半導體器件物理重要知識點

半導體器件物理重要知識點了解理想結基本假設及其意義。導出長結和短結少子分布表達式。掌握公式。解釋理想結反向電流的來源。畫出正、反偏壓下結少子分布、電流分布和總電流示意圖。理解并掌握概念：正偏復合電流、反偏產生電流。理解低偏壓下復合電流占優(yōu)，隨著電壓增加擴散電流越來越成為主要成分。第二章結二極管了解產生隧道電流的條件。畫出能帶圖解釋隧道二極管的I－V特性。了解隧道二極管的特點和局限性。掌握概念：耗盡層電容、求雜質分布、變容二極管。掌握C－V關系及其應用。概念：交流導納擴散電導擴散電阻擴散電容等效電路了解二極管的開關特性。掌握二極管的擊穿機制。第二章結二極管第三章雙極結性晶體管了解晶體管的基本結構及其制作工藝。掌握四個概念：注射效率、基區(qū)輸運因子、共基極電流增益、共發(fā)射極電流增益了解典型的基本結構和工藝過程。掌握的四種工作模式。畫出電流分量示意圖，寫出各極電流及其相互關系公式。分別用能帶圖和載流子輸運的觀點解釋的放大作用。解釋理想共基極連接和共發(fā)射極連接的輸出特性曲線。理解理想雙極結型晶體管的基本假設及其意義。寫出發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)少子滿足的擴散方程并解之求出少子分布。掌握正向有源模式基區(qū)輸運因子公式。掌握正向有源模式基區(qū)電子電流公式。了解E－M方程中四個參數(shù)的物理意義根據E－M方程寫出四種模式下發(fā)射極電流和集電極電流表達式。理解并記憶四種工作模式下的少子分布邊界條件畫出四種工作模式下少子分布示意圖。了解緩變基區(qū)晶體管基區(qū)輸運因子的計算。理解電流集聚效應和基區(qū)寬度調變效應。第三章雙極結性晶體管掌握概念：頻率響應、共基極截止頻率、共發(fā)射極截止頻率、特征頻率（帶寬）、基區(qū)渡越時間導出基區(qū)渡越時間公式。解釋科爾克效應。了解晶體管的開關特性。熟悉晶體管穿通機制。第三章雙極結性晶體管第四章金屬半導體結了解金屬—半導體接觸出現(xiàn)兩個最重要的效應畫出熱平衡情況下的肖特基勢壘能帶圖。掌握肖特基勢壘、內建電勢差和空間電荷區(qū)寬度計算公式。畫出加偏壓的的肖特基勢壘能帶圖，解釋肖特基勢壘二極管的整流特性。理解界面態(tài)和鏡像力對肖特基勢壘高度的影響。掌握概念：表面勢、熱電子、熱載流子二極管、里查森常數(shù)、有效里查森常數(shù)。導出半導體表面載流子濃度表達式。導出電流－電壓特性〔李查德－杜師曼方程〕。了解肖特基二極管工作原理。掌握結型二極管相比肖特基勢壘二極管的主要特點。了解肖特基勢壘二極管的主要應用。掌握歐姆接觸概念和形成歐姆接觸的條件。第五章結型場效應晶體管與場效應晶體管畫出的基本結構示意圖。熟悉的基本工作原理。熟悉溝道夾斷、漏電流飽和、夾斷電壓等概念。掌握理想的基本假設及其意義。導出夾斷前的I－V特性方程。深入理解溝道夾斷和夾斷電壓的含義。掌握線性區(qū)條件和I－V特性。掌握飽和區(qū)條件和I－V特性。掌握溝道長度調制效應。掌握的突出特點。掌握和的主要類型。了解理想結構基本假設及其意義。根據電磁場邊界條件導出空間電荷與電場的關系。掌握載流子積累、耗盡和反型和強反型的概念。正確畫出流子積累、耗盡和反型和強反型四種情況的能帶圖。導出反型和強反型條件。掌握理想系統(tǒng)的電容—電壓特性。導出耗盡層寬度和歸一化電容表達式。掌握溝道電導公式。掌握閾值電壓公式。了解在二氧化硅、二氧化硅－硅界面系統(tǒng)存在的電荷及其主要性質。掌握實際閾值電壓的公式及各項的意義。導出薩支唐方程。理解夾斷條件的物理意義。第六章金屬-氧化物-半導體場效應晶體管掌握交流小信號參數(shù)并導出線性導納和飽和區(qū)跨導表達式。指出提高工作頻率或工作速度的途徑。掌握場效應晶體管的類型。第六章金屬-氧化物-半導體場效應晶體管第八章半導體太陽電池和光電二極管掌握概念：光生伏打效應、暗電流。理解光生電動勢的產生。畫出理想太陽電池等效電路圖。根據電池等效電路圖寫出了太陽電池的I－V特性方程。了解太陽電池的特性曲線，解釋該曲線所包含的物理意義。畫出實際太陽電池等效電路圖根據等效電路圖寫出I－V特性方程。掌握概念：轉換效率、占空因數(shù)。導出太陽電池的最大輸出功率公式。了解光產生電流和收集效率。掌握提高提高太陽電池效率的主要措施。了解光電二極管的工作原理。了解光電二極管的工作原理的基本結構、能帶圖和工作原理。了解光電二極管中。掌握概念：量子效率、響應度、響應速度。列出光電二極管與太陽電池的三個主要不同之處。第八章半導體太陽電池和光電二極管掌握輻射復合和非輻射復合的概念和機制。了解LED基本結構、工作過程和特性參數(shù)，了解各種不同類型LED。理解等電子陷阱復合，解釋等電子陷