微機(jī)原理及應(yīng)用存儲(chǔ)器

第6章(Zhang)存儲(chǔ)器系統(tǒng)第一頁(yè)，共七十四頁(yè)。1第6章(Zhang)存儲(chǔ)器6.1概述6.2隨機(jī)存儲(chǔ)器6.3只讀存儲(chǔ)器6.4主存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)2第二頁(yè)，共七十四頁(yè)。6.1概(Gai)述主要內(nèi)容：微型機(jī)的存儲(chǔ)系統(tǒng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的基本概念存儲(chǔ)器的分類及其特點(diǎn)兩類半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的主要區(qū)別存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)的重要組成部分，用來(lái)存放計(jì)算機(jī)系統(tǒng)工作時(shí)所用的信息——程序和數(shù)據(jù)。3第三頁(yè)，共七十四頁(yè)。一、存儲(chǔ)器(Qi)的一般概念存儲(chǔ)器由能夠表示二進(jìn)制數(shù)“0”和“1”的、具有記憶功能的一些物理器件組成。存儲(chǔ)器能存放一位二進(jìn)制數(shù)的物理器件稱為一個(gè)存儲(chǔ)元。若干存儲(chǔ)元構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)單元。1、內(nèi)存和外存2、存儲(chǔ)器的分類3、存儲(chǔ)器的性能指標(biāo)4、存儲(chǔ)器的基本結(jié)構(gòu)4第四頁(yè)，共七十四頁(yè)。1、內(nèi)(Nei)存和外存（1）內(nèi)存(或主存），用于存放當(dāng)前正在使用的程序和數(shù)據(jù)，CPU可以對(duì)它直接訪問(wèn)，存取速度快，但容量較小。（2）外存（或輔存），用于存放一些CPU暫時(shí)不處理的程序和數(shù)據(jù)。當(dāng)CPU要處理這些信息時(shí)，必須先將其調(diào)入內(nèi)存。需通過(guò)專用設(shè)備才能對(duì)其進(jìn)行讀寫操作。 外存包括軟盤，硬盤，光盤等等。 外存容量大，相對(duì)內(nèi)存來(lái)說(shuō)，存取速度較慢。5第五頁(yè)，共七十四頁(yè)。2、存儲(chǔ)器的分類(應(yīng)(Ying)用)(1)只讀存儲(chǔ)器ROM(2)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM6第六頁(yè)，共七十四頁(yè)。(1)只讀(Du)存儲(chǔ)器ROM只讀存儲(chǔ)器(ReadOnlyMemory—ROM)——用戶在使用時(shí)只能讀出其中信息，不能修改或?qū)懭胄碌男畔?，斷電后，其信息不?huì)消失。只讀存儲(chǔ)器分類:①存儲(chǔ)單元中的信息由ROM制造廠在生產(chǎn)時(shí)一次性寫入，稱為掩膜ROM（MaskedROM）；

②PROM(ProgrammableROM—可編程ROM)——PROM中的程序和數(shù)據(jù)是由用戶自行寫入的，但一經(jīng)寫入，就無(wú)法更改，是一次性的ROM；7第七頁(yè)，共七十四頁(yè)。(1)只讀存儲(chǔ)(Chu)器ROM③EPROM(ErasebleProgrammableROM—可擦除可編程ROM)——可由用戶自行寫入程序和數(shù)據(jù)，寫入后的內(nèi)容可用紫外線燈照射擦除，然后可以重新寫入新的內(nèi)容，可以多次擦除，多次使用。

