GB/T 6618-2009硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜６６１８—２００９

代替ＧＢ／Ｔ６６１８—１９９５

硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

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２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書

犌犅／犜６６１８—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ６６１８—１９９５《硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＧＢ／Ｔ６６１８—１９９５相比，主要有如下變化：

———將適用范圍擴(kuò)展到外延片；

———增加了第４章干擾因素；

———增加了１５０ｍｍ和２００ｍｍ兩種規(guī)格的基準(zhǔn)環(huán)的尺寸；

———增加了７．２儀器校正的內(nèi)容。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：北京有研半導(dǎo)體材料股份有限公司。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：盧立延、孫燕、杜娟。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ６６１８—１９８６、ＧＢ／Ｔ６６１８—１９９５。

Ⅰ

書

犌犅／犜６６１８—２００９

硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單晶切割片、研磨片、拋光片和外延片（簡(jiǎn)稱硅片）厚度和總厚度變化的分立式和掃

描式測(cè)量方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于符合ＧＢ／Ｔ１２９６４、ＧＢ／Ｔ１２９６５、ＧＢ／Ｔ１４１３９規(guī)定的尺寸的硅片的厚度和總厚度變

化的測(cè)量。在測(cè)試儀器允許的情況下，本標(biāo)準(zhǔn)也可用于其他規(guī)格硅片的厚度和總厚度變化的測(cè)量。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ２８２８．１計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第１部分：按接收質(zhì)量限（ＡＱＬ）檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

（ＧＢ／Ｔ２８２８．１—２００３，ＩＳＯ２８５９１：１９９９，ＩＤＴ）

ＧＢ／Ｔ１２９６４硅單晶拋光片

ＧＢ／Ｔ１２９６５硅單晶切割片和研磨片

ＧＢ／Ｔ１４１３９硅外延片

３方法概述

３．１分立點(diǎn)式測(cè)量

在硅片中心點(diǎn)和距硅片邊緣６ｍｍ圓周上的４個(gè)對(duì)稱位置點(diǎn)測(cè)量硅片厚度。其中兩點(diǎn)位于與硅片

主參考面垂直平分線逆時(shí)針方向的夾角為３０°的直徑上，另外兩點(diǎn)位于與該直徑相垂直的另一直徑上