標準解讀

《GB/T 5252-2006 鍺單晶位錯腐蝕坑密度測量方法》與《GB/T 5252-1985 鍺單晶位錯腐蝕坑密度測量方法》相比,在內容上進行了更新和完善,主要體現在以下幾個方面:

首先,新標準對術語和定義部分進行了更加明確的描述。例如,對于“位錯腐蝕坑”、“腐蝕液”等關鍵術語給出了更為精確的定義,這有助于減少因理解差異導致的操作誤差。

其次,《GB/T 5252-2006》版本中增加了實驗條件控制的具體要求。比如,在溫度控制、時間設定以及樣品處理等方面都給出了更加詳細的規(guī)定,旨在提高測量結果的一致性和準確性。

再次,新版標準還改進了樣品制備流程。包括但不限于樣品切割尺寸、拋光質量要求等方面的調整,這些變化都是基于最新研究成果而做出的優(yōu)化,以期獲得更高質量的數據。

此外,《GB/T 5252-2006》還特別強調了安全操作規(guī)程的重要性,并在附錄中提供了相關指導信息,提醒實驗人員注意個人防護及實驗室安全管理。


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  • 被代替
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  • 2006-07-18 頒布
  • 2006-11-01 實施
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文檔簡介

ICS77.040.01H17中華人民共和國國家標準GB/T5252—2006代替GB/T5252—1985錯單晶位錯腐蝕坑密度測量方法Germaniummonocrystal-Inspectionofdislocationetchpitdensity2006-07-18發(fā)布2006-11-01實施中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局愛布中國國家標準化管理委員會

GB/T5252-2006前本標準是對GB/T5252—1985《錯單品位錯腐蝕坑密度測量方法》的修訂本標準與原標準相比.主要變動如下:-將原標準中的適用范圍改為0cm-~100000cm2;-取消了原標準中對磨砂牌號的規(guī)定;-更正原標準中位錯密度單位。本標準自實施之日起代替GB/T5252—1985。本標準由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。本標準由全國有色金屬標準化技術委員會歸口。本標準起草單位:北京有色金屬研究總院。本標準主要起草人:余懷之.劉建平。本標準由全國有色金屬標準化技術委員會負責解釋本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為:-GB/T5252-1985。

GB/T5252—2006錯單晶位錯腐蝕坑密度測量方法T范圍本標準適用于位錯密度0cm一~100000m一的n型和p型錯單品棒或片的位錯密度或其他缺陷的測量。觀察面為(111)、(100)和(113)面。2術語和定義以下術語和定義適用于本標準21位錯dislocation單晶中.部分原子受應力的作用產生滑移。已滑移部分與未滑移部分的分界線為位錯線,簡稱2.2位錯密度dislocationdensity單位體積內位錯線的總長度稱為位錯密度(cm/cm')。本標準指單位表面上位錯腐蝕坑的數目(個/cm).23位錯堆pile-upofdislocation某區(qū)域的位錯密度高于該斷面其他區(qū)域的平均位錯密度5倍以上,且其面積大于視場面積5倍以上·則稱此區(qū)域為位錯堆(圖1)。24平底坑flatbasepit單品經化學腐蝕后,除位錯腐蝕坑外,還有一些淺坑,這里稱平底坑。它可能是由于空位或晶體的夾雜(如SiO、)等因素所致(圖2)。2.5小角度晶界Lsmall-angleboundary單品中取向差很小的小品粒的交界面稱為小角度品界。要求1mm長度內位錯腐蝕坑在15個以上,且長度在1.5mm以上。(111)面上的位錯腐蝕坑呈現一系列以角頂著底邊的排列形式(圖3)。2.6滑移線(位錯排)slipline由于沿著滑移面滑移,在品體表面形成的線稱滑移線或位錯排。要求1mm長度內位錯腐蝕坑在15個以上.且長度在1.5mm以上。(111)面上的滑移線.位錯腐蝕坑按二110>方向排列成行,每一腐蝕坑的底邊都在同一條直線上(圖4)。27星形結構starstru

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