④

E2PROM(ElectricallyErasebleProgrammableROM—電可擦除可編程ROM)——可用電信號(hào)進(jìn)行清除和改寫的存儲(chǔ)器，使用方便。掉電不丟失。思考：EPROM和E2PROM與RAM的區(qū)別？8第八頁(yè)，共七十四頁(yè)。(2)隨機(jī)存取(Qu)存儲(chǔ)器RAM隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RandomAccessMemory)——RAM的特點(diǎn)是存儲(chǔ)器中的信息能讀能寫，且對(duì)存儲(chǔ)器中任一單元的讀或?qū)懖僮魉枰臅r(shí)間基本是一樣的。斷電后，RAM中的信息即消失。按其制造工藝分：（1）雙極型半導(dǎo)體RAM存取時(shí)間短，與MOS型比，集成度低，功耗大，價(jià)格高。（2）MOS型RAM9第九頁(yè)，共七十四頁(yè)。(2)隨機(jī)(Ji)存取存儲(chǔ)器RAMMOS型RAM分為兩類：①SRAM(StaticRAM—靜態(tài)RAM)——SRAM是利用半導(dǎo)體觸發(fā)器的兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)表示“1”和“0”。只要電源不撤除，信息不會(huì)消失，不需要刷新電路。②DRAM(DynamicRAM—?jiǎng)討B(tài)RAM)——DRAM是利用電容端電壓的高低來(lái)表示“1”和“0”，為了彌補(bǔ)漏電需要定時(shí)刷新。一般微機(jī)系統(tǒng)中的內(nèi)存采用DRAM，配有刷新電路，每隔1—2ms刷新一次。10第十頁(yè)，共七十四頁(yè)。3、存儲(chǔ)器的(De)性能指標(biāo)(1)存儲(chǔ)容量(2)存儲(chǔ)速度(3)可靠性(4)功耗11第十一頁(yè)，共七十四頁(yè)。(1)存(Cun)儲(chǔ)容量存儲(chǔ)容量是指一塊存儲(chǔ)芯片上所能存儲(chǔ)的二進(jìn)制位數(shù)。假設(shè)存儲(chǔ)芯片的存儲(chǔ)單元數(shù)是M，一個(gè)存儲(chǔ)單元所存儲(chǔ)的信息的位數(shù)是N，則其存儲(chǔ)容量為M×N。D7…D1D012第十二頁(yè)，共七十四頁(yè)。例(Li)題1、已知單片6116芯片的地址線是11位，每個(gè)存儲(chǔ)單元是8位，求其存儲(chǔ)容量?解:因?yàn)榭删幹贩秶?11，即M＝211，

每個(gè)存儲(chǔ)單元可存8位，即N＝8，所以，6116的存儲(chǔ)容量=211×8 =2×1024×8 =2K×8 ＝2KB13第十三頁(yè)，共七十四頁(yè)。例(Li)題2、若要組成64K字節(jié)的存儲(chǔ)器，以下芯片各需幾片? ①6116(2K×8) ②4416(16K×4)解:①(64K×8)÷(2K×8)=32(片)②(64K×8)÷(16K×4)=8(片)14第十四頁(yè)，共七十四頁(yè)。區(qū)別：芯片的存儲(chǔ)容量和微(Wei)機(jī)的存儲(chǔ)容量微機(jī)的存儲(chǔ)容量——由多片存儲(chǔ)芯片組成的總存儲(chǔ)容量。①微機(jī)的最大內(nèi)存容量——由CPU的地址總線決定。如：PC486，地址總線是32位，則，內(nèi)存容許最大容量是232=4G；②實(shí)際的裝機(jī)容量——由實(shí)際使用的若干片存儲(chǔ)芯片組成的總存儲(chǔ)容量。15第十五頁(yè)，共七十四頁(yè)。(2)存儲(chǔ)(Chu)速度存儲(chǔ)器的存取速度是影響計(jì)算機(jī)運(yùn)算速度的主要因素，用兩個(gè)參數(shù)來(lái)衡量：①存取時(shí)間TA（AccessTime）——定義為啟動(dòng)一次存儲(chǔ)器操作（讀或?qū)懀?，到完成該操作所?jīng)歷的時(shí)間。②存儲(chǔ)周期TMC（MemoryCycle）——定義啟動(dòng)兩次讀（或?qū)懀┐鎯?chǔ)器操作之間所需的最小時(shí)間間隔。注意：CPU讀寫存儲(chǔ)器的時(shí)間必須大于存儲(chǔ)芯片的額定存取時(shí)間16第十六頁(yè)，共七十四頁(yè)。(3)可靠(Kao)性存儲(chǔ)器的可靠性用MTBF來(lái)衡量。

