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第6章磁場(chǎng)對(duì)電流和運(yùn)動(dòng)電荷的作用(時(shí)間:60分鐘,滿分:100分)一、單項(xiàng)選擇題(本題共5小題,每小題6分,共30分.在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中,只有一個(gè)選項(xiàng)正確.)1.下列關(guān)于通電直導(dǎo)線在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中受安培力的說法中正確的是()A.安培力大小只跟磁場(chǎng)的強(qiáng)弱和電流的強(qiáng)度有關(guān)B.安培力的方向與磁場(chǎng)方向垂直,不一定與電流方向垂直C.若導(dǎo)線受到的磁場(chǎng)力為零,導(dǎo)線所在處的磁感應(yīng)強(qiáng)度必定為零D.若某段導(dǎo)線在磁場(chǎng)中取某一方向時(shí)受到的磁場(chǎng)力最大,此時(shí)導(dǎo)線必與磁場(chǎng)方向垂直解析:選D.由安培力公式F=BIlsinθ及左手定則分析可知A、B、C錯(cuò)誤,D正確.2.如圖所示,abcd四邊形閉合線框,a、d、c三點(diǎn)分別在三個(gè)正交坐標(biāo)軸上,坐標(biāo)值均等于L,整個(gè)空間處于平行于+y方向豎直向上的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,通入電流I,方向如圖所示.關(guān)于四邊形的四條邊所受到的安培力的大小,下列敘述中正確的是()A.a(chǎn)b邊與bc邊受到的安培力大小相等B.cd邊受到的安培力最大C.cd邊與ad邊受到的安培力大小相等D.a(chǎn)d邊不受安培力作用解析:選邊不受安培力,ad邊的有效長度為L,故ab邊和ad邊受安培力大小相等.cd邊長度為eq\r(2)L,受安培力最大,B選項(xiàng)正確.3.(·淮安高二檢測(cè))洛倫茲力使帶電粒子在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),下列各圖中均標(biāo)有帶正電荷粒子的運(yùn)動(dòng)速度v,洛倫茲力F及磁場(chǎng)B的方向,圓表示粒子的軌跡,其中可能出現(xiàn)的情況是()解析:選A.帶電粒子做勻速圓周運(yùn)動(dòng),洛倫茲力提供向心力,故洛倫茲力指向圓心,C、D錯(cuò)誤.由左手定則判定A正確,B錯(cuò)誤.故選A.4.如圖所示,通電圓線圈套在條形磁鐵右端,磁場(chǎng)對(duì)通電線圈作用的結(jié)果是()A.圓面有被拉大的傾向 B.圓面有被壓小的傾向C.線圈將向上平移 D.線圈將向右平移解析:選B.線圈處在如圖所示的磁場(chǎng)中,線圈中電流的截面圖上方向外,下方向里,由左手定則知受力如圖所示,則在安培力的作用下,線圈有被壓小的趨勢(shì),F(xiàn)的水平分量將使線圈向左平移.故選B.5.在半徑為r的圓形空間內(nèi)有一勻強(qiáng)磁場(chǎng),一帶電粒子以速度v從A沿半徑方向入射,并從C點(diǎn)射出,如圖所示(O為圓心).已知∠AOC=120°.若在磁場(chǎng)中,粒子只受洛倫茲力作用,則粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)行的時(shí)間()\f(2πr,3v) \f(2\r(3)π,3v)\f(πr,3v) \f(\r(3)πr,3v)解析:選D.如圖,首先找出粒子做圓周運(yùn)動(dòng)的圓心O′,對(duì)應(yīng)的圓心角為60°,設(shè)該粒子做圓周運(yùn)動(dòng)的周期為T,半徑為R,則:R=r·cot30°=eq\r(3)r,則t=eq\f(1,6)T=eq\f(1,6)·eq\f(2πR,v)=eq\f(\r(3)πr,3v),故選D.二、多項(xiàng)選擇題(本題共5小題,每小題6分,共30分.在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中,有多個(gè)選項(xiàng)正確,全部選對(duì)的得6分,選對(duì)但不全的得3分,有選錯(cuò)或不答的得0分.)6.兩個(gè)粒子帶電荷量相等,在同一勻強(qiáng)磁場(chǎng)中只受磁場(chǎng)力而做勻速圓周運(yùn)動(dòng),則()A.若速率相等,則半徑必相等B.若質(zhì)量相等,則周期必相等C.若速度和質(zhì)量的乘積大小相等,則半徑必相等D.若動(dòng)能相等,則周期必相等解析:選BC.已知兩粒子q相同、B相同,則由半徑公式R=eq\f(mv,qB)可知A錯(cuò)誤、C正確;由周期公式T=eq\f(2πm,qB)可知B正確;因?yàn)閯?dòng)能相等,質(zhì)量未必相等,D錯(cuò)誤.故選BC.7.質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,它的構(gòu)造原理如圖所示.