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文檔簡介
實(shí)驗(yàn)用電流場模擬靜電場光的等厚干涉第一頁,共三十頁,2022年,8月28日注意按編號(hào)對(duì)號(hào)入座。組長拿一份名單給指導(dǎo)老師。實(shí)驗(yàn)儀器已處于比較好的狀態(tài)。在指導(dǎo)老師講解之前不要亂動(dòng)儀器。第二頁,共三十頁,2022年,8月28日一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康挠^察光的等厚干涉現(xiàn)象.學(xué)習(xí)用牛頓環(huán)測量球面曲率半徑.學(xué)會(huì)熟練使用讀數(shù)顯微鏡.第三頁,共三十頁,2022年,8月28日
光的干涉基本知識(shí)
1.光的干涉
兩列相干光源在疊加區(qū)域內(nèi),某些點(diǎn)的光振動(dòng)始終加強(qiáng),某些點(diǎn)的光振動(dòng)始終減弱,光強(qiáng)有穩(wěn)定的空間分布。2.相干光的條件(1)頻率相同;(2)位相差恒定;(3)振動(dòng)方向相同。
第四頁,共三十頁,2022年,8月28日二、實(shí)驗(yàn)原理1.相干光源
當(dāng)光源照到一塊由透明介質(zhì)做的薄膜上時(shí),光在薄膜的上表面被分割成反射和折射兩束光(分振幅),折射光在薄膜的下表面反射后,又經(jīng)上表面折射,最后回到原來的媒質(zhì)中,在這里與反射光交迭,發(fā)生相干。
2.等厚干涉
薄膜厚度相同處的兩束反射光有相同的光程差,也就具有相同的干涉光強(qiáng)度,產(chǎn)生同一級(jí)的干涉條紋,厚度不同處產(chǎn)生不同級(jí)的干涉條紋。這種干涉稱為等厚干涉。n1nA反射光2反射光1入射光n1e第五頁,共三十頁,2022年,8月28日牛頓環(huán)儀
牛頓環(huán)儀:由一個(gè)曲率半徑很大的平凸透鏡的凸面與一個(gè)平面玻璃接觸在一起構(gòu)成,在兩者之間形成一個(gè)厚度隨直徑變化的空氣隙。平凸透鏡的凸面與玻璃片之間的空氣層厚度從中心接觸點(diǎn)到邊緣逐漸增加。第六頁,共三十頁,2022年,8月28日干涉條紋
當(dāng)用平行單色光垂直照射到牛頓環(huán)儀上時(shí),一部分光線在空氣層的上表面反射,一部分光線在空氣層的下表面反射,這兩部分光有光程差,它們在平凸透鏡的凸面附近相遇而發(fā)生干涉。e12空氣薄膜厚度相同處光程差相同,也就具有相同的干涉光強(qiáng)度,所以空氣隙的等厚干涉條紋是一組明暗相間的同心環(huán)。該干涉條紋最早被牛頓發(fā)現(xiàn),所以稱為牛頓環(huán)(Newton-ring)。它屬于等厚干涉條紋。第七頁,共三十頁,2022年,8月28日曲率半徑表達(dá)式
空氣薄膜厚度為e處干涉圓環(huán)對(duì)應(yīng)的兩束相干光(1、2)的光程差為:明條紋暗條紋由幾何關(guān)系可得出12第八頁,共三十頁,2022年,8月28日曲率半徑表達(dá)式利用暗環(huán)進(jìn)行測量,測出第m級(jí)和n級(jí)暗環(huán)直徑,算出曲率半徑。上式只涉及兩環(huán)級(jí)數(shù)之差,而不決定于級(jí)數(shù)本身,從而消除了因級(jí)數(shù)不準(zhǔn)而帶來的誤差。用明環(huán)討論也有同樣的結(jié)果。第九頁,共三十頁,2022年,8月28日三、實(shí)驗(yàn)儀器調(diào)焦手輪反射鏡讀數(shù)顯微鏡鈉光燈,波長為589.30nm反光鏡目鏡物鏡第十頁,共三十頁,2022年,8月28日讀數(shù)顯微鏡的讀數(shù)方法主尺的分度值為1mm,測微鼓輪共有100個(gè)刻度,其分度值為0.01mm,可估讀到0.001mm。
主尺測微鼓輪15mm0.506mm最后讀數(shù)為:15.506mm第十一頁,共三十頁,2022年,8月28日四、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容與方法1.調(diào)節(jié)目鏡使十字叉絲清晰2.調(diào)節(jié)45度反射鏡3.由下向上緩慢地調(diào)焦4.定性觀察,防止一側(cè)觀察不到干涉條紋5.定量測量,注意鼓輪單方向轉(zhuǎn)動(dòng).第十二頁,共三十頁,2022年,8月28日測量圖示測量條紋直經(jīng)的方法:第十三頁,共三十頁,2022年,8月28日測量圖示測量第19~30暗環(huán)的直徑。為避免測微螺桿間隙所引起的空回誤差,測量時(shí)必須使顯微鏡從左到右(或從右到左)作單方向移動(dòng)。第十四頁,共三十頁,2022年,8月28日暗環(huán)的直徑Di第十五頁,共三十頁,2022年,8月28日五、數(shù)據(jù)處理
1.列出原始數(shù)據(jù)和中間計(jì)算數(shù)據(jù)表格。2.用逐差法處理數(shù)據(jù),并根據(jù)如下公式求出球面的曲率半經(jīng)。3.計(jì)算的不確定度,并給出結(jié)果標(biāo)準(zhǔn)表達(dá)式。第十六頁,共三十頁,2022年,8月28日六、注意事項(xiàng)
