晶體結(jié)構(gòu)理論-總結(jié)_第1頁(yè)
晶體結(jié)構(gòu)理論-總結(jié)_第2頁(yè)
晶體結(jié)構(gòu)理論-總結(jié)_第3頁(yè)
晶體結(jié)構(gòu)理論-總結(jié)_第4頁(yè)
晶體結(jié)構(gòu)理論-總結(jié)_第5頁(yè)
已閱讀5頁(yè),還剩29頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

Ⅰ.晶體1.晶體的宏觀特征★晶體具有規(guī)則的幾何構(gòu)型;★晶體表現(xiàn)各向異性;★晶體都有固定的熔點(diǎn)。2.晶體的微觀特征

—平移對(duì)稱性平移對(duì)稱性:在晶體的微觀空間中,原子呈周期性的整齊排列。對(duì)于理想的完美晶體,這種周期性是單調(diào)的,不變的。在晶體中相隔一定的距離,總有完全相同的原子排列出現(xiàn)的現(xiàn)象叫做平移對(duì)稱性。Ⅱ.晶胞1.晶胞的基本特征(1)晶胞具有平移性(2)晶胞具有相同的頂角、相同的平面和相同的平行棱2.晶胞的二個(gè)要素大小、型式晶胞的大小、型式由a、b、c三個(gè)晶軸及它們間的夾角、、所確定。晶胞的內(nèi)容由組成晶胞的原子或分子及它們?cè)诰О械奈恢盟鶝Q定。3.布拉維系布拉維晶胞的邊長(zhǎng)與夾角叫做晶胞參數(shù)。按晶胞參數(shù)的差異將晶體分成七種晶系。14種布拉維點(diǎn)陣型式Ⅲ.離子鍵理論一、離子鍵理論的基本要點(diǎn)

依靠正、負(fù)離子的靜電引力而形成的化學(xué)鍵叫做離子鍵。具有離子鍵的化合物稱為離子化合物。二、離子鍵的特征1.作用力的實(shí)質(zhì)是靜電引力

q1,q2

分別為正負(fù)離子所帶電量,r為正負(fù)離子的核間距離。2.離子鍵無(wú)方向性和飽和性當(dāng)陰陽(yáng)離子的電負(fù)性差值為1.7時(shí),單鍵約有50%的離子性,因此,一般把元素電負(fù)性差值大于1.7的化合物看作離子結(jié)構(gòu)。如NaCl,Cl和Na的電負(fù)性差值為2.23。

注意:在離子型化合物中,并不是純粹的離子鍵,仍有部分共價(jià)鍵成分。一般通過(guò)離子性百分?jǐn)?shù)來(lái)表示鍵的離子性大小。三、決定離子化合物性質(zhì)的因素:離子的特征1.離子半徑1°離子半徑概念哥德希密特半徑用光學(xué)方法測(cè)得了F-

和O2-

的半徑,分別為133pm

和132pm。結(jié)合X射線衍射所得的d值,得到一系列離子半徑。Pauling半徑Pauling把最外層電子到核的距離,定義為離子半徑。并利用有效核電荷等數(shù)據(jù),求出一套離子半徑數(shù)值。在比較半徑大小和討論變化規(guī)律時(shí),多采用Pauling半徑。

2°離子半徑的變化規(guī)律a)同主族從上到下,電子層增加,具有相同電荷數(shù)的離子半徑增加。

Li+<Na+<K+<Rb+<Cs+

F-<Cl-<Br-<I-

b)同周期的主族元素,從左至右離子電荷數(shù)升高,

最高價(jià)離子半徑減小。

Na+>Mg2+>Al3+K+>Ca2+

c)同一元素,不同價(jià)態(tài)的離子,電荷高的半徑小。如Ti4+<Ti3+;Fe3+<Fe2+。

d)負(fù)離子半徑一般較大;正離子半徑一般較小。第二周期F-136pm;Li+60pm。

第四周期Br-195pm;K+133pm。

雖然差了兩個(gè)周期,F(xiàn)-仍比K+

的半徑大。

e)周期表中對(duì)角線上,左上的元素和右下的元素的離子半徑相近。如Li+

和Mg2+;Sc3+

和Zr4+

半徑相似。

離子半徑是決定離子化合物中離子鍵強(qiáng)度的重要因素。半徑大,離子間距大,作用力??;相反,半徑小,作用力大。

NaClCl-半徑小NaII-半徑大

m.p.801C660C2.離子電荷數(shù)的影響

離子電荷高,對(duì)相反電荷的離子靜電引力強(qiáng),離子鍵強(qiáng),因而化合物的熔點(diǎn)也高。

NaCl+1——-1MgO+2——-2m.p.801C2800C3.離子的電子構(gòu)型

簡(jiǎn)單負(fù)離子(如F-、Cl-等)的外電子層都是穩(wěn)定的稀有氣體結(jié)構(gòu),因其外層只有8電子,又稱8電子構(gòu)型。但正(陽(yáng))離子的情況比較復(fù)雜,其電子構(gòu)型有以下類型:(1)2電子構(gòu)型———如Li+、Be2+等(2)8電子構(gòu)型———如Na+、Al3+等(3)18電子構(gòu)型———如Ag+、Hg2+等(4)18+2電子構(gòu)型——如Sn2+、Pb2+等(次外層為18電子,最外層為2個(gè)電子)(5)9~17電子構(gòu)型———如Fe2+、Mn2+等,又稱不飽和電子構(gòu)型。

