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- 正在執(zhí)行有效
- 2018-03-15 頒布
- 2019-02-01 實施
文檔簡介
ICS7104040
G04..
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T36053—2018/ISO164132013
:
X射線反射法測量薄膜的厚度
、
密度和界面寬度儀器要求準(zhǔn)直和定位
、、
數(shù)據(jù)采集數(shù)據(jù)分析和報告
、
EvaluationofthicknessdensitandinterfacewidthofthinfilmsbX-ra
,yyy
reflectometr—Instrumentalreuirementsalinmentandositionin
yq,gpg,
datacollectiondataanalsisandreortin
,ypg
(ISO16413:2013,IDT)
2018-03-15發(fā)布2019-02-01實施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布
中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
GB/T36053—2018/ISO164132013
:
目次
前言
…………………………Ⅰ
引言
…………………………Ⅱ
范圍
1………………………1
術(shù)語定義符號和縮略語
2、、………………1
術(shù)語和定義
2.1…………………………1
符號和縮略語
2.2………………………3
儀器要求準(zhǔn)直和定位指南
3、………………4
掃描方法的儀器要求
3.1………………4
儀器準(zhǔn)直
3.2……………7
樣品準(zhǔn)直
3.3……………8
數(shù)據(jù)采集和存儲
4…………………………9
概述
4.1…………………9
數(shù)據(jù)掃描參數(shù)
4.2………………………9
動態(tài)范圍
4.3……………10
步長峰定義
4.4()………………………10
采集時間累計計數(shù)
4.5()………………10
分段數(shù)據(jù)采集
4.6………………………10
降低噪聲
4.7……………10
探測器
4.8………………11
環(huán)境
4.9…………………11
數(shù)據(jù)存儲
4.10…………………………11
數(shù)據(jù)分析
5…………………11
初步數(shù)據(jù)處理
5.1………………………11
樣品建模
5.2……………12
數(shù)據(jù)模擬
5.3XRR……………………13
一般舉例
5.4……………14
數(shù)據(jù)擬合
5.5……………17
分析報告中的必要信息
6XRR…………18
概述
6.1…………………18
實驗細(xì)節(jié)
6.2……………18
分析模擬和擬合程序
6.3()……………18
報告曲線的方法
6.4XRR……………19
附錄資料性附錄氮氧化硅晶圓測量報告示例
A()……………………22
參考文獻(xiàn)
……………………26
GB/T36053—2018/ISO164132013
:
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)使用翻譯法等同采用射線反射法測量薄膜的厚度密度和界面寬度
ISO16413:2013《X、
儀器要求準(zhǔn)直和定位數(shù)據(jù)采集數(shù)據(jù)分析和報告
、、、》。
請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任
。。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口
(SAC/TC38)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國計量科學(xué)研究院
:。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人王海王梅玲張艾蕊宋小平
:、、、。
Ⅰ
GB/T36053—2018/ISO164132013
:
引言
在薄膜設(shè)備和射線波長合適的情況下射線反射法可廣泛用于測量平面襯底上厚度
、X,X(XRR)
介于約至之間的單層和多層薄膜的厚度密度和界面寬度界面寬度是通用術(shù)語通常是
1nm1μm、。,
指界面或表面粗糙度和或貫穿界面的密度梯度在射線輻照范圍內(nèi)要求樣品橫向均勻通常表
/。X,。,
面化學(xué)分析方法提供的物質(zhì)的量的信息需經(jīng)轉(zhuǎn)換來估計厚度與之相比能夠提供直接溯源至長