1.干涉環(huán)兩側(cè)的序數(shù)不要數(shù)錯(cuò)。
2.防止實(shí)驗(yàn)裝置受震引起干涉環(huán)的變化。
4.平凸透鏡及平板玻璃的表面加工不均勻是本實(shí)驗(yàn)的重要誤差來源,為此應(yīng)測量大小不等的多個(gè)干涉環(huán)的直徑去計(jì)算R,可得平均的效果。3.測量過程中,顯微鏡必須始終沿一個(gè)方向旋轉(zhuǎn),中途不得返回,以免引起顯微鏡的螺紋之間不嚴(yán)密契合所造成的回程誤差。第十七頁,共三十頁,2022年,8月28日用電流場模擬靜電場第十八頁,共三十頁,2022年,8月28日一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康牧私饽M法的基本原理.學(xué)習(xí)用電流場模擬靜電場的概念和方法.第十九頁,共三十頁,2022年,8月28日二、實(shí)驗(yàn)原理模擬法:借助一種物理場的分布來間接地了解另一種物理場的分布的實(shí)驗(yàn)方法.直接測量靜電場遇到很大困難,主要困難在于把探針伸入靜電場時(shí),探針上會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電荷,使原電場產(chǎn)生顯著的畸變。故實(shí)驗(yàn)時(shí)常用模擬方法來測量。物理實(shí)驗(yàn)的基本方法:比較法、補(bǔ)償法、能量轉(zhuǎn)換法、模擬法等。第二十頁,共三十頁,2022年,8月28日+-被模擬的靜電場的分布(目的)
兩根圓形長平行導(dǎo)線AB各帶等量異號(hào)電荷,電位分別為U1和-U1,由于對(duì)稱性,靜電場中存在著水平并與導(dǎo)線垂直的電力線,右圖為其靜電場及等勢線的分布(截面圖).第二十一頁,共三十頁,2022年,8月28日電流場的分布平行輸電線的模擬電極和橫截面上的電場分布。
第二十二頁,共三十頁,2022年,8月28日
靜電場
穩(wěn)恒電流場模擬條件:各向同性電介質(zhì)的靜電場方程各向同性導(dǎo)電介質(zhì)的電流場方程1、描述兩個(gè)場的物理量滿足相同形式的微分方程;2、被研究區(qū)域的邊界條件相同;第二十三頁,共三十頁,2022年,8月28日
由此可見E和i在各自區(qū)域中滿足同樣的數(shù)學(xué)規(guī)律。在相同邊界條件下,具有相同的解析解。因此,我們可以用穩(wěn)恒電流場來模擬靜電場。在模擬的條件上,要保證電極形狀一定,電極電位不變,空間介質(zhì)均勻,在任何一個(gè)考查點(diǎn),均應(yīng)有U靜電=U穩(wěn)恒或E靜電=E穩(wěn)恒。第二十四頁,共三十頁,2022年,8月28日靜電場的描繪方法主要是電場強(qiáng)度與電勢兩物理量來描述.考慮到E是矢量,U是標(biāo)量,從實(shí)驗(yàn)測量來講,測定電勢(用電壓表)比測定場強(qiáng)容易實(shí)現(xiàn),所以可先測繪等勢線。由等勢線畫出電場線(根據(jù)電場線與等勢線正交原理)。這樣就可由等勢線的間距及電場線的疏密和指向,將抽象的電場形象地反映出來。第二十五頁,共三十頁,2022年,8月28日實(shí)驗(yàn)儀器(電流場測試儀)第二十六頁,共三十頁,2022年,8月28日
本實(shí)驗(yàn)所用儀器的接線原理圖如右所示:
在矩形框內(nèi)有兩個(gè)電極,電極(A)接直流電源的正極,而電極(B)則接電源負(fù)極。通過改變探針的位置,數(shù)字電壓表顯示不同點(diǎn)的電位數(shù)值.實(shí)驗(yàn)儀器第二十七頁,共三十頁,2022年,8月28日儀器使用說明打開電源,將“直接、檢零”開關(guān)撥向“檢零”,將“校正、測量”開關(guān)撥向“校正”,調(diào)節(jié)“設(shè)定調(diào)節(jié)”旋鈕,使電壓指示為0.00V。再將“直接、檢零”開關(guān)撥向“直接”,將“校正、測量”開關(guān)撥向“校正”,調(diào)節(jié)“電壓調(diào)節(jié)”旋鈕,使電壓指示為10.00V。“直接、檢零”開關(guān)撥向“直接”,將“校正、測量”開關(guān)撥向“測量”,可以開始進(jìn)行探電壓測量。第二十八頁,共三十頁,2022年,8月28日實(shí)驗(yàn)內(nèi)容模擬帶等量異號(hào)電荷平行長圓柱體的電場.
將電壓U0調(diào)到10V,將記錄紙鋪在上層塑料薄膜平板上,用探針在導(dǎo)電微晶上找到等勢點(diǎn)后,按一下記錄紙上方的探針,測出一系列等勢點(diǎn)。要求測7個(gè)等勢線,每個(gè)等勢線上打5~7個(gè)點(diǎn),畫出等勢線。第二十九頁,共三十頁,2022年,8月28日數(shù)據(jù)處理
繪制等勢線和電場線。根據(jù)
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