MTBF即MeanTimeBetweenFailures——平均故障間隔時(shí)間，MTBF越長(zhǎng)，表示可靠性越高。(4)功耗使用功耗低的存儲(chǔ)芯片構(gòu)成存儲(chǔ)系統(tǒng)不僅可以減少對(duì)電源容量的要求，而且還可以提高存儲(chǔ)系統(tǒng)的可靠性。17第十七頁(yè)，共七十四頁(yè)。4、存儲(chǔ)器的基(Ji)本結(jié)構(gòu)1、存儲(chǔ)體—由多個(gè)基本存儲(chǔ)單元組成，容量即為M×N；2、地址寄存器（地址鎖存器）—鎖存CPU送來(lái)的地址信號(hào)；3、地址譯碼器—對(duì)地址信號(hào)進(jìn)行譯碼，選擇存儲(chǔ)體中要訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元；4、讀/寫驅(qū)動(dòng)電路—包括讀出放大和寫入電路；5、數(shù)據(jù)緩沖器—芯片數(shù)據(jù)信號(hào)經(jīng)雙向三態(tài)門掛在數(shù)據(jù)總線上，未選中該片，呈高阻狀態(tài)；6、讀/寫控制電路—接受來(lái)自CPU的片選信號(hào)、讀/寫信號(hào)。（對(duì)ROM—只讀；對(duì)DRAM－刷新信號(hào)）18第十八頁(yè)，共七十四頁(yè)。“讀”操作工作過(guò)(Guo)程（1）送地址—CPU通過(guò)地址總線將地址送入地址寄存器，并譯碼；（2）發(fā)出“讀”命令—CPU通過(guò)控制總線將“存儲(chǔ)器讀”信號(hào)送入讀/寫控制電路；（3）從存儲(chǔ)器讀出數(shù)據(jù)—讀/寫控制電路根據(jù)“讀”信號(hào)和片選信號(hào)選中存儲(chǔ)體中的某一存儲(chǔ)單元，從該單元讀出數(shù)據(jù)，送到數(shù)據(jù)緩存器。再經(jīng)過(guò)數(shù)據(jù)總線送到CPU。19第十九頁(yè)，共七十四頁(yè)?！皩?Xie)”操作工作過(guò)程（1）送地址—CPU通過(guò)地址總線將地址送入地址寄存器，并譯碼；（2）發(fā)出“寫”命令—CPU通過(guò)控制總線將“寫”信號(hào)送入讀/寫控制電路；（3）寫入數(shù)據(jù)到存儲(chǔ)器—讀/寫控制電路根據(jù)“寫”信號(hào)和片選信號(hào)選中存儲(chǔ)體中的某一存儲(chǔ)單元，將數(shù)據(jù)總線上的數(shù)據(jù)，送到數(shù)據(jù)緩存器，再寫入到選中的存儲(chǔ)單元。20第二十頁(yè)，共七十四頁(yè)。6.2隨機(jī)存取存儲(chǔ)(Chu)器要求掌握：SRAM與DRAM的主要特點(diǎn)幾種常用存儲(chǔ)器芯片及其與系統(tǒng)的連接了解存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)21第二十一頁(yè)，共七十四頁(yè)。一(Yi)、靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM特點(diǎn)：存儲(chǔ)元由雙穩(wěn)電路構(gòu)成，存儲(chǔ)信息穩(wěn)定T1T2工作管;T3T4是負(fù)載管;T5T6T7T8是控制管22第二十二頁(yè)，共七十四頁(yè)。典(Dian)型SRAM芯片地址線：A0---A12數(shù)據(jù)線：D0---D7輸出允許信號(hào)：OE寫允許信號(hào)：WE選片信號(hào)：CS1，CS22A12A7A6A5A4A3A2A1D0D1345678910111213141NCA0D2GND27WECS2A8A9A11OEA10CS1D6D526252423222120191817161528VCCD7D4D36264工作時(shí)序與系統(tǒng)的連接使用CMOSRAM芯片6264（8KB）：

