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分立元件門電路第一頁,共八十四頁,2022年,8月28日§3.1概述
門:電子開關(guān)滿足一定條件時(shí),電路允許信號(hào)通過
開關(guān)接通。開門狀態(tài):關(guān)門狀態(tài):條件不滿足時(shí),信號(hào)通不過
開關(guān)斷開。第二頁,共八十四頁,2022年,8月28日開關(guān)作用二極管反向截止:開關(guān)接通開關(guān)斷開三極管(C,E)飽和區(qū):截止區(qū):開關(guān)接通CEB開關(guān)斷開正向?qū)ǎ篊EB第三頁,共八十四頁,2022年,8月28日§3.2分立元件門電路FABD1D2+12V3.9KR邏輯變量0V3V邏輯函數(shù)uAuBuF0V0V0.3V0V3V0.3V3V0V0.3V3V3V3.3V一、二極管與門(uD=0.3V)第四頁,共八十四頁,2022年,8月28日規(guī)定高電位:1低電位:0正邏輯極性指定負(fù)邏輯極性指定高電位:0低電位:1混合邏輯I:負(fù)邏輯O:正邏輯一般采用正邏輯I:正邏輯(input)O:負(fù)邏輯(output)第五頁,共八十四頁,2022年,8月28日0.3V3.3VFABD1D2+12V3.9KR0V3V“0”“1”“1”“0”第六頁,共八十四頁,2022年,8月28日uAuBuF0V0V0.3V0V3V0.3V3V0V0.3V3V3V3.3V000010輸入輸出
ABF100111真值表:真值表:
n個(gè)變量N=2n種組合第七頁,共八十四頁,2022年,8月28日000010輸入輸出
ABF100111真值表功能:當(dāng)A與B都為高時(shí),輸出F才為高。F是A和B的與函數(shù)邏輯式:F=A?B“?”:邏輯與運(yùn)算邏輯乘法運(yùn)算111第八頁,共八十四頁,2022年,8月28日邏輯符號(hào):&ABF二極管與門任0則0全1則1口訣:波形圖(時(shí)序圖)ABF第九頁,共八十四頁,2022年,8月28日二、二極管或門FABD1D2-12VR0V3V-0.3V2.7VuAuBuF0V0V-0.3V0V3V2.7V3V0V2.7V3V3V2.7V(uD=0.3V)第十頁,共八十四頁,2022年,8月28日FABD1D2-12VR0V3V“0”“1”-0.3V2.7V“1”“0”000011輸入輸出
ABF101111真值表真值表第十一頁,共八十四頁,2022年,8月28日功能:當(dāng)A或者B任意有一個(gè)為高,或同時(shí)都為高時(shí),輸出F就為高。F是A和B的或函數(shù)。邏輯式:F=A+B“+”:邏輯或運(yùn)算邏輯加法運(yùn)算000011輸入輸出
ABF101111真值表011101111第十二頁,共八十四頁,2022年,8月28日邏輯符號(hào):ABF二極管或門任1則1全0則0口訣:波形圖(時(shí)序圖)ABF第十三頁,共八十四頁,2022年,8月28日三、三極管非門AF0.3V3.2V保證UA=0.3V時(shí),三極管可靠截止1)當(dāng)UA=0.3V時(shí):+2.5VD+12V1.5K1K18K-12VP=30T工作情況:設(shè):T截止要求:UBE0.5V第十四頁,共八十四頁,2022年,8月28日當(dāng)UA=0.3V時(shí):設(shè):IB=0A0.3V1.5K1K18K-12VP+12VF+2.5VD=30TIBUp=-12/18+0.3/1.51/18+1/1.5=-1.8VD導(dǎo)通,起箝位作用:
UD=0.7V
箝位二極管Up<0.5VT截止
UF=2.5V+0.7V=3.2V3.2V第十五頁,共八十四頁,2022年,8月28日2)當(dāng)UA=3.2V時(shí):設(shè):T飽和導(dǎo)通.A3.2V1.5K1K18K-12VP+12VF+2.5VD=30TIB
IBsT的UCES=0.3V,UBE=0.7V。即UF=0.3V,D截止。檢驗(yàn)T飽和條件:臨界飽和基極電流=ICS
第十六頁,共八十四頁,2022年,8月28日估算IB:先計(jì)算IBS:IBS=(12-0.3)/1K30=0.39mA=0.96mA
IB
>
