GB/T 18735-2014微束分析分析電鏡(AEM/EDS)納米薄標樣通用規(guī)范

ICS7104050

G04..

中華人民共和國國家標準

GB/T18735—2014

代替

GB/T18735—2002

微束分析分析電鏡AEM/EDS

()

納米薄標樣通用規(guī)范

Microbeamanalysis—Generalguideforthespecificationofnanometerthin

referencematerialsforanalticaltransmissionelectronmicroscoeAEM/EDS

yp()

2014-07-24發(fā)布2015-03-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T18735—2014

目次

前言

…………………………Ⅰ

引言

…………………………Ⅱ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

薄標樣的技術(shù)要求

4………………………2

研究材料的檢測

5…………………………3

檢測儀器

5.1……………3

樣品臺

5.2………………3

測量條件與方法

5.3……………………3

薄標樣判別依據(jù)

5.4……………………4

標樣的分級

6………………4

薄標樣化學成分的測定

6.1……………4

薄標樣級別的確定

6.2…………………4

包裝與貯運

7………………4

標樣包裝

7.1……………4

運輸

7.2…………………4

保管

7.3…………………5

標樣的有效期

7.4………………………5

參考文獻

………………………6

GB/T18735—2014

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替分析電鏡納米薄標樣通用規(guī)范

GB/T18735—2002《(AEM/EDS)》。

本標準與相比主要變化如下

GB/T18735—2002:

中英文名稱修改為微束分析分析電鏡納米薄標樣通用規(guī)范和

———:“(AEM/EDS)”“Microbeam

ananlysis—Generalguideforthespecificationofnanometerthinreferencematerialsforana-

lyticaltransmissionelectronmicroscope(AEM/EDS)”;

修改了適用范圍的內(nèi)容見第章

———(1);

更新和增加了引用標準見第章

———(2);

增加和修改了術(shù)語和定義將公式和原理放在術(shù)語下面的注釋中進行表述見第章

———,(3);

將標樣改為薄標樣見第章第章

———“”“”(4、5);

修改了薄標樣化學定值和薄標樣個數(shù)的要求見

———(4.1、4.2);

增加了對薄標樣的厚度要求的說明和計算例證的注釋見

———(4.3);

增加了對薄標樣穩(wěn)定性要求的說明性注釋見

———(4.4);

將碳膜支持網(wǎng)修改為超薄碳膜支持網(wǎng)見

———“”“”(4.5);

增加了檢測儀器和樣品臺次級標題見

———“”“”(5.1、5.2);

將試樣修改為研究材料見

———“”“”(5.1、5.2、5.3.4);

增加了分析時常用的幾個典型工作電壓值見

———(5.3.1);

修改了測量樣品個數(shù)和待測元素射線強度統(tǒng)計測量的要求見和

———X(5.3.3、5.3.55.3.8);

增加了比例因子測量時參考元素的說明性注釋見

———(5.3.6);

修改和增加了比例因子K的擴展不確定度和不確定度及相應的注釋見和

———A-B(5.3.85.3.9);

修改了薄標樣的判別依據(jù)見

———(5.4);

增加了標樣的分級見第章

———(6);

增加了有助于理解本標準的必要的參考文獻

———。

本標準由全國微束分析標準化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC38)。

本標準起草單位武漢理工大學

:。

本標準主要起草人孫振亞

:。

本標準于年月首次發(fā)布本次為第一次修訂

200212,。

Ⅰ

GB/T18735—2014

引言

本標準規(guī)定的各項準則主要適用于分析電鏡即配備射線能譜儀附件的透射電子顯微鏡

,,X

依據(jù)比值法即法在可以忽略試樣基體的射線吸收效應進行無機薄樣品

(AEM/EDS)Cliff-Lorimer,X

元素定量分析時測量比例因子K所需納米薄標樣的通用規(guī)范和檢測方法的一般原則為進一步

,A-B。

制定的定量分析方法標準奠定基礎(chǔ)

AEM。

本標準對于開展微粒和微區(qū)樣品的分析電鏡的元素定量分析特別是適應迅速發(fā)展的納米材料的

,

成分定量分析和高加速電壓分析型透射電鏡的發(fā)展建立基于標準樣品的比較定量分析方法提高定量

,,

分析準確度具有積極的指導作用

。

Ⅱ

GB/T18735—2014

微束分析分析電鏡AEM/EDS

()

納米薄標樣通用規(guī)范

1范圍

本標準規(guī)定了分析電鏡即透射電子顯微鏡或裝有掃描附件的透射電鏡配備射線能

(AEM/EDS)X

譜儀測量比例因子K所用納米薄標樣的技術(shù)要求檢測條件和檢測方法

(EDS),A-B、。

本標準適用于采用分析電鏡進行無機薄樣品的微區(qū)元素定量分析本標準不包括有

(AEM/EDS)。

機物和生物標樣

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

微束分析電子探針分析標準樣品技術(shù)條件導則

GB/T4930—2008(ISO14595:2003,IDT)

微束分析電子探針顯微分析術(shù)語

GB/T21636—2008(EPMA)(ISO23833:2006,IDT)

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T21636—2008。

31

.

分析電鏡analyticaltransmissionelectronmicroscope

指配備有射線能譜儀的透射電子顯微鏡或裝有掃描附件的透射電鏡能同時對微區(qū)進行

X(EDS),

元素分析

。

32

.

臨界厚度criticalthickness

T

S

在一定的加速電壓下