主要引腳功能23第二十三頁(yè)，共七十四頁(yè)。6264的工(Gong)作過(guò)程6264的讀操作和寫操作CS1

片選信號(hào)

OE

輸出允許

WE

寫允許信號(hào)

D0-D7

0

0

1

寫入

1

0

1

讀出

0或10或1

三態(tài)

片選信號(hào)CS2×0××6264真值表未選中24第二十四頁(yè)，共七十四頁(yè)。6264的工作過(guò)程(Cheng)—寫操作(1)將寫入單元的地址送到A0-A12上;(2)將要寫入的數(shù)據(jù)送到數(shù)據(jù)線上;(3)使片選信號(hào)(CS1、

CS2)同時(shí)有效;(4)在WE端加上有效的低電平,OE端可以任意;25第二十五頁(yè)，共七十四頁(yè)。6264芯片與系(Xi)統(tǒng)的連接D0~D7A0A12???WEOECS1CS2???A0A12MEMWMEMR譯碼電路高位地址信號(hào)D0~D726第二十六頁(yè)，共七十四頁(yè)。譯(Yi)碼電路

作用：將輸入的一組二進(jìn)制編碼變換為一個(gè)特定的輸出信號(hào)，即：將輸入的一組高位地址信號(hào)通過(guò)變換，產(chǎn)生一個(gè)有效的輸出信號(hào)，用于選中某一個(gè)存儲(chǔ)器芯片，從而確定了該存儲(chǔ)器芯片在內(nèi)存中的地址范圍。

分類：（1）全地址譯碼

（2）部分地址譯碼27第二十七頁(yè)，共七十四頁(yè)。全地址譯(Yi)碼用全部的高位地址信號(hào)作為譯碼信號(hào)，使得存儲(chǔ)器芯片的每一個(gè)單元都占據(jù)一個(gè)惟一的內(nèi)存地址例所接芯片的地址范圍F0000H~F1FFFHA19A18A17A16A15A14A13&16264CS128第二十八頁(yè)，共七十四頁(yè)。部分地(Di)址譯碼用部分高位地址信號(hào)（而不是全部）作為譯碼信號(hào)，使得被選中得存儲(chǔ)器芯片占有幾組不同的地址范圍例兩組地址：F0000H-F1FFFHB0000H-B1FFFH被選中芯片的每個(gè)單元都占有兩個(gè)地址，即這兩個(gè)地址都指向同一個(gè)單元A19A17A16A15A14A13&16264CS129第二十九頁(yè)，共七十四頁(yè)。應(yīng)(Ying)用舉例將SRAM6264芯片與系統(tǒng)連接，使其地址范圍為：38000H~39FFFH使用74LS138譯碼器構(gòu)成譯碼電路譯碼和譯碼器30第三十頁(yè)，共七十四頁(yè)。譯碼(Ma)和譯碼(Ma)器全部CPU高位地址參與譯碼，稱之為全譯碼。全譯碼方式能保證每個(gè)存儲(chǔ)單元地址唯一。若只選擇CPU一部分高位地址參與譯碼，這稱為部分譯瑪。每個(gè)存儲(chǔ)單元會(huì)有多個(gè)地址對(duì)應(yīng)，地址譯碼可以選擇專用芯片，在微機(jī)系統(tǒng)中常用的有74LS138（稱3-8譯碼器）。

真值表31第三十一頁(yè)，共七十四頁(yè)。74LS138真值(Zhi)表32第三十二頁(yè)，共七十四頁(yè)。應(yīng)用舉(Ju)例D0~D7A0A12???WEOECS1CS2???A0A12MEMWMEMRD0~D7A19G1G2AG2BCBA&&A18A14A13A17A16A15VCCY074LS13833第三十三頁(yè)，共七十四頁(yè)。應(yīng)(Ying)用舉例A19A18A17A16A15A14A130011111地址范圍：3E000H-3FFFFHA12A11----A0X000H----FFFH34第三十四頁(yè)，共七十四頁(yè)。應(yīng)用舉(Ju)例A19A18A17A16A15A14A130011111地址范圍：3E000H-3FFFFHA12A11----A0X000H----FFFH35第三十五頁(yè)，共七十四頁(yè)。應(yīng)用(Yong)舉例A19A18A17A16A15A14A131X1X111地址范圍：AE000H-AFFFFHBE000H-BEFFFHEE000H-EFFFFHFE000H-FFFFFHA12A11----A0X000H----FFFH36第三十六頁(yè)，共七十四頁(yè)。其它典型芯(Xin)片舉例

