技術(shù)差距正在縮小。（四）功率IC行業(yè)概況1、功率IC市場規(guī)模根據(jù)QYResearch測算，2021年全球PWM控制IC的市場規(guī)模為46．23億美元，預(yù)計(jì)2028年將達(dá)到67．70億美元，年化增長率為4．92%。2021年中國PWM控制IC的市場規(guī)模約為17．86億美元，預(yù)計(jì)2028年將達(dá)到30．12億美元，年化增長率達(dá)7．28%；其中中國高可靠領(lǐng)域PWM控制IC市場規(guī)模為4．55億美元，預(yù)計(jì)2028年將達(dá)到7．61億美元，年化增長率達(dá)7．63%。2021年全球柵極驅(qū)動(dòng)IC市場規(guī)模為22．9億美元，預(yù)計(jì)2025年將達(dá)到37．5億美元，年化增長率達(dá)13．12%。國內(nèi)柵極驅(qū)動(dòng)IC的市場規(guī)模以及應(yīng)用于高可靠領(lǐng)域的市場規(guī)模數(shù)據(jù)暫無公開資料，按照中國電源管理IC市場規(guī)模約占據(jù)全球約40%市場份額估算，2021年國內(nèi)柵極驅(qū)動(dòng)IC市場規(guī)模為9．2億美元，預(yù)計(jì)2025年將達(dá)到15．0億美元，中國高可靠領(lǐng)域柵極驅(qū)動(dòng)IC的市場規(guī)模尚無公開數(shù)據(jù)。2、功率IC競爭格局高可靠領(lǐng)域電子元器件市場相對特殊，對供應(yīng)商的各項(xiàng)資質(zhì)、研發(fā)實(shí)力和質(zhì)量管理體系有相當(dāng)嚴(yán)格的要求，對產(chǎn)品的質(zhì)量、可靠性和長期持續(xù)穩(wěn)定供貨能力更為關(guān)注。高可靠領(lǐng)域客戶一般首先考慮向現(xiàn)有合格供應(yīng)商采購，在現(xiàn)有合格供應(yīng)商提供的產(chǎn)品無法滿足需求時(shí)，才會(huì)委托新的供應(yīng)商開發(fā)新產(chǎn)品，且新產(chǎn)品認(rèn)證周期較長，因此國內(nèi)高可靠領(lǐng)域功率IC產(chǎn)品的市場參與者均具有各自相對擅長的產(chǎn)品領(lǐng)域和較為穩(wěn)定的下游訂單需求，行業(yè)內(nèi)市場化競爭程度較為溫和。3、功率IC產(chǎn)品的技術(shù)門檻功率IC產(chǎn)品屬于模擬IC的一種，在產(chǎn)品研發(fā)設(shè)計(jì)時(shí)需要在速度、功耗、增益、精度、電源電壓、工藝、工作溫度、噪聲、面積等多種因素間進(jìn)行考量。功率IC產(chǎn)品內(nèi)部由多種功能模塊電路構(gòu)成，內(nèi)部集成的功能模塊有高精度低溫漂的電壓基準(zhǔn)源、電流基準(zhǔn)源、線性穩(wěn)壓器、高頻振蕩器、輸出驅(qū)動(dòng)模塊及各種保護(hù)模塊，需要充分考慮噪聲、串?dāng)_等在各功能模塊間的影響，每個(gè)功能模塊電路均會(huì)影響到功率IC的性能指標(biāo)，影響功率IC產(chǎn)品的研發(fā)速度和成功率，版圖的布局布線的復(fù)雜度較高。因此對于功率IC設(shè)計(jì)企業(yè)來講，需要相對專業(yè)資深的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)，不斷進(jìn)行功能模塊IP電路的驗(yàn)證和儲(chǔ)備，才能打磨出高性能的功率IC產(chǎn)品。功率IC產(chǎn)品集成了低壓CMOS、中壓CMOS、高壓CMOS、LDMOS、雙極器件、各種阻容等多種器件，需采用高壓BCD工藝來進(jìn)行設(shè)計(jì)研發(fā)。由于功率IC產(chǎn)品的市場需求多樣，晶圓代工廠提供的BCD工藝平臺(tái)往往無法完全滿足產(chǎn)品設(shè)計(jì)的要求，因此IC設(shè)計(jì)企業(yè)需同時(shí)具備工藝和器件的研發(fā)能力，能夠針對線路設(shè)計(jì)過程中的需求開發(fā)功率IC產(chǎn)品所需要的工藝平臺(tái)。