標準解讀

GB/T 20228-2006《砷化鎵單晶》是中國關于砷化鎵（GaAs）單晶材料的質量標準。這一標準詳細規(guī)定了砷化鎵單晶的分類、技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標志、包裝、運輸、儲存等要求，旨在確保砷化鎵單晶產(chǎn)品的質量和可靠性，適用于半導體器件制造等領域。

標準內(nèi)容概覽：

  1. 范圍：明確了本標準適用的砷化鎵單晶類型，包括未摻雜、摻雜以及特定用途的砷化鎵單晶。

  2. 規(guī)范性引用文件：列出了執(zhí)行該標準時需要參考的其他相關國家標準和行業(yè)標準。

  3. 術語和定義：對標準中使用的專業(yè)術語進行了界定，幫助讀者準確理解各項要求。

  4. 分類：根據(jù)砷化鎵單晶的直徑、導電類型（如N型、P型）、摻雜元素及濃度等進行分類。

  5. 技術要求：

    • 外觀：規(guī)定了砷化鎵單晶表面應無明顯缺陷，如裂紋、夾雜等。
    • 尺寸和形狀：詳細說明了單晶直徑、長度及其允許偏差，以及端面平整度等要求。
    • 晶體質量：涉及位錯密度、微缺陷分布等，以確保材料的電學性能和機械強度。
    • 化學成分：規(guī)定了砷和鎵的比例以及可能的雜質元素含量上限，確保材料純度。
    • 導電性能：包括電阻率、霍爾系數(shù)等電學參數(shù)的指標范圍。

  6. 試驗方法：介紹了如何通過各種物理、化學測試手段來驗證單晶的尺寸、純度、電學性能等是否符合標準要求。

  7. 檢驗規(guī)則：規(guī)定了產(chǎn)品出廠前的檢驗項目、抽樣方案及合格判定準則，確保每批產(chǎn)品的質量一致性。

  8. 標志、包裝、運輸、儲存：詳細說明了砷化鎵單晶在標識、包裝材料選擇、運輸防護措施及儲存條件等方面的要求，以防止損壞和污染。

實施意義：

該標準為砷化鎵單晶的生產(chǎn)、檢驗和應用提供了統(tǒng)一的技術依據(jù)，有助于提升國內(nèi)砷化鎵材料的標準化水平，促進半導體行業(yè)的健康發(fā)展，同時也有利于國際貿(mào)易中的產(chǎn)品質量認可與交流。


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  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 20228-2021
  • 2006-04-21 頒布
  • 2006-10-01 實施
?正版授權
GB/T 20228-2006砷化鎵單晶_第1頁
GB/T 20228-2006砷化鎵單晶_第2頁
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文檔簡介

ICS29.045H83中華人民共和國國家標準GB/T20228—2006砷化家單晶Calliumarsenidesinglecrystal2006-04-21發(fā)布2006-10-01實施中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布中國國家標準化管理委員會

GB/T20228—2006前本標準由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出本標準由信息產(chǎn)業(yè)部(電子)歸口。本標準起草單位：北京有色金屬研究總院。本標準主要起草人：王繼榮、武壯文、于洪國、張海濤.

GB/T20228—2006神化家單晶1范圍本標準規(guī)定了砷化家單晶的產(chǎn)品分類、技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則和標志、包裝等。本標準適用于各種方法生長的砷化鏢單品,產(chǎn)品主要用于光電器件、微波器件、集成電路、傳感元件和窗口材料等的制作。2規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標準，然而.鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。GB/T1555半導體單品品向測定方法GB/T4326非本征半導體單品霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法GB/T8760砷化鏢單品位錯密度的測量方法GB/T14264半導體材料術語GB/T14844半導體材料牌號表示方法GJB1927砷化家單品材料測試方法術語、定義GB/T14264確立的以及下列術語和定義適用于本標準31單品inglecrystal指各種方法生長的砷化鏢體單品3.2rig0t指各種方法生長的砷化鏢單品品鍵4要求4.1產(chǎn)品分類4.1.1產(chǎn)品按導電類型分為SI型、n型和p型4.1.2產(chǎn)品按生長方法分為液封直拉法(LEC)、垂直梯度凝固法(VGF)、垂直布里奇曼法（VB)、水平布里奇曼法(HB)等。4.2單晶牌號單晶牌號參照GB/T148444.3單晶鍵的表示方法示例：HBGaAsTe表示水平布里奇曼法生長的摻蹄神化鏢單品LECGaAsnone表示液封直拉法非摻神化管單品。VGFGaAs

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