SRAM芯片HM6116(簡(jiǎn)稱6116）——靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，11條地址線，8位數(shù)據(jù)線，3條控制線，兩條電源線，單片存儲(chǔ)容量2K×8。常用的SRAM還有6232，62256，適用于較小系統(tǒng)。37第三十七頁(yè)，共七十四頁(yè)。應(yīng)用舉(Ju)例用存儲(chǔ)器芯片SRAM6116構(gòu)成一個(gè)4KB的存儲(chǔ)器。要求其地址范圍為：78000H~78FFFHG1=1G2A=G2B=0時(shí)，譯碼器處于使能狀態(tài)。A、B和C三條線的輸入決定Y0–Y7的狀態(tài)。A19A18A17A16A15A14A13A12A11011110CBA38第三十八頁(yè)，共七十四頁(yè)。二、動(dòng)態(tài)隨(Sui)機(jī)存儲(chǔ)器DRAM特點(diǎn)：存儲(chǔ)元主要由電容構(gòu)成，由于電容存在的漏電現(xiàn)象而使其存儲(chǔ)的信息不穩(wěn)定，故DRAM芯片需要定時(shí)刷新原理:39第三十九頁(yè)，共七十四頁(yè)。典(Dian)型芯片舉例

DRAM芯片Intel2164A—?jiǎng)討B(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，8條地址線，2位數(shù)據(jù)線(輸出和輸入），3條控制線，兩條電源線，單片存儲(chǔ)容量64K×1。地址線采用分時(shí)復(fù)用，由CAS（列選通）和RAS（行選通），從而實(shí)現(xiàn)16位地址線，M＝216＝64K。NCDINWEA0A112345678RASA2GNDVCCCASDOUTA3A4161514131211109A6A5A7216440第四十頁(yè)，共七十四頁(yè)。典(Dian)型DRAM芯片2164A2164A：64K×1bit采用行地址和列地址來(lái)確定一個(gè)單元行列地址分時(shí)傳送，共用一組地址信號(hào)線地址信號(hào)線的數(shù)量?jī)H為同等容量SRAM芯片的一半41第四十一頁(yè)，共七十四頁(yè)。主(Zhu)要引線RAS：行地址選通信號(hào)。用于鎖存行地址CAS：列地址選通信號(hào)地址總線上先送上行地址，后送上列地址，它們分別在RAS和CAS有效期間被鎖存在鎖存器中DIN：數(shù)據(jù)輸入DOUT：數(shù)據(jù)輸出WE：寫允許信號(hào)WE=0數(shù)據(jù)寫入WE=1數(shù)據(jù)讀出NCDINWEA0A112345678RASA2GNDVCCCASDOUTA3A4161514131211109A6A5A7216442第四十二頁(yè)，共七十四頁(yè)。工作原(Yuan)理數(shù)據(jù)讀出數(shù)據(jù)寫入43第四十三頁(yè)，共七十四頁(yè)。工(Gong)作原理刷新:將存放于每位中的信息讀出再照原樣寫入原單元的過(guò)程44第四十四頁(yè)，共七十四頁(yè)。三、存(Cun)儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)位擴(kuò)展字?jǐn)U展字位擴(kuò)展用多片存儲(chǔ)芯片構(gòu)成一個(gè)需要的內(nèi)存空間，它們?cè)谡麄€(gè)內(nèi)存中占據(jù)不同的地址范圍，任一時(shí)刻僅有一片（或一組）被選中——存儲(chǔ)器的擴(kuò)展。存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量等于：?jiǎn)卧獢?shù)×每單元的位數(shù)字節(jié)數(shù)字長(zhǎng)45第四十五頁(yè)，共七十四頁(yè)。