標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 13539.7-2005 是一項(xiàng)中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，專(zhuān)注于低壓熔斷器領(lǐng)域，特別是針對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用的熔斷體規(guī)定了額外的要求。該標(biāo)準(zhǔn)分為幾個(gè)部分，其中提及的第4部分著重于半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求，而第1至第3篇?jiǎng)t提供了標(biāo)準(zhǔn)化熔斷體的具體示例。

標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容概覽：

  1. 適用范圍：明確了本部分標(biāo)準(zhǔn)適用于哪些類(lèi)型的熔斷器，特別是設(shè)計(jì)用于保護(hù)半導(dǎo)體設(shè)備免受過(guò)電流損害的熔斷體。這些熔斷器通常需要具備快速響應(yīng)和精確的過(guò)載保護(hù)特性，以適應(yīng)半導(dǎo)體器件對(duì)電路保護(hù)的特殊需求。

  2. 術(shù)語(yǔ)和定義：定義了在標(biāo)準(zhǔn)范圍內(nèi)使用的專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)，確保讀者對(duì)討論的各項(xiàng)內(nèi)容有統(tǒng)一的理解基礎(chǔ)。

  3. 技術(shù)要求：詳細(xì)列出了半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體應(yīng)滿足的一系列技術(shù)指標(biāo)，包括但不限于額定電壓、額定電流、分?jǐn)嗄芰?、熔斷特性（如熔斷時(shí)間與電流的關(guān)系）、環(huán)境工作條件（如溫度、濕度）及電氣性能和機(jī)械性能要求。

  4. 試驗(yàn)方法：規(guī)定了驗(yàn)證熔斷器是否符合上述技術(shù)要求的具體測(cè)試程序和方法，包括型式試驗(yàn)、例行試驗(yàn)和特殊試驗(yàn)等，以確保產(chǎn)品的可靠性和安全性。

  5. 標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存：說(shuō)明了熔斷器在出廠時(shí)應(yīng)如何進(jìn)行標(biāo)識(shí)，以及包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)遵循的標(biāo)準(zhǔn)和預(yù)防措施，以防止損壞并保持產(chǎn)品質(zhì)量。

  6. 示例：第1至第3篇提供了標(biāo)準(zhǔn)化熔斷體的具體實(shí)例，展示了一系列符合標(biāo)準(zhǔn)要求的設(shè)計(jì)方案、尺寸規(guī)格和材料選擇，為制造商提供了實(shí)際操作的參考模板，有助于統(tǒng)一行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，促進(jìn)產(chǎn)品間的互換性。


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  • 2005-08-03 頒布
  • 2006-04-01 實(shí)施
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GB/T 13539.7-2005低壓熔斷器第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求第1至3篇：標(biāo)準(zhǔn)化熔斷體示例_第1頁(yè)
GB/T 13539.7-2005低壓熔斷器第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求第1至3篇：標(biāo)準(zhǔn)化熔斷體示例_第2頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

ICS29.120.50K31中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T13539.7-2005/IEC60269-4-1:2002低壓熔斷器第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求第1至3篇:標(biāo)準(zhǔn)化熔斷體示例Low-voltagefuses-Part4-1：Supplementaryrequirementforfuse-linksfortheprotectionofsemiconductordevices-SectionTtoⅡI：Examplesoftypesofstandardizedfuse-links(IEC60269-4-1:2002,IDT)2005-08-03發(fā)布2006-04-01實(shí)施中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T13539.7-2005/IEC60269-4-1：2002三次前言100000000000000000000000000000001總則第1A篇A型螺栓連接熔斷體1.1范圍·····7設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)條件7.1機(jī)械設(shè)計(jì)第1B篇B型螺栓連接熔斷體1.1范圍7.1機(jī)械設(shè)計(jì)：：：5第1C篇型螺栓連接熔斷體1.1范圍7.1機(jī)械設(shè)計(jì)第2A篇A型接觸片式熔斷體1.1范圍7.1機(jī)械設(shè)計(jì)第2B篇B型接觸片式熔斷體1.1范圍7.1機(jī)械設(shè)計(jì)第3A篇A型圓筒形帽熔斷體1.1范圍：························107.1機(jī)械設(shè)計(jì)10

