全新ddr2,ddr3測(cè)試解決方案ddr3和ddr2

本文格式為Word版，下載可任意編輯——全新ddr2,ddr3測(cè)試解決方案ddr3和ddr2全新DDR2/DDR3測(cè)試解決方案-從模擬驗(yàn)證到數(shù)字驗(yàn)證，為全體DDR供給完整的測(cè)試解決方案2022/11/102存儲(chǔ)器技術(shù)–概況?DRAM-主流技術(shù)應(yīng)用–計(jì)算機(jī)系統(tǒng)存儲(chǔ)器?服務(wù)器,臺(tái)式電腦,筆記本電腦?動(dòng)態(tài),易失性存儲(chǔ)器,插入式DIMMs?需要與各種存儲(chǔ)操縱器交互工作–嵌入式系統(tǒng)?手機(jī),打印機(jī),汽車?直接焊接到電路板?固定的存儲(chǔ)器配置(NoSPD)–更快速的處理器和更快速的數(shù)據(jù)速率推動(dòng)著DRAM發(fā)展?DDR3現(xiàn)在已經(jīng)達(dá)成1333(1.333Gb/s)的數(shù)據(jù)速率?DDR31600很快將展現(xiàn)?DRAM其他應(yīng)用–LPDDR–低能耗DDR?節(jié)能，支持便攜式計(jì)算機(jī)–GDDR–顯存?為處理速度優(yōu)化TektronixInnovationForum20222022/11/103TektronixInnovationForum2022存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)正超過千兆位數(shù)據(jù)速率13GHzScope2022202220222022202220222022202220225000DDR(≤400MT)DDR2(≤1066MT)DDR3(≤1600MT)DDR4(≤3200MT)GDDR5(≤4800MT)MT/S20224000300020001000500?并行總線達(dá)成串行總線的速度–存儲(chǔ)器時(shí)鐘速度達(dá)成1GHz–時(shí)序余量更慌張–串?dāng)_,阻抗匹配和抖動(dòng)問題2022/11/105TektronixInnovationForum2022DDR存儲(chǔ)器行業(yè)狀況?JEDEC負(fù)責(zé)標(biāo)準(zhǔn)開發(fā)管理，JEDEC擁有300多名會(huì)員公司?DDR追求經(jīng)濟(jì)型的設(shè)計(jì)和高性能設(shè)計(jì)?DDR模范–四種主要系統(tǒng)總線:數(shù)據(jù),地址,時(shí)鐘.操縱/命令–需要多種測(cè)量，包括建立時(shí)間/保持時(shí)間,抖動(dòng),AC/DC電平,slewrate,過沖/下沖,眼圖,等等2022/11/106TektronixInnovationForum2022設(shè)計(jì)和驗(yàn)證面臨的挑戰(zhàn)?Stub的拓?fù)湓O(shè)計(jì)，慌張的定時(shí)容限，要求檢驗(yàn):–電氣電源和信號(hào)電源質(zhì)量,噪聲,毛刺和地彈/地跳–時(shí)鐘信號(hào)質(zhì)量,上升時(shí)間和下降時(shí)間/slewrate–命令,地址和數(shù)據(jù)有效窗口(Setup/holdtime)–DQS/DQ/Clockskew將物理層的信號(hào)與系統(tǒng)級(jí)的時(shí)序關(guān)聯(lián)起來–存儲(chǔ)器初始化時(shí)序–SDRAM模式寄放器操作(MSR)–讀/寫數(shù)據(jù)有效窗口–休眠狀態(tài)的時(shí)序–普遍工作狀態(tài)的時(shí)序讀閘門幅度問題2022/11/107TektronixInnovationForum2022數(shù)字信號(hào)和數(shù)字信號(hào)和協(xié)議層調(diào)試協(xié)議層調(diào)試TLA規(guī)律分析儀規(guī)律分析儀,帶有帶有NexusTechnologyDDR分析軟件分析軟件檢驗(yàn)和調(diào)試命令,時(shí)序，數(shù)據(jù),等等模模擬擬特性特性和物理層調(diào)試和物理層調(diào)試DPO/DSA實(shí)時(shí)示波器和軟件實(shí)時(shí)示波器和軟件信號(hào)完整性測(cè)試SDRAM探測(cè)解決方案探測(cè)解決方案簡(jiǎn)便穩(wěn)當(dāng)?shù)奈锢磉B接,實(shí)現(xiàn)最小負(fù)載信號(hào)路徑檢定和電路板檢驗(yàn)信號(hào)路徑檢