第六章CVD技術(shù)簡(jiǎn)介

第六章CVD技術(shù)簡(jiǎn)介第一節(jié)化學(xué)氣相沉積技術(shù)的發(fā)展歷史化學(xué)氣相沉積是利用氣態(tài)或蒸汽態(tài)的物質(zhì)在氣相或氣固界面上反應(yīng)生成固態(tài)沉積物的技術(shù)．化學(xué)氣相沉積原意為化學(xué)蒸汽沉積(ChemicalVaporDeposition,ForShortCVD)２０世紀(jì)６０年代該項(xiàng)技術(shù)的另一名稱為蒸汽鍍根據(jù)沉積過(guò)程分為PVD和CVDPVD包括：真空蒸發(fā)、濺射、離子鍍直接依靠氣體反應(yīng)或等離子體放電增強(qiáng)氣體反應(yīng)的稱為CVD或PCVDorPECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)20世紀(jì)50年代注重于刀具涂層的應(yīng)用。20世紀(jì)60~70年代注重于半導(dǎo)體和集成電路技術(shù)發(fā)展和生產(chǎn)需求，CVD技術(shù)成為超純硅原料的唯一生產(chǎn)方法和Ⅲ~Ⅴ族半導(dǎo)體、Ⅱ~Ⅵ族半導(dǎo)體單晶外延的基本生產(chǎn)方法。20世紀(jì)80年代低壓CVD金剛石薄膜第二節(jié)化學(xué)氣相沉積的技術(shù)原理CVD技術(shù)在無(wú)機(jī)合成和材料制備的特點(diǎn)：淀積反應(yīng)發(fā)生則淀積物按原有固態(tài)基底的形狀包復(fù)薄膜可以得到單一的無(wú)機(jī)物質(zhì)，作為原材料制備若采用某種基底材料，在淀積物達(dá)到一定厚度并又容易與基底分離，可得到特定形狀的器具可以淀積生成晶體或細(xì)粉末狀物質(zhì)CVD技術(shù)的要求反應(yīng)原料是氣態(tài)或易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質(zhì)反應(yīng)易于生成所需要的沉積物而其它副產(chǎn)物保留在氣相中排出或易分離整個(gè)操作較易于控制化學(xué)氣相沉淀的反應(yīng)類型簡(jiǎn)單熱分解和熱分解反應(yīng)沉積氧化還原反應(yīng)沉積合成反應(yīng)沉積化學(xué)輸運(yùn)反應(yīng)沉積等離子體增強(qiáng)的反應(yīng)沉積其他能源（激光）增強(qiáng)的反應(yīng)沉積第三節(jié)化學(xué)氣相沉積的裝置氣源控制部分沉積反應(yīng)室沉積溫控部件真空系統(tǒng)壓力控制系統(tǒng)其他（增強(qiáng)或激活設(shè)備）半導(dǎo)體超純多晶硅的沉積生產(chǎn)裝置常壓?jiǎn)尉庋雍投嗑П∧こ练e裝置等離子體增強(qiáng)CVD裝置123環(huán)狀噴口襯底低壓系統(tǒng)Plsama微波發(fā)生器CoolingWaterMicrowaveO2MFCO2PumpAerosolMFCArAr脈沖式計(jì)量泵超聲波發(fā)生器Precursor超聲噴嘴ECR控制面板前驅(qū)液多孔閥控溫系統(tǒng)電爐Ni-Cr板

第四節(jié)CVD技術(shù)的理論基礎(chǔ)氣相生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)模