硅麥產(chǎn)品V10課件

艾為硅麥產(chǎn)品介紹

客戶需求是艾為存在的唯一理由目錄硅麥的工作原理硅麥的優(yōu)勢(shì)AW8610介紹及應(yīng)用硅麥的Roadmap硅麥的工作原理硅麥的結(jié)構(gòu)MEMS聲壓傳感器MEMS聲壓傳感器MEMS剖面示意圖MEMS聲壓傳感器實(shí)際上是一個(gè)由硅振膜和硅背極板組成的微型電容器，硅振膜能感測(cè)聲壓的變化，將聲壓轉(zhuǎn)化為電容變化。MEMS主要加工流程2硅麥的工作過(guò)程聲壓ΔP作用到振膜上將產(chǎn)生一個(gè)是使振膜移動(dòng)的推力ΔF振膜相當(dāng)于一個(gè)彈簧，將推力ΔF轉(zhuǎn)化為位移量ΔX振膜與背極板構(gòu)成一個(gè)微電容，ΔX導(dǎo)致微電容變化ΔCASIC將電容變化ΔC轉(zhuǎn)化為ΔV整個(gè)感應(yīng)過(guò)程：ΔP→ΔF→ΔX→ΔC→ΔV硅麥的優(yōu)勢(shì)硅麥的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)優(yōu)勢(shì)支持SMT硅麥能夠耐高溫，可以SMT貼片頻響平坦語(yǔ)音清晰，自然，易于辨識(shí)穩(wěn)定性硅麥性能不受溫度，電壓等條件變化的影響一致性片與片之間匹配很好，特別適合各種降噪算法抗RF干擾金屬外殼封裝能起到良好屏蔽，內(nèi)置RFI抑制電路體積小封裝尺寸3.76*2.95*1.1，相同性能的ECM是Φ6*1.5mm功耗小工作電流小于150uA，而ECM接近500uASMT硅麥能夠承受SMT所需的高溫，可以實(shí)現(xiàn)麥克風(fēng)的自動(dòng)化裝配生產(chǎn)，大大提高效率和節(jié)省成本。SMT高溫對(duì)硅麥性能沒有影響，可以承受5次SMT焊接?？筊F干擾金屬蓋子和帶屏蔽層的四層封裝基板構(gòu)成一個(gè)全包圍的屏蔽腔，有效屏蔽RF輻射。封裝基板中在VDD和OUTPUT引腳上內(nèi)置對(duì)地RF濾波電容。ASIC的輸出阻抗小于200Ω，抗RF干擾能力強(qiáng)，而ECM的輸出阻抗大于1.5KΩ我們的合作伙伴采用Infineon全套MEMSMIC芯片全球第二大MEMSMIC供應(yīng)商2012年總出貨量6億多片，占總份額的31%產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質(zhì)量和創(chuàng)新性著稱全球領(lǐng)先的封測(cè)供應(yīng)商MEMSMIC全自動(dòng)封裝測(cè)試生產(chǎn)線產(chǎn)品以LGA，BGA，F(xiàn)C，CSP等高端封裝為主AW8610：高性能、超強(qiáng)RFI抑制、上進(jìn)音模擬硅麥主要特性：采用InfineonMEMS晶圓支持SMT貼片優(yōu)異的一致性，顯著增強(qiáng)雙MIC降噪效果平坦的頻率響應(yīng)，使語(yǔ)音清晰逼真超強(qiáng)RFI抑制高信噪比：59dB靈敏度：-42

