第2講 氣體電介質(zhì)的絕緣特性(一)_第1頁
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第2講1氣體放電的基本物理過程（二）湯遜的自持放電條件自持放電無需外界電離因素從陰極釋放自由電子增加間隙上的電壓非自持放電場強能保證出現(xiàn)有效的碰撞電離；依靠外界電離因素從陰極釋放自由電子。第三節(jié)自持放電條件

電子崩中的正離子在返回陰極時，由于其具有的位能（電離能）及動能而在陰極上產(chǎn)生的二次電離是取得二次電子使放電轉(zhuǎn)為自持的關(guān)鍵。湯遜的解釋：

如果每個正離子返回陰極時，由于其具有的位能及動能，從陰極上釋放出個二次電子。（假設(shè)起始電子不參加電離過程）新增加的ed－1個正離子或電子(ed＿1)個電子

湯遜理論分析：二次電離放電由非自持轉(zhuǎn)入自持的條件為

電極材料及表面狀況氣體種類E/P取決于6將的計算式代入自持放電條件

起始電壓U0溫度不變時，均勻電場中氣體的擊穿電壓Ub是氣體壓強和電極間距離的乘積pd的函數(shù)第四節(jié)起始電壓與氣壓的關(guān)系(ed＿1)=17巴申（Paschen）定律

擊穿電壓與pd的規(guī)律在碰撞電離學(xué)說提出之前，就已從實驗中總結(jié)出來了（U形，應(yīng)用）

8實際上的系數(shù)A及B和溫度有關(guān)。系數(shù)A和絕對溫度成反比比值p／T和氣體密度成正比

式中p以兆帕計，T以絕對溫度表示巴申定律更普遍的形式9物理解釋：假設(shè)d保持不變，當(dāng)P增大時，電子的平均自由行程縮短了，相鄰兩次碰撞之間，電子積聚到足夠動能的幾率減小了。反之；當(dāng)P減小時，電子在碰撞前積聚到足夠動能的幾率雖然增大了，但氣體很稀薄，電子在走完全程中與氣體分子相撞的總次數(shù)卻減到很小，Ub所也會增大。同樣，可假設(shè)P保持不變。d值增大時，欲得一定的場強，電壓必須增大。當(dāng)d值減到過小時，場強雖大增，但電于在走完全程中所遇到的撞擊次數(shù)己減到很?。室笸饧与妷涸龃?，才能擊穿。U形曲線代入自持放電的臨界條件及得影響擊穿電壓的因素均勻電場中氣體的自持放電的起始電壓，等于氣隙的擊穿電壓U0。 U0＝f(Pd)

1.2.3巴申（Paschen）定律巴申曲線巴申曲線解釋電離次數(shù)=碰撞次數(shù)*電離概率距離d不變，

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