定和電路板檢驗(yàn)DSA采樣示波器采樣示波器檢驗(yàn)電路板的設(shè)計(jì)和性能快速切實(shí)的儀器解決方案DDR,DDR2和DDR3SDRAM解決方案2022/11/108TektronixInnovationForum2022泰克DDR測(cè)試解決方案DSA8200采樣示波器采樣示波器DSA70000B探測(cè)和測(cè)探測(cè)和測(cè)量軟件量軟件DSA8200采樣示波器采樣示波器DSA70000B探測(cè)和測(cè)探測(cè)和測(cè)量軟件量軟件TLA7000,存儲(chǔ)器分析存儲(chǔ)器分析和探測(cè)解決方案和探測(cè)解決方案DSA70000B探測(cè)和測(cè)探測(cè)和測(cè)量軟件量軟件TLA7000,存儲(chǔ)器分析存儲(chǔ)器分析和探測(cè)解決方案和探測(cè)解決方案TLA7000,存儲(chǔ)器分析存儲(chǔ)器分析和探測(cè)解決方案和探測(cè)解決方案DSA8200采樣示波器采樣示波器DDR266MHz333MHz400MHzDDR2400MHz533MHz667MHz800MHz1066MHzDDR3800MHz1066MHz1333MHz1600MHz通道通道檢檢定定和和電電路板路板檢驗(yàn)檢驗(yàn)?zāi)ＤM擬驗(yàn)證驗(yàn)證和和調(diào)試調(diào)試數(shù)字?jǐn)?shù)字驗(yàn)證驗(yàn)證和和調(diào)試調(diào)試2022/11/109TektronixInnovationForum2022問題:檢驗(yàn)設(shè)計(jì)正確和性能通道檢定和電路板檢驗(yàn)Tx+-路徑路徑+-+-+-Rcv端口端口1端口端口2傳輸傳輸反射反射使用TDR和S參數(shù)檢定電路板/DIMM網(wǎng)絡(luò)中的反射和損耗的頻域檢定量化了解信號(hào)完整性問題的成因測(cè)量:阻抗測(cè)量插入損耗和回波損耗串?dāng)_2022/11/1010TektronixInnovationForum2022問題:檢驗(yàn)設(shè)計(jì)正確和性能通道檢定和電路板檢驗(yàn)DSA8200采樣示波器，帶有采樣示波器，帶有TDR模模塊塊和和S參數(shù)分析軟件參數(shù)分析軟件高效高效,簡(jiǎn)樸簡(jiǎn)樸使用TDR/TDT或S參數(shù)仿真通道對(duì)抖動(dòng)和噪聲的影響自動(dòng)化測(cè)試程序，大大縮短測(cè)試時(shí)間在幾分鐘內(nèi)，而不是幾小時(shí)內(nèi)完成整個(gè)分析工程性能性能70GHz的采樣帶寬和最低的抖動(dòng)本底改善了阻抗測(cè)量精度和辨識(shí)率(Z-Line)1M深存儲(chǔ)，保證對(duì)高頻信號(hào)的長時(shí)間測(cè)試2022/11/1011TektronixInnovationForum2022泰克DDR測(cè)試解決方案DSA8200采樣示波器采樣示波器DSA70000探測(cè)和測(cè)量探測(cè)和測(cè)量軟件軟件DSA8200采樣示波器采樣示波器DSA70000探測(cè)和測(cè)量探測(cè)和測(cè)量軟件軟件TLA7000,存儲(chǔ)器支持存儲(chǔ)器支持和探測(cè)解決方案和探測(cè)解決方案DSA70000探測(cè)和測(cè)量探測(cè)和測(cè)量軟件軟件TLA7000,存儲(chǔ)器支持存儲(chǔ)器支持和探測(cè)解決方案和探測(cè)解決方案TLA7000,存儲(chǔ)器支持存儲(chǔ)器支持和探測(cè)解決方案和探測(cè)解決方案DSA8200采樣示波器采樣示波器DDR266MHz333MHz400MHzDDR2400MHz533MHz667MHz800MHz1066MHzDDR3800MHz1066MHz1333MHz1600MHz路徑路徑檢檢定定和和電電路板路板檢驗(yàn)檢驗(yàn)?zāi)ＤM擬驗(yàn)證驗(yàn)證和和調(diào)試調(diào)試數(shù)字?jǐn)?shù)字驗(yàn)證驗(yàn)證和和調(diào)試調(diào)試2022/11/1012TektronixInnovationForum2022DDR信號(hào)驗(yàn)證和調(diào)試–泰克解決方案信號(hào)接入信號(hào)接入–探測(cè)探測(cè)?要求簡(jiǎn)便但穩(wěn)當(dāng)?shù)奈锢磉B接–接入DRAM或存儲(chǔ)器上的各個(gè)測(cè)量點(diǎn)?