高壓BCD工藝層次多，器件結(jié)構(gòu)復(fù)雜，對功率IC產(chǎn)品研發(fā)提出較高的要求。PWM控制IC可用于AC-DC或隔離式DC-DC開關(guān)電源模塊。為滿足不同應(yīng)用場景的性能指標(biāo)要求，開關(guān)電源模塊的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)較多，可以分為反激、正激、推挽、半橋、全橋、移相全橋等，針對不同功率的應(yīng)用場景需采用不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的研發(fā)難度亦有所不同。面對多樣化的下游需求，設(shè)計(jì)企業(yè)需具備較多PWM控制IC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)研發(fā)能力和對應(yīng)的工藝平臺(tái)開發(fā)能力。開關(guān)頻率的高低影響到開關(guān)電源系統(tǒng)的功率密度。開關(guān)頻率高，則可以減小磁性元件、容性元件等無源器件的尺寸和體積，從而降低電源系統(tǒng)的重量和體積，但系統(tǒng)體積減小，則帶來熱管理問題。因此在提高開關(guān)頻率的同時(shí)，還要確保系統(tǒng)高的工作效率，降低熱損耗。柵極驅(qū)動(dòng)IC內(nèi)部電路工作在100~600V的高壓下，產(chǎn)品損耗和傳輸延時(shí)之間呈現(xiàn)負(fù)相關(guān)關(guān)系，即傳輸延遲越小，損耗越大，限制了產(chǎn)品的工作頻率。因此，柵極驅(qū)動(dòng)IC需解決如何在高工作頻率、低損耗的前提下，實(shí)現(xiàn)低傳輸延遲。電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)需在極強(qiáng)扭矩的場合下工作，因此柵極驅(qū)動(dòng)IC需保證在短時(shí)間內(nèi)能夠工作在100%占空比下，使高邊功率器件持續(xù)導(dǎo)通，輸出強(qiáng)功率，對柵極驅(qū)動(dòng)IC的線路設(shè)計(jì)提出較高的要求。柵極驅(qū)動(dòng)IC的高邊電路的地電平為浮地，該電平會(huì)在負(fù)電平、零電壓電平和高壓驅(qū)動(dòng)母線電平之間來回跳變，在浮地電平跳變過程中，驅(qū)動(dòng)IC的電平位移電路和驅(qū)動(dòng)輸出電路需具有高的抗dv/dt和負(fù)壓能力，保證輸出信號(hào)的正確性，這就要求研發(fā)團(tuán)隊(duì)兼具版圖設(shè)計(jì)和工藝平臺(tái)開發(fā)的能力。功率半導(dǎo)體行業(yè)競爭我國功率半導(dǎo)體市場梯隊(duì)化競爭格局明顯。第一梯隊(duì)為美國德州儀器、歐洲英飛凌、日本東芝等國際大型半導(dǎo)體公司，這些企業(yè)憑借先進(jìn)技術(shù)和豐富經(jīng)驗(yàn)處于行業(yè)領(lǐng)先地位；第二梯隊(duì)為國內(nèi)領(lǐng)先規(guī)模較大的功率半導(dǎo)體企業(yè)，如銀河微電、聞泰科技、士蘭微、揚(yáng)杰科技等，這些企業(yè)具備IDM經(jīng)營能力和一定的自主創(chuàng)新能力，近年來在國家政策的助力下在部分優(yōu)勢領(lǐng)域逐步實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代；第三梯隊(duì)是從事特定環(huán)節(jié)生產(chǎn)制造的企業(yè)，如某種芯片設(shè)計(jì)制造或幾種規(guī)格封裝測試。從發(fā)展趨勢看，我國功率半導(dǎo)體市場逐漸向頭部企業(yè)靠攏，2020-2021年我國功率半導(dǎo)體行業(yè)CR5由22．05%提升至29．58%。