IBs,T飽和的假設(shè)成立。得:UF=0.3VA3.2V1.5K1K18K-12VP+12VF+2.5VD=30TICIBI1I2I1=I2+IB0.3V第十七頁,共八十四頁,2022年,8月28日0110真值表FAD+12V+2.5V1.5K1K18K-12VP=300.3V3.2V0.3V3.2V輸入輸出
AF“0”“1”“1”“0”第十八頁,共八十四頁,2022年,8月28日0110
真值表輸入輸出
AF功能:當(dāng)A為高時(shí),輸出F為低;A為低時(shí),F(xiàn)為高。F是A的非函數(shù)。邏輯式:F=邏輯求反運(yùn)算“–”:邏輯非運(yùn)算第十九頁,共八十四頁,2022年,8月28日邏輯符號(hào):三極管非門波形圖(時(shí)序圖)A1AFF求反運(yùn)算第二十頁,共八十四頁,2022年,8月28日四、DTL電路ABD1D2+12V3.9KR二極管與門與非門:A?BAB(Diode—TransistorLogic)-12V三極管非門D+12V+2.5V1.5K1K18KP=30F第二十一頁,共八十四頁,2022年,8月28日與非門:任0則1全1則0口訣:&ABF邏輯式:邏輯符號(hào):F=第二十二頁,共八十四頁,2022年,8月28日或非門:ABD1D2-12VR二極管或門A+BD+12V+3V1.5K1K18K-12VP=30三極管非門FA+B第二十三頁,共八十四頁,2022年,8月28日或非門:任1則0全0則1口訣:ABF邏輯式:邏輯符號(hào):F=第二十四頁,共八十四頁,2022年,8月28日采用不同的邏輯極性,則實(shí)現(xiàn)的邏輯關(guān)系也不同。例:二極管與門(正邏輯)AB+12VR0V3V0.3V3.3VFLLL000111001110LHL010
101011100HLL100011101
010HHH111000110001I:+O:-
ABF正邏輯負(fù)邏輯混合邏輯混合邏輯電平狀態(tài)表邏輯真值表I:-
O:+(ABF)(ABF)第二十五頁,共八十四頁,2022年,8月28日LLL000111001110LHL010
101011100HLL100011101
010HHH111000110001I:+O:-
ABF正邏輯負(fù)邏輯混合邏輯混合邏輯電平狀態(tài)表邏輯真值表I:-
O:+(ABF)(ABF)正邏輯負(fù)邏輯混合邏輯混合邏輯(I:+O:-)(I:-
O:+)邏輯式:F=ABF=A+BF=ABF=A+B
邏輯關(guān)系:正與門;負(fù)或門;
混合邏輯與非門,或非門。注意:若無特殊說明,一般均采用正邏輯。
第二十六頁,共八十四頁,2022年,8月28日邏輯關(guān)系:正邏輯負(fù)邏輯混合邏輯混合邏輯(I:+O:-)(I:-
O:+)正與門;負(fù)或門;混合邏輯:與非門,或非門。正與非門;負(fù)或非門;混合邏輯:與門,或門。正非門;負(fù)非門;
混合邏輯:邏輯恒等。注意:一般均采用正邏輯。
第二十七頁,共八十四頁,2022年,8月28日1、體積大、工作不可靠。2、需要不同電源。3、各種門的輸入、輸出電平不匹配。分立元件門電路的缺點(diǎn)第二十八頁,共八十四頁,2022年,8月28日
§3.3TTL與非門
數(shù)字集成電路:在一塊半導(dǎo)體基片上制作出一個(gè)完整的邏輯電路所需要的全部元件和連線。使用時(shí)接:電源、輸入和輸出。數(shù)字集成電路具有體積小、可靠性高、速度快、而且價(jià)格便宜的特點(diǎn)。TTL型電路:輸入和輸出端結(jié)構(gòu)都采用了半導(dǎo)體晶體管,稱之為:Transistor—TransistorLogic。第二十九頁,共八十四頁,2022年,8月28日100個(gè)以下:小規(guī)模集成電路
(SmallScaleIntegration:SSI)幾百個(gè):中規(guī)模集成電路(MediumScaleIntegration:MSI
)幾千個(gè):大規(guī)模集成電路(LargeScaleIntegration:LSI
)一萬個(gè)以上:超大規(guī)模集成電路(VeryLargeScaleIntegration:VLSI