位(Wei)擴(kuò)展當(dāng)構(gòu)成內(nèi)存的存儲(chǔ)器芯片的字長(zhǎng)小于內(nèi)存單元的字長(zhǎng)時(shí)，就要進(jìn)行位擴(kuò)展，使每個(gè)單元的字長(zhǎng)滿足要求位擴(kuò)展方法：將每片的地址線、控制線并聯(lián)，數(shù)據(jù)線分別引出連接至數(shù)據(jù)總線的不同位上位擴(kuò)展特點(diǎn)：存儲(chǔ)器的單元數(shù)不變，位數(shù)增加46第四十六頁(yè)，共七十四頁(yè)。位(Wei)擴(kuò)展例用8片2164A芯片構(gòu)成64KB存儲(chǔ)器LS158A0~A7A8~A152164A2164A2164ADBABD0D1D7A0~A747第四十七頁(yè)，共七十四頁(yè)。字?jǐn)U(Kuo)展地址空間的擴(kuò)展。芯片每個(gè)單元中的字長(zhǎng)滿足，但單元數(shù)不滿足擴(kuò)展原則：每個(gè)芯片的地址線、數(shù)據(jù)線、控制線并聯(lián)，僅片選端分別引出，以實(shí)現(xiàn)每個(gè)芯片占據(jù)不同的地址范圍48第四十八頁(yè)，共七十四頁(yè)。字位(Wei)擴(kuò)展根據(jù)內(nèi)存容量及芯片容量確定所需存儲(chǔ)芯片數(shù)進(jìn)行位擴(kuò)展以滿足字長(zhǎng)要求進(jìn)行字?jǐn)U展以滿足容量要求若已有存儲(chǔ)芯片的容量為L(zhǎng)×K，要構(gòu)成容量為M×N的存儲(chǔ)器，需要的芯片數(shù)為：（M/L）×（N/K）49第四十九頁(yè)，共七十四頁(yè)。6.3只(Zhi)讀存儲(chǔ)器（ROM）掩模ROM一次性可寫ROM（PROM)可讀寫ROM分類EPROM（紫外線擦除）EEPROM（電擦除）知識(shí)點(diǎn)回顧:50第五十頁(yè)，共七十四頁(yè)。一(Yi)、EPROM特點(diǎn)：可多次編程寫入掉電后內(nèi)容不丟失內(nèi)容的擦除需用紫外線擦除器51第五十一頁(yè)，共七十四頁(yè)。EPROM27648K×8bit芯片，其引腳與SRAM6264完全兼容：地址信號(hào)：A0~A12數(shù)據(jù)信號(hào)：D0~D7輸出信號(hào)：OE片選信號(hào)：CE編程脈沖輸入：PGM讀(Du)操作時(shí)PGM＝12A12A7A6A5A4A3A2A1D0D1345678910111213141VPPA0D2GND27PGMNCA8A9A11OEA10CED6D526252423222120191817161528VCCD7D4D3276452第五十二頁(yè)，共七十四頁(yè)。2764的工作(Zuo)方式數(shù)據(jù)讀出編程寫入擦除標(biāo)準(zhǔn)編程方式快速編程方式編程寫入的特點(diǎn)：每出現(xiàn)一個(gè)編程負(fù)脈沖就寫入一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)53第五十三頁(yè)，共七十四頁(yè)。2764的工(Gong)作方式數(shù)據(jù)讀出：54第五十四頁(yè)，共七十四頁(yè)。2764的工(Gong)作示例A19A18A17A16A15A14A13A12-A00111CBA2764芯片的地址范圍是：70000H-71FFFH55第五十五頁(yè)，共七十四頁(yè)。二(Er)、EEPROM特點(diǎn)：可在線編程寫入掉電后內(nèi)容不丟失電可擦除56第五十六頁(yè)，共七十四頁(yè)。