功率半導(dǎo)體上游功率半導(dǎo)體上游為原材料，包括硅片（研磨片、拋光片和外延片）、鉬片、引線框架、管殼及散熱器等，涉及材料工業(yè)、裝備制造業(yè)、化學(xué)工業(yè)等行業(yè)，原材料價(jià)格直接影響到下游企業(yè)整體成本。功率半導(dǎo)體下游應(yīng)用廣泛，幾乎涵蓋所有電子制造業(yè)，包括為消費(fèi)電子、工業(yè)控制、電力傳輸和新能源等領(lǐng)域。中國功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析（一）中國功率半導(dǎo)體市場需求高景氣，代表企業(yè)產(chǎn)品銷量逐年增長中國是全球功率半導(dǎo)體最大需求國，新能源光伏發(fā)展有望帶動(dòng)比重進(jìn)一步提升。隨著工業(yè)控制、通信和消費(fèi)電子等核心下游不斷往國內(nèi)轉(zhuǎn)移，中國已成長為全球最大的功率半導(dǎo)體需求國之一。功率半導(dǎo)體用于所有電力電子領(lǐng)域，應(yīng)用范圍涵蓋電源管理、計(jì)算機(jī)及外設(shè)設(shè)備、通信、消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控制等多個(gè)領(lǐng)域。傳統(tǒng)市場成熟穩(wěn)定且增速緩慢。行業(yè)發(fā)展主要依靠新興領(lǐng)域如新能源汽車、可再生能源發(fā)電、變頻家電等帶來的巨大需求缺口。整體來看，2018年以來，隨著國內(nèi)經(jīng)濟(jì)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型升級(jí)，物聯(lián)網(wǎng)、新能源、新材料、節(jié)能環(huán)保和新一代通信網(wǎng)絡(luò)等新興行業(yè)強(qiáng)力發(fā)展，推動(dòng)了我國電子制造產(chǎn)業(yè)快速回升，大大拉升了對上游功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求。功率半導(dǎo)體代表性企業(yè)逐步擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，隨著公司與既有客戶的合作關(guān)系日趨穩(wěn)固，以及公司不斷打開新的市場，產(chǎn)品銷量同步呈不斷提高的趨勢。自2020年下半年起，國內(nèi)功率半導(dǎo)體需求呈現(xiàn)高景氣特征，疊加產(chǎn)能不足因素，供求出現(xiàn)顯著錯(cuò)配。自2020年11月以來，相關(guān)功率半導(dǎo)體龍頭公司紛紛宣布提價(jià)。2021年2月，士蘭微發(fā)布部分產(chǎn)品品類漲價(jià)通知，包括MOS類、IGBT、SBD、FRD、功率對管等。另外，瑞薩火災(zāi)等意外事件也使得本已緊張的全球產(chǎn)能更加吃緊。（二）中國功率半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)出口總額整體呈增長趨勢，貿(mào)易逆差波動(dòng)變化近年來，我國功率半導(dǎo)體制造進(jìn)出口貿(mào)易情況總體較好，2017-2021年進(jìn)出口總額呈波動(dòng)上升態(tài)勢，2021年為309．44億美元，較2020年增長27．88%。其中，進(jìn)口金額為18．35億美元，出口金額為12．59億美元，貿(mào)易逆差為5．76億美元。從中國功率半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)口來源地的金額占比來看，中國保稅區(qū)、馬來西亞、日本、菲律賓、臺(tái)澎金馬關(guān)稅區(qū)、德國、韓國、匈牙利、泰國、墨西哥、馬來西亞是我國功率半導(dǎo)體行業(yè)的前十大進(jìn)口來源地，進(jìn)口金額的占比分別為49．49%、11．43%、7．52%、5．90%、、5．75%、3．67%、3．44%、2．85%、2．47%、1．38%、0．44%。