)名稱第三十頁,共八十四頁,2022年,8月28日3.3.1TTL與非門電路結(jié)構(gòu)和工作原理一、結(jié)構(gòu)0.3V3.4V+5VABCFR4R2R13kT2R5R3T3T4T1T51007503603K第三十一頁,共八十四頁,2022年,8月28日+5VABCR1T1R2T2R3FR4R5T3T4T5輸入級(jí)輸出級(jí)中間級(jí)第三十二頁,共八十四頁,2022年,8月28日T1與R1組成輸入級(jí):T1—多發(fā)射極晶體管:實(shí)現(xiàn)“與”運(yùn)算。等效電路
b1=A?B?C
c1+5VR1T1b1ABCc1AB+5Vb1R1C第三十三頁,共八十四頁,2022年,8月28日+5VR1c1T1b1ABCR2T2R3FR4R5T3T4T5“與”“非”復(fù)合管形式與非門輸出級(jí)第三十四頁,共八十四頁,2022年,8月28日+5VR1c1T1b1ABCR2T2R3FR4R5T3T4T5“與”“非”復(fù)合管形式
TTL與非門輸出級(jí)0.3V3.4V第三十五頁,共八十四頁,2022年,8月28日二、工作原理1、任一輸入為低電平(0.3V)時(shí)+5VFR4R2R1R5R3T3b1ABC“0”
截止c1T1T5T2T41V0.3V第三十六頁,共八十四頁,2022年,8月28日UF=5-UBE3-UBE4-UR2
3.4V高電平!+5V“0”FR4R2R13kR5T3T4T1b1c1ABC1VUFRLT2
,T5:截止邏輯關(guān)系:任0則1第三十七頁,共八十四頁,2022年,8月28日2.輸入全為高電平(3.4V)時(shí)4.1V3.4V“1”(3.4V)T5T4發(fā)射結(jié)全反偏R2+5VFR4R1T2R5R3T3T1b1c1ABC電位箝在2.1V0.7V1.4V第三十八頁,共八十四頁,2022年,8月28日2.輸入全為高電平(3.4V)時(shí)全導(dǎo)通(T2、
T5飽和)T5T4R2截止T1:倒置狀態(tài)C、E作用顛倒+5VFR4R1T2R5R3T3T1b1c1ABC1V0.7V1.4V“1”(3.4V)發(fā)射結(jié)全反偏電位箝在2.1V第三十九頁,共八十四頁,2022年,8月28日UF=0.3V飽和T1T2T5T2:截止邏輯關(guān)系:全1則0+5VFR2R13kR3b1c1ABC“1”(3.4V)電位箝在2.1V發(fā)射結(jié)全反偏第四十頁,共八十四頁,2022年,8月28日TTL與非門&ABCF輸入任0:T2、T5截止,T3、T4導(dǎo)通;U0=U0H
。輸入全1:T4截止,T2、T5飽和導(dǎo)通;U0=U0L
。邏輯關(guān)系:任0則1全1則0與非門第四十一頁,共八十四頁,2022年,8月28日3.3.2TTL與非門外特性和參數(shù)測(cè)試電路一、電壓傳輸特性:UO
UI&+5VUIUOR第四十二頁,共八十四頁,2022年,8月28日簡(jiǎn)化的傳輸特性(UOUI)曲線—二值性曲線UOHUOLUIHUIL1.4UTUO(V)UI(V)1231230截止區(qū)(T5:關(guān)門)轉(zhuǎn)折區(qū)(過渡區(qū))飽和區(qū)(T5:開門)閾值電壓:UT=1.4V
門檻電壓(Threshold)+5VFR4R2R13kT2R5R3T3T4T1T5b1c1ABC1007503603K第四十三頁,共八十四頁,2022年,8月28日
通用:UOH2.4V,
UOL
0.4V
典型值:
輸出高電平UOH=3.4V
輸出低電平UO
L
=0.3V
閾值電壓
UT
=1.4V1.輸出端2.輸入端:
典型值:輸入高電平
UIH=3.4V
輸入低電平
UIL
=0.3V
通用:UIUT
UI=“1”,與非門開門UO
L;
UI<UT
UI=“0”,與非門關(guān)門
UOH。
典型參數(shù):第四十四頁,共八十四頁,2022年,8月28日二、輸入負(fù)載特性(UIRI)
UIVRIC+5VR4R2R13kb1100750FT2R5R3T3T4T1T5c1AB3603K第四十五頁,共八十四頁,2022年,8月28日UI=RIRI+R1(5-UBE1)=4.3RI3+RI例:RI=0.5K
UI=0.6V<UT
UI為低電平當(dāng)RI較小時(shí):設(shè):T2、T5截止截止R4T2R3c1T1+5VR13kT5b1RIUIR2R5T3T4F第四十六頁,共八十四頁,2022年,8月28日當(dāng)RI較小時(shí):UI<UT,
T2、