典(Dian)型EEPROM芯片98C64A8K×8bit芯片13根地址線（A0~A12）8位數(shù)據(jù)線（D0~D7）輸出允許信號(hào)（OE）寫允許信號(hào)（WE）選片信號(hào)（CE）狀態(tài)輸出端（READY/BUSY）57第五十七頁(yè)，共七十四頁(yè)。工作方(Fang)式數(shù)據(jù)讀出編程寫入擦除字節(jié)寫入：每一次BUSY正脈沖寫入一個(gè)字節(jié)自動(dòng)頁(yè)寫入：每一次BUSY正脈寫入一頁(yè)（1~32字節(jié)）字節(jié)擦除：一次擦除一個(gè)字節(jié)片擦除：一次擦除整片58第五十八頁(yè)，共七十四頁(yè)。EEPROM的應(yīng)(Ying)用可通過(guò)編寫程序?qū)崿F(xiàn)對(duì)芯片的讀寫，但每寫入一個(gè)字節(jié)都需判斷READY/BUSY端的狀態(tài)，僅當(dāng)該端為高電平時(shí)才可寫入下一個(gè)字節(jié)59第五十九頁(yè)，共七十四頁(yè)。三、閃(Shan)存特點(diǎn)：通過(guò)向內(nèi)部控制寄存器寫入命令的方法來(lái)控制芯片的工作方式60第六十頁(yè)，共七十四頁(yè)。工作方(Fang)式數(shù)據(jù)讀出編程寫入：擦除讀單元內(nèi)容讀內(nèi)部狀態(tài)寄存器內(nèi)容讀芯片的廠家及器件標(biāo)記數(shù)據(jù)寫入，寫軟件保護(hù)字節(jié)擦除，塊擦除，片擦除擦除掛起61第六十一頁(yè)，共七十四頁(yè)。6.4主存儲(chǔ)(Chu)器設(shè)計(jì)1、芯片選擇2、存儲(chǔ)器芯片的基本地址3、存儲(chǔ)器芯片的容量擴(kuò)充4、存儲(chǔ)器芯片與CPU連接62第六十二頁(yè)，共七十四頁(yè)。1、芯(Xin)片選擇①SRAM與CPU連接，不需要外圍電路，連接簡(jiǎn)單，用于小型控制系統(tǒng)。②DRAM常用于大型系統(tǒng)，因?yàn)樾枰⑿码娐?，比如PC機(jī)的內(nèi)存條。③ROM通常用于存放固定的系統(tǒng)程序。63第六十三頁(yè)，共七十四頁(yè)。2、存儲(chǔ)器芯片的(De)基本地址6116的基本地址：000H~7FFHD7…D1D064第六十四頁(yè)，共七十四頁(yè)。2、存儲(chǔ)器芯片的基本地(Di)址6264的基本地址:0000H~1FFFHD7…D1D065第六十五頁(yè)，共七十四頁(yè)。2、存儲(chǔ)器芯片的基(Ji)本地址2114的基本地址是000H~3FFHD3D2D1D066第六十六頁(yè)，共七十四頁(yè)。2、存儲(chǔ)器芯(Xin)片的基本地址EPROM27218基本地址是0000H~3FFFHD7…D1D067第六十七頁(yè)，共七十四頁(yè)。3、存儲(chǔ)器芯片的容(Rong)量擴(kuò)充對(duì)1#來(lái)說(shuō)其地址范圍00

000000000000~00

011111111111（即000H~07FFH）用兩片6116芯片（2K×8）即可擴(kuò)展成4K×8位，這種擴(kuò)展方式就稱為字?jǐn)U展。對(duì)2#來(lái)說(shuō)其地址范圍00

100000000000~00111111111111（即0800H~0FFFH)68第六十八頁(yè)，共七十四頁(yè)。3、存儲(chǔ)器芯片的(De)容量擴(kuò)充顯然，我們可以用2片2114組成1K×8位的存儲(chǔ)器，這種擴(kuò)展方式稱為位擴(kuò)展。對(duì)2114來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)容量是1K×4位，而正常數(shù)據(jù)都以字節(jié)作為存儲(chǔ)單