從中國功率半導(dǎo)體制造行業(yè)出口地的金額占比來看，中國香港、新加坡、德國、臺(tái)澎金馬關(guān)稅區(qū)、日本、美國、韓國、越南、印度、泰國是我國功率半導(dǎo)體制造行業(yè)的前十大出口地，出口金額占比分別為18．37%、12．91%、9．75%、5．19%、4．29%、3．26%、2．45%、2．21%、1．91%和1．81%。尤其是對中國香港的出口金額，占據(jù)了我國功率半導(dǎo)體制造行業(yè)出口金額的58．28%，是功率半導(dǎo)體行業(yè)的主要出口地。（三）中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模波動(dòng)變化新能源汽車、風(fēng)電、光伏等應(yīng)用市場容量持續(xù)擴(kuò)張，以及第三代半導(dǎo)體技術(shù)升級(jí)，推動(dòng)功率半導(dǎo)體市場規(guī)模持續(xù)增長。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2018年全球功率器件市場規(guī)模約為481億美元，年復(fù)合增長率達(dá)到9．1%，我國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)到183億美元，占全球需求比例高達(dá)38%。2019年貿(mào)易摩擦干擾整體市場收入略微下降至177億美元，2020年受疫情對終端需求短期的影響，根據(jù)Omdia的統(tǒng)計(jì)，中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模相對2019年同比下降2．8%左右至172億美元。2021年汽車、消費(fèi)類電子等抑制性需求釋放將帶動(dòng)功率半導(dǎo)體市場整體迎來復(fù)蘇，隨著疫情后企業(yè)復(fù)工復(fù)產(chǎn)有序開展，初步核算2021年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)?；蚍磸椫?83億美元，同比增長6．3%。功率半導(dǎo)體行業(yè)特點(diǎn)和發(fā)展趨勢目前高端功率半導(dǎo)體產(chǎn)品仍然主要由美、日、歐龍頭廠商主導(dǎo)，國內(nèi)廠商與國外龍頭企業(yè)仍存在較大差距。根據(jù)StrategyAnalytics數(shù)據(jù)，2020年全球功率半導(dǎo)體市場份額前五大企業(yè)占據(jù)近70%市場份額，其中英飛凌處于絕對領(lǐng)先地位，獨(dú)占30%市場份額，市場份額前五大企業(yè)均為國外企業(yè)，國內(nèi)廠商市場份額僅占10%左右，發(fā)展空間大。（一）功率半導(dǎo)體行業(yè)第三代半導(dǎo)體材料帶來新的發(fā)展機(jī)遇以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料給功率半導(dǎo)體行業(yè)帶來了新的發(fā)展契機(jī)，SiC材料相對于硅基材料主要擁有優(yōu)勢：耐高壓、耐高溫、工作頻率高。耐高壓SiC的擊穿場強(qiáng)約為硅的10倍，這就意味著同樣電壓等級(jí)的SiCMOSFET晶圓外延層厚度只要硅的十分之一，是應(yīng)用于超高壓功率器件的理想材料。耐高溫SiC的禁帶寬度是硅基材料的3倍，SiC的熱導(dǎo)率是硅基材料的2-3倍，故SiC功率器件的應(yīng)用可使散熱器體積減小。高頻SiC的電子飽和速度是硅基材料的2-3倍，SiC功率器件可實(shí)現(xiàn)10倍于硅基功率器件的工作頻率。國家設(shè)立了2030年前碳排放達(dá)峰，2060年前碳中和的雙碳戰(zhàn)略目標(biāo)，未來制造業(yè)企業(yè)將進(jìn)一步提升能源利用效率、減少碳排放，SiC憑借低功耗、耐高壓、耐高溫、高頻等優(yōu)勢特性，在助力國家實(shí)現(xiàn)碳中和戰(zhàn)略目標(biāo)方面具有重要作用，其應(yīng)用