基于β-氧化鎵的深紫外納米光探測(cè)器

基于低維β-Ga2O3

深紫外探測(cè)器匯報(bào)內(nèi)容相關(guān)背景材料選擇文獻(xiàn)調(diào)研材料合成器件性能相關(guān)背景深紫外(DUV)：<280nm相關(guān)背景DUV火焰監(jiān)測(cè)生物醫(yī)藥臭氧監(jiān)測(cè)導(dǎo)彈制導(dǎo)相關(guān)背景相關(guān)背景5SSensi-tivitySignal-to-noiseratioSpectralselec-tivitySpeedStability匯報(bào)內(nèi)容相關(guān)背景材料選擇文獻(xiàn)調(diào)研材料合成器件性能Eg(ev)=1240/λ(nm)材料選擇材料Eg/eV材料分析C-BN6.3帶寬過大，對(duì)深紫外波段的選擇性有限，分別為193、225、210nm，響應(yīng)譜有缺失Diamond5.5AlN6.1β-Ga2O34.9對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)245.7nm合適AlxGa1-xN~xx>0.45時(shí)性能嚴(yán)重下降MgxZn1-xO~xx<0.37方可合成，Eg=4.3eV材料選擇物理蒸鍍弧光放電激光燒蝕CVD材料選擇1DGa2O3的合成方法匯報(bào)內(nèi)容相關(guān)背景材料選擇文獻(xiàn)調(diào)研材料合成器件性能文獻(xiàn)調(diào)研搜索關(guān)鍵字（主題）：

ultravioletdetector

&

nano*galliumoxideSCI數(shù)據(jù)庫(kù)Group

方法&產(chǎn)物前驅(qū)體氣氛電極P.FengCVD&NWGaN2AuY.B.LiCVD&NWGa2O3、石墨Ar、O2Ga2O3L.LiCVD&NBGaHe、O2Cr/AuR.J.ZouCVD&NWGaNAr碳化鎢文獻(xiàn)調(diào)研P.Fengetal.Appl.Phys.Lett.88,153107(2006)信噪比過低文獻(xiàn)調(diào)研NWLayerBridgedNWsQuartz電極與NW材料相同來自同一生長(zhǎng)過程接觸勢(shì)壘很低Y.B.Lietal.Adv.Funct.Mater.2010,20,3972–3978單步CVD法：Ga2O3納米線堆疊組成薄層電極，其后向相鄰電極生長(zhǎng)出橋接納米線VS與ZnO相反，β-Ga2O3納米線電子濃度極低使其受O2吸附-解吸作用所造成的影響很小文獻(xiàn)調(diào)研IndryairInargonNumber123Temperature/℃1000925800文獻(xiàn)調(diào)研DefectdensitiesGrowthtemperature文獻(xiàn)調(diào)研Individualnanobelts：width~1.6μm，thickness~100nmL.Lietal.Nanoscale,2011,3,1120–1126Rλ/AW-1QE

tr

/sIP~Pθ~102~102<0.3θ~0.85文獻(xiàn)調(diào)研Fermi-levelpinningrecombinationbarriernanostructuresizewidthtr/std/s3.3μm367.8800nm

<0.3<0.3文獻(xiàn)調(diào)研溫度暗電流響應(yīng)度響應(yīng)速度選擇性R.J.Zouetal.Nanotechnology24(2013)495701該探測(cè)器的各方面性能均有較好的熱穩(wěn)定性可在惡劣環(huán)境下工作文獻(xiàn)調(diào)研參考文獻(xiàn)P.Fengetal.Appl.Phys.Lett.88,153107(2006)Y.B.Lietal.Adv.Funct.Mater.2010,20,3972–3978L.Lietal.Nanoscale,2011,3,1120–1126R.J.Zouetal