GB/T 5252-2006鍺單晶位錯腐蝕坑密度測量方法

ICS77.040.01H17中華人民共和國國家標準GB/T5252—2006代替GB/T5252—1985錯單晶位錯腐蝕坑密度測量方法Germaniummonocrystal-Inspectionofdislocationetchpitdensity2006-07-18發(fā)布2006-11-01實施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局愛布中國國家標準化管理委員會

GB/T5252-2006前本標準是對GB/T5252—1985《錯單品位錯腐蝕坑密度測量方法》的修訂本標準與原標準相比.主要變動如下：-將原標準中的適用范圍改為0cm-～100000cm2；-取消了原標準中對磨砂牌號的規(guī)定；-更正原標準中位錯密度單位。本標準自實施之日起代替GB/T5252—1985。本標準由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。本標準由全國有色金屬標準化技術(shù)委員會歸口。本標準起草單位：北京有色金屬研究總院。本標準主要起草人：余懷之.劉建平。本標準由全國有色金屬標準化技術(shù)委員會負責(zé)解釋本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：-GB/T5252-1985。

GB/T5252—2006錯單晶位錯腐蝕坑密度測量方法T范圍本標準適用于位錯密度0cm一～100000m一的n型和p型錯單品棒或片的位錯密度或其他缺陷的測量。觀察面為(111)、(100)和(113)面。2術(shù)語和定義以下術(shù)語和定義適用于本標準21位錯dislocation單晶中.部分原子受應(yīng)力的作用產(chǎn)生滑移。已滑移部分與未滑移部分的分界線為位錯線，簡稱2.2位錯密度dislocationdensity單位體積內(nèi)位錯線的總長度稱為位錯密度（cm/cm')。本標準指單位表面上位錯腐蝕坑的數(shù)目（個/cm）.23位錯堆pile-upofdislocation某區(qū)域的位錯密度高于該斷面其他區(qū)域的平均位錯密度5倍以上,且其面積大于視場面積5倍以上·則稱此區(qū)域為位錯堆(圖1)。24平底坑flatbasepit單品經(jīng)化學(xué)腐蝕后，除位錯腐蝕坑外，還有一些淺坑，這里稱平底坑。它可能是由于空位或晶體的夾雜(如SiO、)等因素所致(圖2)。2.5小角度晶界Lsmall-angleboundary單品中取向差很小的小品粒的交界面稱為小角度品界。要求1mm長度內(nèi)位錯腐蝕坑在15個以上,且長度在1.5mm以上。（111)面上的位錯腐蝕坑呈現(xiàn)一系列以角頂著底邊的排列形式(圖3)。2.6滑移線（位錯排）slipline由于沿著滑移面滑移，在品體表面形成的線稱滑移線或位錯排。要求1mm長度內(nèi)位錯腐蝕坑在15個以上.且長度在1.5mm以上。（111)面上的滑移線.位錯腐蝕坑按二110>方向排列成行，每一腐蝕坑的底邊都在同一條直線上（圖4）。27星形結(jié)構(gòu)starstru