離子的電子構(gòu)型對(duì)化合物性質(zhì)有一定的影響。如Na+和Cu+離子電荷相同,離子半徑也幾乎相等(分別為95pm和96pm),但NaCl易溶于水,CuCl不溶于水。(離子極化和變形討論)。四、離子鍵的強(qiáng)度1.鍵能和晶格能鍵能(以NaCl為例)1mol氣態(tài)NaCl分子,離解成氣態(tài)原子時(shí),所吸收的能量,用Ei

表示。

NaCl(g)=Na(g)+Cl(g)H=Ei

鍵能Ei

越大,表示離子鍵越強(qiáng)。

晶格能

氣態(tài)的正負(fù)離子,結(jié)合成1mol離子晶體時(shí),放出的能量,用U表示。

Na+(g)+Cl-(g)=NaCl(s)H=U

晶格能U越大,則形成離子鍵得到離子晶體時(shí)放出的能量越多,離子鍵越強(qiáng)。

鍵能和晶格能,均能表示離子鍵的強(qiáng)度,而且大小關(guān)系一致。晶格能比較常用。

2.玻恩-哈伯循環(huán)Born和Haber設(shè)計(jì)了一個(gè)熱力學(xué)循環(huán)過(guò)程,從已知的熱力學(xué)數(shù)據(jù)出發(fā),計(jì)算晶格能。具體如下:Na(s)+1/2Cl2(g)NaCl(s)H6

Na(g)H1

Na+(g)H3H2Cl(g)H4Cl-

(g)H5+H5=UNaCl的晶格能U;晶格能U越大,離子鍵越強(qiáng),離子晶體的熔點(diǎn)越高,硬度越大。Ⅳ.離子晶體一、常見(jiàn)類型CsCl型:簡(jiǎn)單立方NaCl:面心立方立方ZnS熒石CaF2金紅石TiO2型。二、半徑比規(guī)則:(經(jīng)驗(yàn)規(guī)則)r+/r-<0.414

→立方ZnS型晶體(C.N.4:4)r+/r-=0.414~0.732

→NaCl面心立方型晶體(C.N.6:6)r+/r->0.732

→CsCl簡(jiǎn)單立方型晶體(C.N.8:8)例外:離子互相極化→鍵共價(jià)性↗

AgI(c)r+/r-=0.583

預(yù)言:NaCl型

實(shí)際:立方ZnS型(C.N.↘)Ⅴ.離子極化對(duì)晶體結(jié)構(gòu)的影響離子極化:在電場(chǎng)的作用下,正負(fù)離子的原子核和電子發(fā)生位移,導(dǎo)致正負(fù)離子變形,產(chǎn)生誘導(dǎo)偶極的過(guò)程。結(jié)果:發(fā)生電子云重疊。-++-導(dǎo)致:作用力發(fā)生變化。由離子鍵向共價(jià)鍵的過(guò)渡1.離子的極化作用和變形性(1)極化作用的強(qiáng)弱某離子使異號(hào)離子變形的能力;通??紤]正離子的極化力。正離子極化力大的標(biāo)志高電荷小半徑構(gòu)型2,18,18+2>9-17>8

r小則極化能力強(qiáng),因此Na+>K+>Rb+>Cs+,Li+

的極化能力很大,H+

的體積和半徑均極小,故極化能力最強(qiáng)。

r相近時(shí),電荷數(shù)越高極化能力越強(qiáng)。

Mg2+(8e,65pm)<Ti4+(8e,68pm)

r相近,電荷相同時(shí),外層電子數(shù)越多,極化能力越強(qiáng)。原因是外層電子對(duì)核的中和較小,故有效電荷高些。Pb2+,Zn2+(18,18+2)>Fe2+,Ni2+(8~18)>Ca2+,Mg2+(8e)(2)變形性的大小離子可被極化的程度;通??紤]負(fù)離子的變形性。負(fù)離子變形性大的標(biāo)志高負(fù)電荷大半徑構(gòu)型:2,18,18+2>9-17>8

r大則變形性大,故陰離子的變形性顯得主要。陽(yáng)離子中只有

r相當(dāng)大的如Hg2+,Pb2+,Ag+等才考慮其變形性。

電荷數(shù)的代數(shù)值越大,變形性越小,如Si4+<Al3+<Mg2+<Na+<(Ne)<F-<O2-

電子構(gòu)型,外層(次外層)電子越多,變形性越大。

Na+<Cu+;Ca2+<Cd2+

簡(jiǎn)單離子的變形性復(fù)雜陰離子變形性小SO42-,ClO4-,NO3-r雖大,但離子對(duì)稱性高,中心氧化數(shù)又高,拉電子能力強(qiáng),不易變形。

綜合考慮,變形性大的有I-,S2-,Ag+,Hg2+,Pb2+;

變形性小的有Be2+,Al3+,Si4+,SO42-

等。2.離子極化對(duì)化合物性質(zhì)的影響(1)晶體類型轉(zhuǎn)變:離子晶體→分子晶體

如AgF→AgI;NaF→SiF4→PCl5(2)鍵型轉(zhuǎn)變:離子型→共價(jià)型(3)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變:共價(jià)性增強(qiáng),配位數(shù)減小如AgF(NaCl型)→AgI(ZnS型)(4)熔、沸點(diǎn)變化:降低(5)溶解性變化:減小(6)顏色變化:顏色加深(1)熔點(diǎn)和沸點(diǎn)降低LiCl605+1-10.181NaCl801+1-10.181KCl770+1-10.181RbCl718+1-10.181CsCl645+1-10.181BeCl2

405

+2-10.181MgCl2714+2-10.181CaCl2782+2-10.181SrCl2875+2-10.181BaCl2963+2-10.18

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論