T5截止,T3、T4導(dǎo)通:UF=UOH。T1+5VR13kb1RIUIR2R4R5T3T4UFRLF第四十七頁,共八十四頁,2022年,8月28日當(dāng)UI=UT時(shí),T5將飽和導(dǎo)通:UF=UOL;此時(shí)RI=?求出:RI=1.45K
臨界電阻即:1.45K;1.4=RIRI+3(5-UBE1)1.4V當(dāng)RI1.45K時(shí)
箝位UI=1.4V,UF=
UOL。1.45K飽和UF=UOL+5VRIFR2R13kT2R3T1T5b1c12.1V1.4V0.7V第四十八頁,共八十四頁,2022年,8月28日20RI(K)UI(V)12310.60.51.41.45多余輸入端處理:接+5V若懸空:UI=“1”輸入端并聯(lián)使用對(duì)應(yīng):UOH對(duì)應(yīng):UOLABCF
UIVRI&第四十九頁,共八十四頁,2022年,8月28日RI
UI關(guān)系
:RI1.45K時(shí):輸入端(UI)相當(dāng)于接“1”(高電平);RI<1.45K時(shí):輸入端(UI)相當(dāng)于接“0”(低電平);RI=
(輸入端懸空)時(shí):相當(dāng)于接“1”
(高電平)。
第五十頁,共八十四頁,2022年,8月28日三、扇出系數(shù)(fanout)
與非門輸出驅(qū)動(dòng)同類門的個(gè)數(shù):N8
。與非門的扇出系數(shù)一般是10。——帶負(fù)載能力驅(qū)動(dòng)器:扇出系數(shù)可以大于20。第五十一頁,共八十四頁,2022年,8月28日1.與非門輸出為高電平時(shí):(UIL:T2、T5截止,T3、
T4導(dǎo)通。)
拉電流:IOH(幾百)iORL(等效)拉電流能力:維持UOH時(shí),所允許的最大拉電流值。+5VR4R2R5T3T4UOH第五十二頁,共八十四頁,2022年,8月28日2.與非門輸出為低電平時(shí):iORL+5V(等效)灌電流:IOL約十幾mA灌電流能力:維持UOL時(shí),所允許的最大灌電流值。+5VR2R13kT2R3T1T5b1c1UOL第五十三頁,共八十四頁,2022年,8月28日四、動(dòng)態(tài)特性tuiotuoo50%50%tp1tp2導(dǎo)通傳輸時(shí)間截止傳輸時(shí)間波形邊沿變壞延遲變化uo
平均傳輸時(shí)間(Propagationdelay)tpd=tp1+
tp22典型值:310ns第五十四頁,共八十四頁,2022年,8月28日對(duì)TTL與非門的要求:1)掌握其邏輯關(guān)系:任0則1,全1則0;2)掌握其典型參數(shù),會(huì)使用;3)了解其基本結(jié)構(gòu),能定性分析其工作原理。第五十五頁,共八十四頁,2022年,8月28日
§3.4其它類型的TTL門電路一、集電極開路的與非門(OC門)1.問題的提出標(biāo)準(zhǔn)TTL與非門進(jìn)行與運(yùn)算:&ABEF&CD&G1AB
CD&ABEF&CDG能否“線與”?(OpenCollector)G=EF=AB
CD
EF
EF第五十六頁,共八十四頁,2022年,8月28日問題:TTL與非門的輸出電阻很低。i功耗與非門截止:
T4熱擊穿iUOL與非門導(dǎo)通:不允許&ABEF&CDG與非門截止與非門導(dǎo)通+5VR4R2T3T4T51007503KR3UOH+5VR4R2T3T4T51007503KR3UOL第五十七頁,共八十四頁,2022年,8月28日2.OC門結(jié)構(gòu)+5VFR4R2R13kT2R5R3T3T4T1T5b1c1ABC去掉T3,T4標(biāo)準(zhǔn)TTL與非門可以斷開第五十八頁,共八十四頁,2022年,8月28日(Open
Collector)F=ABC&符號(hào)缺角集電極開路“與”“非”RL(外接)UCCFT5+5VR2R13kT2R3T1b1c1ABC特點(diǎn):RL和UCC可以外接。第五十九頁,共八十四頁,2022年,8月28日3.“線與”電路F=F1F2F3RL(外接)任0則0全1則1F&&&UCCF1F2F3A1B1C1A2B2C2A3B3C3“線與”使用OC門的關(guān)鍵是選擇外接RL:根據(jù)帶負(fù)載情況確定。第六十頁,共八十四頁,2022年,8月28日二、三態(tài)輸出與非門(TS門)(ThreeState)三種狀態(tài)高電平低電平高阻狀態(tài)(禁止?fàn)顟B(tài))標(biāo)準(zhǔn)與非門輸出狀態(tài)第六十一頁,共八十四頁,2022年,8月28日1.三態(tài)門結(jié)構(gòu)控制端DEE1(使能端:Enable)AB輸入端+5VFR4R2R1T2R5R3T3T4T1T5第六十二頁,共八十四頁,2022年,8月28日
