標準解讀

GB/T 15876-1995 是一項中華人民共和國國家標準，全稱為《塑料四面引線扁平封裝引線框架規(guī)范》。該標準主要規(guī)定了用于半導體器件的塑料四面引線扁平封裝（PLCC，Plastic Leaded Chip Carrier）的引線框架的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標志、包裝、運輸和儲存要求。

標準內(nèi)容概覽：

  1. 范圍：明確了本標準適用于半導體集成電路塑料四面引線扁平封裝所使用的引線框架，規(guī)定了其基本參數(shù)、材料、尺寸及公差、表面質(zhì)量等要求。

  2. 引用標準：列出了實施本標準時需要參考的其他相關(guān)國家標準或行業(yè)標準，確保各項技術(shù)指標的一致性和協(xié)調(diào)性。

  3. 術(shù)語和定義：對標準中涉及的專業(yè)術(shù)語進行了界定，幫助讀者準確理解標準內(nèi)容。

  4. 分類與標記：根據(jù)引線框架的材質(zhì)、結(jié)構(gòu)特點等進行分類，并規(guī)定了產(chǎn)品標記方法，便于識別和追溯。

  5. 技術(shù)要求：

    • 材料：規(guī)定了引線框架應采用的金屬材料及其性能要求，如銅合金，并對其機械強度、耐腐蝕性等有具體規(guī)定。
    • 尺寸與公差：詳細列出了引線框架的各項尺寸參數(shù)及其允許的公差范圍，確保封裝的標準化和互換性。
    • 表面處理：包括鍍層類型（如鍍錫、鍍鎳等）、厚度及均勻性要求，以保證良好的焊接性能和防氧化能力。
    • 外形與結(jié)構(gòu)：規(guī)定了引線框架的平面度、對稱性等幾何形狀要求，以及引腳排列和形式。

  6. 試驗方法：闡述了對引線框架進行檢驗時所采用的各種試驗手段和評價準則，如尺寸測量、表面質(zhì)量檢測、機械性能測試等。

  7. 檢驗規(guī)則：包括出廠檢驗和型式檢驗的項目、抽樣方案、合格判定規(guī)則等，確保產(chǎn)品質(zhì)量符合標準要求。

  8. 標志、包裝、運輸和儲存：規(guī)定了產(chǎn)品標識信息的內(nèi)容、包裝方式、在運輸和儲存過程中的環(huán)境條件及保護措施，以防損壞或變質(zhì)。

此標準旨在通過統(tǒng)一規(guī)范，提升塑料四面引線扁平封裝引線框架的質(zhì)量和可靠性，促進半導體器件的標準化生產(chǎn)和應用。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 15876-2015
  • 1995-12-22 頒布
  • 1996-08-01 實施
?正版授權(quán)
GB/T 15876-1995塑料四面引線扁平封裝引線框架規(guī)范_第1頁
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文檔簡介

c.31:200L55中華人民共和國國家標準CB/T15876-1995塑料四面引線扁平封裝引線框架規(guī)范Specificationofleadframesforplasticquadflatpackage1995-12-22發(fā)布1996-08-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準CB/T15876-1995塑料四面引線扁平封裝引線框架規(guī)范Specificationofleadfranesforplasticguadrlatpackage1主題內(nèi)客與適用范圍1.1本規(guī)范規(guī)定了半導體集成電路塑料四面引線扁平封裝引線框架(以下簡稱引線框架)的技術(shù)要求及檢驗規(guī)則。1.2本規(guī)范適用于半導體集成電路塑料四面引線扁平封裝(PQFP)沖制型引線框架。塑料四面引線扁平封裝刻蝕引線框架也可參考使用。2引用標準GB7092-93半導體集成電路外形尺寸GB/T14112-93半導體集成電路塑料雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范GB/T14113-93半導體集成電路封裝術(shù)語SJ/Z9007—87計數(shù)檢查抽樣方案和程序術(shù)語、符號、代號本規(guī)范所用術(shù)語、符號和代號按GB/T14113的規(guī)定.4技術(shù)要求4.1設計引線框架的外形尺寸應符合GB7092的有關(guān)規(guī)定，并符合引線框架設計的要求。4.1.1引線鍵合區(qū)寬度4.1.1.1最小引線端寬度，應按供需雙方協(xié)議。4.1.1.2扁平引線最小鍵合區(qū)，寬為標稱引線寬度的80%，長為0.635mm。4.1.2精壓和金屬間隙4.1.2.1精壓深度最小精壓深度為0.013mm,最大精壓深度為材料厚度30%（僅對沖制型框架)4.1.2.2對于沖制型框架，其圖紙上標明的尺寸為精壓前尺寸。4.1.2.3金屬與金屬的間隙應受金屬間隙的要求限制(引線框架各內(nèi)引線之間，內(nèi)引線與芯片粘接區(qū)之間)，每邊最大精壓凸出不超過0.051mm。金屬的間隙，應按供需雙方協(xié)議。4.2引線框架形狀和位置公差4.2.1內(nèi)引線扭曲不得超過3°30"，或每0.254mm的引線寬度上最大偏移不得超過0.015mm.4.2.2芯片粘接區(qū)斜度和平整度4.2.2.1斜度在未打凹條件下，每2.54mm長或?qū)挸叽缱畲髢A斜0.025mm。在打凹狀態(tài)下,在長或?qū)捗?.06mm尺寸最大傾斜0.05

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