要求最大的信號(hào)完整性–為高速信號(hào)供給高性能的探測(cè)信號(hào)采集信號(hào)采集?自動(dòng)觸發(fā)和捕獲DDR信號(hào)–實(shí)時(shí)識(shí)別和觸發(fā)DQ,DQS,實(shí)現(xiàn)讀/寫分開–自動(dòng)設(shè)置電壓電平和數(shù)據(jù)速率?以高采樣率捕獲長時(shí)間的信號(hào)–直接連接DPOJET，舉行信號(hào)分析信號(hào)分析信號(hào)分析DDRA–自動(dòng)設(shè)置,讀/寫burst檢測(cè),JEDEC模范Pass/Fail測(cè)量DPOJET–最大強(qiáng)大的抖動(dòng),眼圖和定時(shí)分析工具–周期/頻率，占空比,幅度,上升/下降時(shí)間測(cè)量–高級(jí)抖動(dòng),眼圖測(cè)量和Pass/Fail測(cè)試–多個(gè)顯示和繪圖選項(xiàng)–報(bào)告生成器2022/11/1013TektronixInnovationForum2022?計(jì)算機(jī)系統(tǒng)采用標(biāo)準(zhǔn)化DIMM，可以使用多種探測(cè)解決方案舉行探測(cè)?嵌入式設(shè)計(jì)中的通常直接把DRAM芯片焊接在PCB上.?全體DDR2和DDR3芯片都使用FBGA封裝–減小寄生效應(yīng)，使得高速率下照舊能保持高性能–Jedec所要求?BGA封裝探測(cè)起來分外困難–使用規(guī)律分析儀或示波器上不能探測(cè)DRAM器件的焊球–連接器、PCB板或過孔探測(cè)與在DRAM器件直接探測(cè)不同–并不是真實(shí)的信號(hào)點(diǎn)*CourtesyMicronTechnologiesAnalogValidation&Debug信號(hào)接入–探測(cè)2022/11/1014TektronixInnovationForum2022推介NexusDDR3BGA芯片插座適用于規(guī)律分析儀和示波器BGA芯片插座固定底座2022/11/1015TektronixInnovationForum2022安裝過程全體插座上的焊球直徑必需是0.45，高必需是0.352022/11/1016TektronixInnovationForum2022適用于示波器的BGA芯片插座?分成socket版本和焊接版本–socket設(shè)計(jì)支持多個(gè)芯片互換–焊接設(shè)計(jì)最適合單芯片?推舉探頭:P7500系列–P7504,P7506,P7508,P7513A–020-3022-00適用于Nexus插座的TriMode焊接tips2022/11/1017TektronixInnovationForum2022適用于示波器的BGA芯片插座–信號(hào)保真度?在芯片插座上嵌入100?電阻，為P7500探頭供給了完備的信號(hào)保真度–高達(dá)1600MT/s–建議使用專為DDR設(shè)計(jì)的新焊接tips?余下的芯片插座的模擬效應(yīng)通過反嵌濾波算法進(jìn)一步地消釋–BGA芯片插座供給了反嵌濾波器庫?黃色軌跡=沒有濾波的響應(yīng)?紅色軌跡=采用濾波2022/11/1018TektronixInnovationForum2022適用于示波器的BGA芯片插座–信號(hào)保真度眼圖–經(jīng)過濾波眼圖–沒有濾波2022/11/1019TektronixInnovationForum2022模擬驗(yàn)證和調(diào)試TriMode探測(cè)介紹P7500TriMode差分探頭差分探頭,焊接尖端連接到焊接尖端連接到DDR3-1033DIMMDDR3UDIMMRawCardE雙排雙排,x8存儲(chǔ)器芯片存儲(chǔ)器芯片,72位位性能性能?為不斷提高的信號(hào)速度供給了充沛的性能?已獲專利的TriMode?，供給了優(yōu)良的信號(hào)保真度、快速上升時(shí)間和低接入負(fù)載?為插卡式的DIMM夾具供給了濾波模型，從捕獲的信號(hào)中去掉探測(cè)的影響連接才能連接才能焊接探頭?簡(jiǎn)便地連接探頭?需要接入DRAM上BGA(電路板球柵陣列)連接鄰近位置?在DDR3DIMM的末端舉行信號(hào)探測(cè)插卡式DIMM夾具?雙排,x8存儲(chǔ)器芯片,72位?設(shè)計(jì)得志JEDEC標(biāo)準(zhǔn)?簡(jiǎn)便地連接示波器–無需焊接2022/11/1020TektronixInnovationForum2022TriMode探測(cè)?TriMode使用一條探頭與DUT連接，支持