晶體管的分類

晶體管的分類晶體管的代表形狀小尺寸表面安裝型晶體管 插入型晶蝦管（圖為轄截重囹）晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1.按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。晶體管INPN型 朔P型g^EIFET?MOSSFET明/螢伴產(chǎn)雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETFieldEffectTransistor的簡(jiǎn)稱，是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型FET以及GaAs型。接合型FET多用于音頻設(shè)備等的模擬電路中，MOS型FET主要用于微控制器等數(shù)字IC。GaAs型用于衛(wèi)星廣播信號(hào)接收等的微波增幅。

MetalOxideSemicONductor的簡(jiǎn)稱，因其構(gòu)造分別是金屬(Metal)、硅酸化膜(Oxide)、半辱體(SemicONductor),故稱MOS。MOS還分為P型、N型、C型，因?yàn)橄M(fèi)電流小，用于微控制器等集成度高的IC。2.按功率分類晶體管小信號(hào)晶體置功率晶體管小信號(hào)晶體置功率晶體管功率橫過(guò)1W率不沱詰賽匝主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號(hào)晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過(guò)1W。ROHM的小信號(hào)晶體管可以說(shuō)是業(yè)界第一的。小信號(hào)晶體管最大集電極電流(IC(max))在500mA以下，最大集電極功率(PC(max))不超過(guò)1W的晶體管。相對(duì)功率晶體管而得名，一般以樹脂封裝居多，這是其特點(diǎn)之一。功率晶體管一般功率晶體管的功率超過(guò)1W。相比小信號(hào)晶體管擁有更大的最大集電極電流、最大集電極功率，對(duì)于散熱而言，它本身形狀就很大，有的功率晶體管上還覆蓋著金屬散熱片。晶體管〃一詞由Transfer(傳送信號(hào))和Resistor(電阻器)組成。構(gòu)成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質(zhì)。因此，晶

體管也俗稱〃石〃，設(shè)計(jì)者常用〃…之石〃的叫法3.按集成度分類為滿足客戶需求，ROHM在分立式晶體管以外，還制造集成多個(gè)晶體管的復(fù)合晶體管。包括內(nèi)置電阻的數(shù)字晶體管、集多個(gè)晶體管于一體的晶體管陣列，還有構(gòu)成簡(jiǎn)單電路的晶體管單元?！鶖?shù)字晶體管內(nèi)置電阻的晶體管。它是在電路設(shè)計(jì)中將頻繁使用的部分標(biāo)準(zhǔn)化