標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 16595-1996是一項(xiàng)中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，全稱為《晶片通用網(wǎng)格規(guī)范》。該標(biāo)準(zhǔn)主要規(guī)定了半導(dǎo)體晶片在制造和使用過(guò)程中所采用的網(wǎng)格系統(tǒng)的通用要求、定義、以及標(biāo)注方法，以確保晶片設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試及封裝等各個(gè)環(huán)節(jié)的一致性和互換性。以下是該標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容概述：

  1. 范圍：明確了本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體晶片的網(wǎng)格系統(tǒng)，包括但不限于硅晶片和其他類型的半導(dǎo)體材料晶片，用于指導(dǎo)晶片的物理布局和電氣特性設(shè)計(jì)。

  2. 術(shù)語(yǔ)和定義：對(duì)晶片制造和網(wǎng)格設(shè)計(jì)中涉及的關(guān)鍵術(shù)語(yǔ)進(jìn)行了定義，如晶格(lattice)、晶向(crystal orientation)、晶格常數(shù)(lattice constant)等，以便統(tǒng)一行業(yè)內(nèi)的交流語(yǔ)言。

  3. 晶片網(wǎng)格的基本要求：規(guī)定了晶片表面網(wǎng)格的設(shè)計(jì)應(yīng)遵循的原則，包括網(wǎng)格的均勻性、對(duì)稱性以及與晶格結(jié)構(gòu)的匹配度，確保晶片的加工精度和性能一致性。

  4. 網(wǎng)格尺寸與標(biāo)記：詳細(xì)說(shuō)明了晶片上網(wǎng)格的尺寸標(biāo)準(zhǔn)、間距要求及標(biāo)記方法。這包括了網(wǎng)格線的寬度、間隔，以及如何在晶片上明確標(biāo)注出參考點(diǎn)、坐標(biāo)系等，便于后續(xù)工序中的定位和測(cè)量。

  5. 晶向標(biāo)識(shí)：規(guī)定了晶片的主要晶向應(yīng)如何標(biāo)識(shí)，以便于識(shí)別和處理不同晶向的晶片，因?yàn)榫蛑苯佑绊懙桨雽?dǎo)體器件的電學(xué)性能。

  6. 檢驗(yàn)規(guī)則：提供了晶片網(wǎng)格系統(tǒng)檢驗(yàn)的方法和標(biāo)準(zhǔn)，包括檢驗(yàn)項(xiàng)目、檢驗(yàn)工具、合格判定準(zhǔn)則等，確保晶片網(wǎng)格的符合性。

  7. 包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存：雖然這不是標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容，但也可能包含一些關(guān)于按照網(wǎng)格規(guī)范生產(chǎn)出的晶片在包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存過(guò)程中的注意事項(xiàng)，以保護(hù)晶片不受損害，保持其網(wǎng)格的完整性。


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  • 1996-11-04 頒布
  • 1997-04-01 實(shí)施
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ICS29.045H21中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/r16595-1996晶片通用網(wǎng)格規(guī)范Specificationforauniversalwafergrid1996-11-04發(fā)布1997-04-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)品片通用網(wǎng)格規(guī)范GB/T16595-1996中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號(hào)郵政編碼：100045http//電話：63787337、637874471997年4月第一版2005年1月電子版制作書號(hào)：155066·1-13652版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報(bào)電話：（010）68533533

GB/r16595-1996本標(biāo)準(zhǔn)等效采用半導(dǎo)體設(shè)備和材料國(guó)際組織SEMIM17一90《品片通用網(wǎng)格規(guī)范》,結(jié)合我國(guó)的實(shí)際情況制定的,用于定量描述圓形半導(dǎo)體品片上非均勾分布的表面缺陷、本標(biāo)準(zhǔn)適用于定量GB/T12964、GB/T14139中品片的表面缺陷在引用標(biāo)準(zhǔn)中,SEMIM17中引用的凡已轉(zhuǎn)化成我國(guó)標(biāo)準(zhǔn)的國(guó)外標(biāo)準(zhǔn),都引用現(xiàn)行的我國(guó)標(biāo)準(zhǔn)。與本標(biāo)準(zhǔn)配套的規(guī)范有GB/T16596—1996《確定晶片坐標(biāo)系規(guī)范》本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)總公司提出。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)總公司標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量研究所歸口。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)總公司標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量研究所負(fù)責(zé)起草，本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：吳福立。本標(biāo)準(zhǔn)1996年11月首次發(fā)布

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T16595-1996規(guī)晶片格！范Specificationforauniversalwafergrid1范圍1.1本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了可用于定量描述公稱圓形半導(dǎo)體品片表面缺陷的網(wǎng)格圖形。網(wǎng)格規(guī)定包含1000個(gè)面積近似相等的網(wǎng)格單元，每個(gè)網(wǎng)格單元相當(dāng)于受檢表面固定優(yōu)質(zhì)區(qū)總面積的0.1%。根據(jù)晶片表面上有缺陷的面積百分比(或有效的面積百分比），可定量其非均勾分布的表面缺陷(例如,滑移)。1.2把透明的網(wǎng)格覆蓋到晶片缺陷圖形上或把被觀測(cè)的品片缺陷圖形映到網(wǎng)格上，定量有缺陷的面積,計(jì)算含有缺陷的網(wǎng)格單元的數(shù)量。該單元數(shù)除以10相當(dāng)于有缺陷面積的百分比。也可將該網(wǎng)格疊加在CRT顯示器、照片或計(jì)算機(jī)繪制的圖上。使用時(shí)，網(wǎng)格的直徑必須與所覆蓋的晶片圖形或圖像尺寸成比例。1.3網(wǎng)格以晶片中心來(lái)定位。根據(jù)GB/T12964或SEMIMI規(guī)定的品片公稱直徑，使用“固定優(yōu)質(zhì)區(qū)”的概念。1.4外延層上滑移和其他非均勻分布的缺陷，最大允許值已在GB/T14139、SEMIM2和SEMIM11中規(guī)定，按照GB/T6624、GB/T14142和YS/T209進(jìn)行觀測(cè)。2引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文，通過(guò)在本規(guī)范中引用而構(gòu)成為本規(guī)范的條文。本規(guī)范出版時(shí)，所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)被修訂，使用本規(guī)范的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性、2.1我國(guó)標(biāo)準(zhǔn)GB/T1554一1995硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法GB/T6624一1995硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法GB/T12964-1991硅單晶拋光片GB/T14139-93硅單晶外延片GB/T14142—93硅外延層晶體完整性檢驗(yàn)方法腐蝕法GB/T14264-93半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)YS/T209-94硅材料原生缺陷圖譜2.2SEMI標(biāo)準(zhǔn)SEMIM1一94硅單晶拋光片規(guī)范SEMIM2-94硅單晶外延片規(guī)范SEMIM11-94先進(jìn)電路

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