dBV/Pa上進(jìn)音，全向模擬硅麥3.76mm*2.95mm*1.1mmLGA封裝硅麥功能框圖靈敏度基本計(jì)算人耳的聽閾：Po=20uPa；人耳的痛閾：Pmax=20Pa聲壓級(jí)的定義：dBSPL=20log(Pout/20uPa)1Pa=94dBSPL，20Pa=120dBSPLdBV的定義：dBV=20log(Vout/1V)靈敏度的單位：dBV/Pa上進(jìn)音硅麥靈敏度標(biāo)準(zhǔn)：-42dBV/Pa=7.9mVrms/Pa頻率響應(yīng)優(yōu)異的平坦度和高帶寬的頻響，讓語(yǔ)音更加清晰，逼真，可辨識(shí)度高。具有良好的匹配性，顯著增強(qiáng)消噪效果。典型應(yīng)用電路我們都在用硅麥?。ㄅ琶环窒群螅pMIC降噪噪聲在兩個(gè)MIC處的幅度相當(dāng)，而語(yǔ)音到達(dá)兩個(gè)MIC的幅度響度較大，利用這個(gè)差異來(lái)濾掉噪聲，拾取語(yǔ)音。語(yǔ)音：相差6dB以上，被拾取噪聲：幅度相當(dāng)，被濾掉ECM一致性差，影響降噪效果。只有硅麥才能滿足降噪的要求。硅麥在iphone5中應(yīng)用Iphone5內(nèi)置3個(gè)硅麥，分位于底部，背面和前面。底部和背面的硅麥組成雙MIC降噪。前面的硅麥在聽筒中，采樣主動(dòng)降噪技術(shù)，產(chǎn)生噪聲的反向信號(hào)抵消噪聲，實(shí)現(xiàn)本地降噪。硅麥的性能優(yōu)勢(shì)增強(qiáng)Siri功能，提高可識(shí)別度。線控耳機(jī)在線控耳機(jī)中，硅麥可以完全替代ECM，且性能更佳。硅麥讓線控耳機(jī)的控制部分外形更加小巧時(shí)尚，語(yǔ)音更清晰逼真，辨識(shí)度更高。SMT注意事項(xiàng)拾取硅麥時(shí)，真空吸嘴必須處于拾取區(qū)域內(nèi)，否則有損壞的風(fēng)險(xiǎn)。禁止使用超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)回流焊溫度來(lái)焊接硅麥。用靜電袋包裝硅麥時(shí)，不允許抽真空。真空吸嘴不允許吸到硅麥的進(jìn)音孔。不允許用超聲波清潔PCBA。請(qǐng)謹(jǐn)慎使用氣槍或清洗液清潔PCBA；非用不可時(shí)，務(wù)必用膠帶貼住硅麥的進(jìn)音孔，以免異物或液體進(jìn)入。禁止對(duì)著硅麥的進(jìn)音孔吹氣或吸氣。禁止灰塵等細(xì)小顆粒物和液體進(jìn)入硅麥。硅麥的測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試設(shè)備：消音箱人工嘴功放放大器標(biāo)準(zhǔn)麥克風(fēng)標(biāo)準(zhǔn)麥克風(fēng)適配器測(cè)試專用聲卡電腦可靠性TestItemsDescriptionsResultsThermalShock100cyclesair-to-airthermalshockfrom-40℃to+125℃with15minutesoaks.(IEC68-2-14)77pcs，passHighTemperatureStorage1,000hoursat+105℃environment(IEC68-2-2TestBa)77pcs，passLowTemperatureStorage1,000hoursat-40℃environment(IEC68-2-1TestAa)77pcs，passreflow5reflowcycleswithpeaktemperature260℃77pcs，passHighTemperatureBias1,000hours,105℃environment,underbias(IEC68-2-2TestBa)77pcs，passLowTemperatureBias1,000hours,-40℃environment,underbias(IEC68-2-1TestAa)77pcs，passHighTemperature/HumidityBias1,000hours,85℃，85%R.H.underbias(JESD22-A101A-B)77pcs，passESD/ChiplevelHBM±7kV(MIL-STD-883HMethod3015.8)77pcs，passESD/ChiplevelMM±300V(JEDECEIA/JESD22-A115)77pcs，passLatch-up±450mA(JEDECSTANDARDNO.78CSEPTEMBER2010)77pcs，passVibration4cyclesof20Hzto2kHzsinusoidalsweepwith20Gpeakaccelerationlasting12minutesinX,Y,Zdirections.(Mil-Std-883E，method2007.2A)77pcs，passMechanicalShock10,000G，3pulsesinX,Y,Zdirections(IEC68-2-27，TestEa)77pcs，passDropTest1.5meterheightontoaconcretesurface，3dropsa