標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 34893-2017 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù) 基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)面內(nèi)長(zhǎng)度測(cè)量方法》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，它規(guī)定了使用光學(xué)干涉技術(shù)對(duì)MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）中微結(jié)構(gòu)在平面內(nèi)的長(zhǎng)度進(jìn)行精確測(cè)量的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于MEMS器件制造過(guò)程中或成品測(cè)試階段，對(duì)于需要高精度尺寸控制的應(yīng)用場(chǎng)景尤為重要。

標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)描述了采用光學(xué)干涉法進(jìn)行測(cè)量時(shí)所需設(shè)備的基本要求、環(huán)境條件以及操作流程。首先，介紹了適用于此類(lèi)測(cè)量的干涉儀類(lèi)型，包括但不限于白光干涉儀和激光干涉儀，并指出這些儀器應(yīng)具備足夠的分辨率以滿(mǎn)足MEMS微結(jié)構(gòu)尺寸的測(cè)量需求。接著，指定了測(cè)量過(guò)程中的關(guān)鍵參數(shù)設(shè)置，如光源波長(zhǎng)選擇、參考鏡與樣品間距離調(diào)整等，確保能夠獲得清晰穩(wěn)定的干涉條紋圖像。

此外，還討論了如何通過(guò)分析干涉圖樣來(lái)計(jì)算出待測(cè)微結(jié)構(gòu)的實(shí)際長(zhǎng)度值。這涉及到從獲取到的原始數(shù)據(jù)中提取有效信息，利用特定算法處理后得到最終結(jié)果。整個(gè)過(guò)程強(qiáng)調(diào)了重復(fù)性和準(zhǔn)確性的重要性，建議實(shí)施多次測(cè)量取平均值以減少隨機(jī)誤差的影響。

該標(biāo)準(zhǔn)也涵蓋了實(shí)驗(yàn)前后的準(zhǔn)備事項(xiàng)及注意事項(xiàng)，比如清潔樣品表面防止污染影響測(cè)量精度，以及合理安排實(shí)驗(yàn)室溫濕度控制避免外部因素干擾。同時(shí)，提供了關(guān)于數(shù)據(jù)記錄、報(bào)告撰寫(xiě)等方面的指導(dǎo)性意見(jiàn)，幫助使用者更好地完成測(cè)量任務(wù)并保證結(jié)果的有效性和可追溯性。


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....

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  • 正在執(zhí)行有效
  • 2017-11-01 頒布
  • 2018-05-01 實(shí)施
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GB/T 34893-2017微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)面內(nèi)長(zhǎng)度測(cè)量方法_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

ICS31200

L55.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T34893—2017

微機(jī)電系統(tǒng)MEMS技術(shù)

()

基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)

面內(nèi)長(zhǎng)度測(cè)量方法

Micro-electromechanicalsystemtechnology—

Measuringmethodforin-planelengthmeasurementsofMEMSmicrostructures

usinganopticalinterferometer

2017-11-01發(fā)布2018-05-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T34893—2017

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

測(cè)量方法

4…………………1

影響測(cè)量不確定度的主要因素

5…………4

附錄資料性附錄光學(xué)干涉顯微鏡的典型形式和主要技術(shù)特點(diǎn)

A()…………………5

GB/T34893—2017

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位天津大學(xué)中機(jī)生產(chǎn)力促進(jìn)中心國(guó)家儀器儀表元器件質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心南

:、、、

京理工大學(xué)中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人胡曉東郭彤于振毅李海斌程紅兵裘安萍崔波朱悅

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T34893—2017

微機(jī)電系統(tǒng)MEMS技術(shù)

()

基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)

面內(nèi)長(zhǎng)度測(cè)量方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了基于光學(xué)干涉顯微鏡獲取微結(jié)構(gòu)表面形貌進(jìn)行面內(nèi)長(zhǎng)度測(cè)量的方法

MEMS。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于表面反射率不低于寬深比不低于且使用光學(xué)干涉顯微鏡能夠獲取形貌

4%,1∶10,

的微結(jié)構(gòu)

MEMS。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法術(shù)語(yǔ)定義及表面結(jié)構(gòu)參數(shù)

GB/T3505(GPS)、

微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)術(shù)語(yǔ)

GB/T26111(MEMS)

微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)微幾何量評(píng)定總則

GB/T26113(MEMS)

3術(shù)語(yǔ)和定義

和界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T3505GB/T26111。

31

.

表面形貌surfacetopography

表面結(jié)構(gòu)的宏觀(guān)和微觀(guān)幾何特性

。

注一般包括表面幾何形狀表面波紋度表面粗糙度及表面缺陷等

:、、。

32

.

面內(nèi)長(zhǎng)度in-planelength

表面有邊緣結(jié)構(gòu)特征的兩點(diǎn)點(diǎn)與線(xiàn)或兩條線(xiàn)之間的距離

、。

4測(cè)量方法

41總則

.

411實(shí)施面內(nèi)長(zhǎng)度測(cè)量前提是結(jié)構(gòu)具備階梯型邊緣結(jié)構(gòu)兩邊緣結(jié)構(gòu)端面和端面之間

..MEMS

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