2.工作原理F“1”3.4V截止“0”0.3V工作狀態(tài)E=“0”+5VR4R2R1T2R5R3T3T4T1T5ABDEE1第六十三頁,共八十四頁,2022年,8月28日F“0”0.3V“1”3.4V截止導(dǎo)通截止E=“1”高阻狀態(tài)(禁止?fàn)顟B(tài))+5VR4R2R1T2R5R3T3T4T1T5ABDEE1
E=“1”時(shí):F=Z(高阻狀態(tài))1V第六十四頁,共八十四頁,2022年,8月28日&ABF符號(hào):功能表:0(工作狀態(tài))輸出E接低電平時(shí)為工作狀態(tài)1高阻狀態(tài)(禁止?fàn)顟B(tài))第六十五頁,共八十四頁,2022年,8月28日若去掉使能端的非門:+5VFR4R2R1T2R5R3T3T4T1T5控制端(使能端:Enable)AB輸入端DE第六十六頁,共八十四頁,2022年,8月28日&ABF符號(hào):功能表:接高電平時(shí)為工作狀態(tài)1(工作狀態(tài))輸出E0高阻狀態(tài)(禁止?fàn)顟B(tài))第六十七頁,共八十四頁,2022年,8月28日3.用途主要作為TTL電路與總線(BUS)間的接口電路公用總線E1E2E3用公用總線分時(shí)傳送不同數(shù)據(jù)譯碼器&A1B1E1&A2B2E2&A3B3E3門工作門工作門工作第六十八頁,共八十四頁,2022年,8月28日三、與或非門&CD&AB1F+ABCDFF=AB+CDF=AB+CD簡(jiǎn)化的等效邏輯圖:邏輯符號(hào):ABCDF&&第六十九頁,共八十四頁,2022年,8月28日§3.5MOS門電路一、MOS電路的特點(diǎn):2、是電壓控制元件,靜態(tài)功耗小。3、允許電源電壓范圍寬(318V)。4、扇出系數(shù)大,抗噪聲容限大。優(yōu)點(diǎn)1、工藝簡(jiǎn)單,集成度高。缺點(diǎn):工作速度比TTL低。第七十頁,共八十四頁,2022年,8月28日MOS門的開關(guān)作用MOS門
D、S極之間的開關(guān)狀態(tài)受UGS的控制增強(qiáng)型:N溝道P溝道UGS>
UT
>0
(開啟電壓)UGS<UT
DS斷開DS導(dǎo)通(幾百歐)UGS<UT<0
(開啟電壓)UGS>UTDS導(dǎo)通(幾百歐)DS斷開第七十一頁,共八十四頁,2022年,8月28日二、MOS門電路1.MOS反相器(非門)0VUDD1)UA=
0V:工作原理:2)UA=UDD:UGSUT,T截止;UF=UDD,F=“1”。
NMOS增強(qiáng)型+UDDFARDSGTUDD0VUGS>UT,T導(dǎo)通;UF0V
,F=“0”。結(jié)構(gòu):第七十二頁,共八十四頁,2022年,8月28日0110真值表:輸入輸出
AF0VUDD
NMOS增強(qiáng)型UDD0V+UDDFARDSG邏輯式:F=1AF邏輯符號(hào):第七十三頁,共八十四頁,2022年,8月28日有源負(fù)載的MOS反相器(非門)T2(負(fù)載管)T1(驅(qū)動(dòng)管)邏輯式:F=AF+UDDDGSUGS=UDS>UT導(dǎo)通有源負(fù)載
NMOS增強(qiáng)型AF+UDDT1
(非線性電阻)第七十四頁,共八十四頁,2022年,8月28日2.CMOS反相器CMOS電路Complementary-Symmetry
MOS互補(bǔ)對(duì)稱式MOST2(負(fù)載管)T1(驅(qū)動(dòng)管)PMOS管NMOS管T1:ONT2:OFFOFFON同一電平:+UDDSDADSGF1)
結(jié)構(gòu)第七十五頁,共八十四頁,2022年,8月28日“0”(0V)UGS<UT<0導(dǎo)通+UDDSDAFDSGT2T1PMOSNMOSUGS<UT>0截止“1”(+UDD)2
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