離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束(速度可看做為零)經(jīng)加速電場(chǎng)加速后垂直進(jìn)入有界勻強(qiáng)磁場(chǎng),到達(dá)記錄它的照相底片P上,設(shè)離子在P上的位置到入口處S1的距離為x,可以判斷()A.若離子束是同位素,x越大,離子質(zhì)量越大B.若離子束是同位素,x越大,離子質(zhì)量越小C.只要x相同,則離子質(zhì)量一定相同D.只要x相同,則離子的荷質(zhì)比一定相同解析:選AD.離子在電場(chǎng)中加速,有qU=eq\f(1,2)mv2,在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中偏轉(zhuǎn),有x=2R=eq\f(2mv,qB),聯(lián)立兩式,解得x=eq\f(2\r(2U),B)·eq\r(\f(m,q)),可判斷A、D正確.B、C錯(cuò)誤.故選AD.8.如圖所示,x軸上方有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng).有兩個(gè)質(zhì)量相同、電荷量也相同的分別帶正、負(fù)電的離子(不計(jì)重力)以相同速度從O點(diǎn)射入磁場(chǎng)中,射入方向與x軸的夾角均為θ.則正、負(fù)離子在磁場(chǎng)中()A.運(yùn)動(dòng)時(shí)間相同B.運(yùn)動(dòng)軌道半徑相同C.重新回到x軸時(shí)速度大小和方向均相同D.重新回到x軸時(shí)距O點(diǎn)的距離相同解析:選BCD.由半徑公式R=eq\f(mv,qB)可知,B正確;由左手定則確定正電荷受到的洛倫茲力方向垂直速度方向向上,而負(fù)電荷受到的洛倫茲力方向垂直速度方向向下,經(jīng)過勻速圓周運(yùn)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)以后離O點(diǎn)距離相等,可知C、D正確;圓心角不同,所以運(yùn)動(dòng)時(shí)間不同,A錯(cuò)誤.故選BCD.9.(2023·高考浙江卷)在半導(dǎo)體離子注入工藝中,初速度可忽略的磷離子P+和P3+,經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后,垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里、有一定寬度的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,如圖所示,已知離子P+在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過θ=30°后從磁場(chǎng)右邊界射出.在電場(chǎng)和磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí),離子P+和P3+()A.在電場(chǎng)中的加速度之比為1∶1B.在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑之比為eq\r(3)∶1C.在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過的角度之比為1∶2D.離開電場(chǎng)區(qū)域時(shí)的動(dòng)能之比為1∶3解析:選BCD.磷離子P+與P3+電荷量之比q1∶q2=1∶3,質(zhì)量相等,在電場(chǎng)中加速度a=eq\f(qE,m),由此可知,a1∶a2=1∶3,選項(xiàng)A錯(cuò)誤;離子進(jìn)入磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑r=eq\f(mv,qB),又qU=eq\f(1,2)mv2,故有r=eq\f(1,B)eq\r(\f(2mU,q)),即r1∶r2=eq\r(3)∶1,選項(xiàng)B正確;設(shè)離子P3+在磁場(chǎng)中偏角為α,則sinα=eq\f(d,r2),sinθ=eq\f(d,r1)(d為磁場(chǎng)寬度),故有sinθ∶sinα=1∶eq\r(3),已知θ=30°,故α=60°,選項(xiàng)C正確;全過程中只有電場(chǎng)力做功,W=qU,故離開電場(chǎng)區(qū)域時(shí)的動(dòng)能之比即為電場(chǎng)力做功之比,所以Ek1∶Ek2=W1∶W2=1∶3,選項(xiàng)D正確.10.(2023·高考廣東卷)如圖,兩個(gè)初速度大小相同的同種離子a和b,從O點(diǎn)沿垂直磁場(chǎng)方向進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng),最后打到屏P上.不計(jì)重力.下列說法正確的有()A.a(chǎn)、b均帶正電B.a(chǎn)在磁場(chǎng)中飛行的時(shí)間比b的短C.a(chǎn)在磁場(chǎng)中飛行的路程比b的短D.a(chǎn)在P上的落點(diǎn)與O點(diǎn)的距離比b的近解析:選AD.