標準解讀

《GB/T 4585-2004 交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污穢試驗》是一項國家標準，旨在通過模擬自然環(huán)境中的污穢條件來測試高壓絕緣子在特定污染情況下的性能。該標準適用于評估和比較不同類型的絕緣子在人工施加的污穢條件下耐受閃絡(luò)的能力。根據(jù)此標準進行的試驗能夠幫助制造商、用戶以及研究人員了解絕緣子在實際運行中可能遇到的各種污染物影響下的電氣性能。

按照該標準的規(guī)定，試驗主要關(guān)注以下幾個方面：

  1. 試驗對象：適用于額定電壓等級為3kV及以上的新制造或使用中的盤形懸式瓷或玻璃絕緣子。
  2. 污穢類型：包括固體層法（如鹽密）、霧滴法等方法來模擬自然界中存在的不同類型污穢。
  3. 試驗條件：詳細規(guī)定了試驗所需的大氣溫度、濕度等環(huán)境參數(shù)要求；同時對于不同種類的污穢物質(zhì)及其配比也給出了明確指示。
  4. 閃絡(luò)電壓測定：通過逐漸增加施加于試品兩端的電壓直至發(fā)生首次閃絡(luò)現(xiàn)象，并記錄此時的電壓值作為閃絡(luò)電壓。
  5. 結(jié)果評價：基于實驗獲得的數(shù)據(jù)對絕緣子抗污能力進行評估，通常以閃絡(luò)電壓與清潔狀態(tài)下的干閃電壓之比表示其耐污性能的好壞。


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  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 4585-2024
  • 2004-05-14 頒布
  • 2005-02-01 實施
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文檔簡介

ICS29.080.10K48中華人民共和國國家標準GB/T4585-2004/IEC60507:1991代替GB/T4585.1—1984.GB/T4585.2-1991交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污秒試驗Artificialpollutiontestsonhigh-voltageinsulatorstobeusedona.c.systems（IEC60507:1991,IDT)2004-05-14發(fā)布2005-02-01實施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布中國國家標準化管理委員會

GB/T4585-2004/IEC60507：1991三次前言第一節(jié)總?cè)绶秶?目的3定義第二節(jié)-般試驗要求4試驗方法5被試絕緣子的準備對試驗設(shè)備要求第三節(jié)鹽霧法7鹽溶液8噴霧系統(tǒng)武驗開始前的條件10預處理過程……耐受試驗……12耐受試驗的接收準則·第四節(jié)固體層法污液的組成·精性材料的主要特性15虧層的涂覆…………16被試絕緣子污移度的測定17污層濕潤的一般要求1018試驗程序·………19耐受試驗和接收準則（對程序A和B都通用的)附錄A（資料性附錄）評定試驗設(shè)備是否要求的補充資料14附錄B（資料性附錄)絕緣子耐受特性的測定·附錄C（資料性附錄)檢驗污層均勻性的污層電導率的測量17附錄D（資料性附錄)與固體層法程序有關(guān)的補充推薦·1o

GB/T4585-2004/IEC60507：1991本標準等同采用IEC60507:1991《交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污移試驗》英文版)為便于使用，本標準做了下列編輯性修改：a）用小數(shù)點"."代替作為小數(shù)點的運號","；刪除IEC60507:1991的前言。本標準代替（B/T4585.1—1984《交流系統(tǒng)用高壓絕緣子人工污移試驗方法鹽霧法》和GB/T4585.2—1991《交流系統(tǒng)用高壓絕緣子人工污移試驗方法固體層法》。本標準與GB/T4585.1—1984和GB/T4585.2—1991相比主要變化如下：對對試驗設(shè)備的短路電流要求不同。GB/T4585.1和GB/T4585.2規(guī)定短路電流不小于10A,而本標準規(guī)定短路電流與被試絕緣子爬電比距有關(guān),當爬電比距在16mm/kV至25mm/kV之間變化時，最小短路電流應(yīng)在6A至15A之間變化才能滿足要求：本標準規(guī)定絕緣子鹽霧法試驗時應(yīng)進行預處理(本標準的第10章)，而GB/T4585.1無此規(guī)定GB/T4585.2規(guī)定的染污方法包括有定量涂刷法，而本標準未規(guī)定此方法GB/T4585.2規(guī)定染污的污液有兩種,其中的情性材料一為硅藻土，另一為硅藻土和高度分散的二氧化硅。本標準規(guī)定的染污污液有兩種,其中一種與GB/T4585.2相同,所含情性材料為硅藻土和高度分散二氧化硅.另一種所含情性材料為高嶺土(或硒石粉)。本標準的附錄A、附錄B、附錄C、附錄D均為資料性附錄。本標準由中國電器工業(yè)協(xié)會提出。本標準由全國絕緣子標準化技術(shù)委員會歸口。本標準起草單位：西安電瓷研究所、武漢高壓研究所、重慶大學。本標準主要起草人：李大楠、吳光亞、蔣興良、丘志賢本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：GB/T4585.1-1984、GB/T4585.2-1991

GB/T4585-2004/IEC60507：1991交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污秒試驗第一節(jié)總1范圍本標準適用于系統(tǒng)最高電壓1kV～765kV范圍內(nèi)的交流系統(tǒng)用戶外和暴露在污移大氣中的瓷和玻璃絕緣子的工頻耐受特性的測定這這些試驗不能直接應(yīng)用于涂油絕緣子和特殊型式的絕緣子（具有半導電釉的絕緣子或覆蓋有任何有機絕緣材料的絕緣子）目的本標準的目的是規(guī)定適用于架空線路、變電站、牽引線路絕緣子以及套管的人工污移試驗程序，定義為本標準的目的·規(guī)定了下列定義3.1試驗電壓tcstvoltage在整個試驗期間連續(xù)地施加到絕緣子上的電壓的方均根值3.2試驗設(shè)備的短路電流（L.）short-circuitcurrent（L.）ofthetestingplant試品在試驗電壓下短路時由試驗設(shè)備所供給的電流的方均根值33絕緣子的爬電比距（L、)specificcreepagedistance（Ls）ofaninsulator絕緣子的總爬電距離L除以試驗電壓與V3的積;它通常以mm/kV來表示。3.4絕緣子的形狀因數(shù)（F）Formfactorofaninsulator（F)形狀因數(shù)是由絕緣子尺寸確定的。為了圖解估算此形狀因數(shù),應(yīng)將絕緣子圓周的倒數(shù)值(1/P)對從絕緣子一端到所考慮點的局部爬電距離7畫出。形狀因數(shù)由這個曲線下的面積給出并按下式計算：3.5鹽度（S.）salinity（S.）鹽在

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