SRAM及存儲器常識課件

SRAM推關(guān)及相關(guān)常識Jan19,2007

關(guān)于存儲器在半導(dǎo)體領(lǐng)域，存儲器可以理解為可以存儲程序或數(shù)據(jù)的集成電路。存儲器分類

按掉電后是否還保存數(shù)據(jù)或程序分為易失與非易失存儲器易失存儲器通常稱為RAM（Randomaccessmemory隨機(jī)存取存儲器），主要包括SRAM與DRAM。非易失存儲器通常稱為ROM（read-onlymemory只讀存儲器），主要包括FLASH、EEPROM、EPROM、MASKROM、OTPROM等。關(guān)于SRAMSRAM是Staticrandomaccessmemory的縮寫，稱為靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。主要應(yīng)用于需要緩存比較小或?qū)挠幸蟮南到y(tǒng)。例如很多8BITMCU,由于能支持的RAM比較小，內(nèi)部緩存又不夠；16BITMCU支持的RAM比較大，但對功耗有要求而無法用DRAM的系統(tǒng)。關(guān)于DRAMDRAM是Dynamicrandomaccessmemory的縮寫，稱為動態(tài)隨機(jī)存取存儲器主要運(yùn)用在對功耗要求不太高、系統(tǒng)緩存要求容量比較大速度要求比較快的系統(tǒng)。廣泛應(yīng)用于各種電子系統(tǒng)，如PC、通信、DVB、DVD、LCDTV、監(jiān)控等。SRAM與DRAM的區(qū)別SRAMDRAM結(jié)構(gòu)6個晶體管為1個存儲單元（GIGADEVICE為2晶體管，但STANDBY電流大），1個晶體管為1個存儲單元，但需要刷新。功耗工作狀態(tài)下10Ma-30mA100mA以上Standby(待機(jī))1uA-20uA10mA以上存取速度快的一般為10、12、15nS左右，慢的一般為55nS或70nS快，一般小于10nS容量目前最大到16MBIT單片能到512MBITDRAM的分類

DRAMDynamicrandomaccessmemory是很快要淘汰的產(chǎn)品。SDRAMSynchronousDRAM（單數(shù)據(jù)傳輸模式）主要應(yīng)用于PC外的產(chǎn)品上DDRSDRAMDoubleDataRate（雙數(shù)據(jù)傳輸模式）主要應(yīng)用在PC上RDRAMRambusDRAM主要應(yīng)用在PC上，比DDR用得少SRAM與DRAM的應(yīng)用原則

SRAMDRAM8BITMCU系統(tǒng)支持幾乎不支持DRAM16BITMCU系統(tǒng)支持，但對功耗特別要求的才會用。支持，對功耗不太要求的會用。SRAM與DRAM的應(yīng)用特例分析比如目前的學(xué)習(xí)機(jī)，很多客戶采用ARM系列的MPU，為16BIT,即支持SRAM也支持DRAM，雖然對功耗要求非常高，但由于目前學(xué)習(xí)機(jī)采用彩屏，功耗本身就很大，而DRAM的功耗所占的比例就比較小，加之系統(tǒng)的功能強(qiáng)大，需要大容量的RAM，一