帶電離子打到屏P上,說明帶電離子向下偏轉(zhuǎn),根據(jù)左手定則,a、b兩離子均帶正電,選項(xiàng)A正確;a、b兩離子垂直進(jìn)入磁場(chǎng)的初速度大小相同,電荷量、質(zhì)量相等,由r=eq\f(mv,qB)知半徑相同.b在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)了半個(gè)圓周,a的運(yùn)動(dòng)大于半個(gè)圓周,故a在P上的落點(diǎn)與O點(diǎn)的距離比b的近,飛行的路程比b長,選項(xiàng)C錯(cuò)誤,選項(xiàng)D正確;根據(jù)eq\f(t,θ)=eq\f(T,2π)知,a在磁場(chǎng)中飛行的時(shí)間比b的長,選項(xiàng)B錯(cuò)誤.三、非選擇題(本題共3小題,共40分.解答時(shí)應(yīng)寫出必要的文字說明、方程式和重要的演算步驟,只寫出最后答案的不能得分,有數(shù)值計(jì)算的題,答案中必須明確寫出數(shù)值和單位.)11.(12分)(·上海高二檢測(cè))1982年澳大利亞國立大學(xué)制成了能把2.2g的彈體(包括金屬桿EF的質(zhì)量)加速到10km/s的電磁炮(常規(guī)炮彈的速度約為2km/s).如圖所示,若軌道寬為2m,長為100m,通過的電流為10A,試問軌道間所加勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度和磁場(chǎng)的最大功率有多大(軌道摩擦不計(jì))?解析:由運(yùn)動(dòng)學(xué)公式求出加速度a,由牛頓第二定律和安培力公式聯(lián)立求出B.據(jù)2ax=veq\o\al(2,t)-veq\o\al(2,0)得炮彈的加速度大小為a=eq\f(v\o\al(2,t),2x)=eq\f(10×1032,2×100)m/s2=5×105m/s2.(4分)據(jù)牛頓第二定律F=ma得炮彈所受的安培力F=ma=×10-3×5×105N=×103N,(2分)而F=BIL,所以B=eq\f(F,IL)=eq\f×103,10×2)T=55T.(3分)據(jù)P=Fv得,Pmax=Fv=×103×10×103W=×107W.(3分)答案:55T×107W12.(12分)電視機(jī)的顯像管中,電子束的偏轉(zhuǎn)是用磁偏轉(zhuǎn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)的.電子束經(jīng)過電壓為U的加速電場(chǎng)后,進(jìn)入一圓形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū),如圖所示.磁場(chǎng)方向垂直于圓面.磁場(chǎng)區(qū)域的中心為O,半徑為r.當(dāng)不加磁場(chǎng)時(shí),電子束將通過O點(diǎn)而打到屏幕的中心M點(diǎn).為了讓電子束射到屏幕邊緣P,需要加磁場(chǎng),使電子束偏轉(zhuǎn)一已知角度θ,此時(shí)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B應(yīng)為多少?解析:電子在磁場(chǎng)中沿圓弧ab運(yùn)動(dòng),圓心為C,半徑為R.以v表示電子進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度,m、e分別表示電子的質(zhì)量和電荷量,則eU=eq\f(1,2)mv2,(3分)evB=eq\f(mv2,R),(3分)又有taneq\f(θ,2)=eq\f(r,R),(3分)由以上各式解得B=eq\f(1,r)eq\r(\f(2mU,e))taneq\f(θ,2).(3分)答案:eq\f(1,r)eq\r(\f(2mU,e))taneq\f(θ,2)13.(16分)如圖所示,直角坐標(biāo)系xOy位于豎直平面內(nèi),在水平的x軸下方存在勻強(qiáng)磁場(chǎng)和勻強(qiáng)電場(chǎng),磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向垂直xOy平面向里,電場(chǎng)線平行于y軸.一質(zhì)量為m、電荷量為q的帶正電的小球,從y軸上的A點(diǎn)水平向右拋出,經(jīng)x軸上的M點(diǎn)進(jìn)入電場(chǎng)和磁場(chǎng),恰能做勻速圓周運(yùn)動(dòng),從x軸上的N點(diǎn)第一次離開電場(chǎng)和磁場(chǎng),MN之間的距離為L,小球過M點(diǎn)時(shí)的速度方向與x軸正方向的夾角為θ.不計(jì)空氣阻力,重力加速度為g,求:(1)電場(chǎng)強(qiáng)度E的大小和方向.(2)小球從A點(diǎn)拋出時(shí)初速度v0的大?。?3)A點(diǎn)到x軸的高度h.解析:(1)小球在x軸下方的復(fù)合場(chǎng)中恰能做勻速圓周運(yùn)動(dòng),靜電力與重力平衡,Eq=mg,得E=eq\f(mg,q),因小球帶正電,故E的方向豎直向上.(4分)(2)小球的運(yùn)動(dòng)軌跡如圖所示,(2分)設(shè)圓的半徑為R,則由幾何關(guān)系知R=eq\f(L,2sinθ),設(shè)小球做圓周運(yùn)動(dòng)的速率為v,有qvB=eq\f(mv2,R),得v=eq\f(qBR,m)=eq\
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