。,XRR
度單位的厚度是一種強有力的薄膜厚度測量方法并且能夠溯源至單位
。XRR,SI。
第章描述了適合于采集高質(zhì)量鏡面射線反射率數(shù)據(jù)的設(shè)備的主要要求以及為實現(xiàn)有用準(zhǔn)
3X,、
確測量所需要的樣品準(zhǔn)直和定位要求
。
第章描述了數(shù)據(jù)采集的主要內(nèi)容其目的是為了獲得高質(zhì)量的鏡面射線反射率數(shù)據(jù)且其適用
4,X
于數(shù)據(jù)處理與建模傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)采集是在直接操作數(shù)據(jù)輸入情況下進(jìn)行單次測量然而新近的數(shù)據(jù)
。。,
采集通常是通過指令儀器來進(jìn)行多次測量除了操作模式之外若有控制儀器的軟件程序也能通過自
。,,
動化測試腳本來采集數(shù)據(jù)
。
第章描述了為獲得有物理意義的樣品重要信息而分析鏡面數(shù)據(jù)的基本原則雖然鏡面
5XRR。
擬合過程復(fù)雜但可在保證質(zhì)量的前提下進(jìn)行一定程度且用戶明了的簡化有很多專利的或非專
XRR,。
利的數(shù)據(jù)模擬和擬合軟件包關(guān)于它們的理論和算法描述不屬于本標(biāo)準(zhǔn)的范圍在適當(dāng)?shù)牡胤?/p>
XRR,。
會為感興趣的讀者提供一些參考文獻(xiàn)
。
第章列出了報告實驗所要求的信息并對能夠呈現(xiàn)數(shù)據(jù)和結(jié)果的可能方法進(jìn)行了簡
6XRR,XRR
要總結(jié)當(dāng)可用方法不止一個時提出首選方法
。,。
本標(biāo)準(zhǔn)不是教科書它是關(guān)于開展測量和分析的標(biāo)準(zhǔn)關(guān)于技術(shù)方面的解釋說明可查閱合
,XRR。,
適的參考文獻(xiàn)例如和合著的
[:D.KeithBowenBrianK.Tanner“X-RayMetrologyinSemiconductor
半導(dǎo)體制造中的射線計量所著的
Manufacturing(X)”,TaylorandFrancis,London(2006);M.Tolan
軟物質(zhì)薄膜的射線反射
“X-rayReflectivityfromSoftMatterThinFilms(X)”,SpringerTractsin
和合著的
ModernPhysicsvol.148(1999);U.Pietsch,V.HolyT.Baumbach“HighResolutionX-Ray
從薄膜到橫向納米結(jié)構(gòu)的高分辨射線散
ScatteringfromThinFilmstoLateralNanostructures(X
射和合著的
)”,Springer(2004);J.DaillantA.Gibaud“X-rayandNeutronReflectivity:Principlesand
射線和中子反射原理和應(yīng)用
Applications(X:)”,Springer(2009)]。
本標(biāo)準(zhǔn)未考慮與射線設(shè)備使用相關(guān)的安全方面問題在測量過程中遵守法律規(guī)定的相關(guān)安全
X。,
程序是使用者的責(zé)任
。
Ⅱ
GB/T36053—2018/ISO164132013
:
X射線反射法測量薄膜的厚度
、
密度和界面寬度儀器要求準(zhǔn)直和定位
、、
數(shù)據(jù)采集數(shù)據(jù)分析和報告
、
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了通過射線反射技術(shù)來測量平面襯底上厚度介于約之間的單
X(XRR)1nm~1μm
層和多層薄膜的厚度密度和界面寬度的方法
、。
本方法使用單色化的平行光進(jìn)行角度或散射矢量掃描類似的考慮事項適用于使用分布式探測器
。
進(jìn)行平行數(shù)據(jù)采集的會聚光束或者掃描波長的情形但本標(biāo)準(zhǔn)不描述這些方法對于射線漫反射技
,。X
術(shù)而言實驗要求是相似的但本標(biāo)準(zhǔn)不包括這部分內(nèi)容
,,。
測量可在具有不同配置的設(shè)備上進(jìn)行這些設(shè)備包含實驗室儀器同步輻射光束線上的反射率計
。、
以及工業(yè)中的自動系統(tǒng)等
。
應(yīng)注意的是數(shù)據(jù)采集時薄膜可能存在的不穩(wěn)定性將會引起測量結(jié)果準(zhǔn)確度下降使用單
,,。XRR
波長入射射線束不能提供薄膜的化學(xué)信息因此應(yīng)注
溫馨提示
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