GB/T13539.7-2005/IEC60269-4-1:2002前《低壓熔斷器》是系列標(biāo)準(zhǔn)，目前包括以下7個(gè)部分GB13539.1-2002《低壓熔斷器第1部分：基本要求》(idtIEC60269-1:1998)GB/T13539.2—2002《低壓熔斷器第2部分:專(zhuān)職人員使用的熔斷器的補(bǔ)充要求(主要用于工業(yè)的熔斷器)》idtIEC60269-2:1986)GB13539.3—1999《低壓熔斷器第3部分：非熟練人員使用的熔斷器的補(bǔ)充要求(主要用于家用和類(lèi)似用途的熔斷器)》(idtIEC60269-3,1987)GB/T13539.4—2005《低壓熔斷器第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求》(idtIEC60269-4:1986）GB/T13539.5—1999《低壓熔斷器第3部分：非熟練人員使用的熔斷器的補(bǔ)充要求（主要用于家用和類(lèi)似用途的熔斷器)標(biāo)準(zhǔn)化熔斷體示例》(idtIEC60269-3-1:1994）GB/T13539.6—2002《低壓熔斷器第2部分：專(zhuān)職人員使用的熔斷器的補(bǔ)充要求(主要用于工業(yè)的熔斷器)第1至5篇;標(biāo)準(zhǔn)化熔斷體示例》(idtIEC60269-2-1:2000）GB/T13539.7—2005《低壓熔斷器第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求：第1至3篇：標(biāo)準(zhǔn)化熔斷體示例》(IEC60269-4-1:2002.IDT)本部分為《低壓熔斷器》系列標(biāo)準(zhǔn)的第7部分.系等同采用IEC60269-4-1:2002《低壓熔斷器第4-1部分半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求第1至3篇：標(biāo)準(zhǔn)化熔斷體示例》.本部分為推薦性標(biāo)準(zhǔn).規(guī)定了用于半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)的具體型式的熔斷體的尺寸.而沒(méi)有規(guī)定熔斷體特性，使用時(shí)應(yīng)和GB13539.1-2002和GB/T13539.4-2005配合使用。本部分圖1(1B)中的通孔h..1EC原文為h.疑有誤。應(yīng)為h。。本部分由中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)提出，本部分由全國(guó)低壓電器標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口本部分負(fù)責(zé)起草單位：上海電器科學(xué)研究所，本部分參加起草單位：西安西整熔斷器廠、西安熔斷器廠、上海電器陶瓷廠本部分主要起草人：季慧玉、吳慶云，本部分參加起草人：章永孚、伍麗華、劉雙庫(kù)、劉羅曼、林海鷗。

GB/T13539.7-2005/IEC60269-4-1:2002低壓熔斷器第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求第1至3篇;標(biāo)準(zhǔn)化熔斷體示例本部分與國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB13539.1和GB/T13539.4共同使用.因此本部分的條款和分條款的編號(hào)與他們的編號(hào)相對(duì)應(yīng)。1總則本部分只規(guī)定了尺寸，而沒(méi)有規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)特性。本部分的目的在于提供各種類(lèi)型熔斷體尺寸示例下文所涉及的用于半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)的熔斷體應(yīng)符合以下標(biāo)準(zhǔn)的所有條款：GB13539.1《低壓熔斷器第1部分：基本要求》GB/T13539.4《低壓熔斷器第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求》并應(yīng)符合下文相關(guān)部分的要求。本部分共分為3篇，每篇涉及一些標(biāo)準(zhǔn)尺寸的熔斷體舉例第1篇：螺栓連接培斷體人型B型C型第2篇：接觸片式熔斷體人型B型第3篇：圓簡(jiǎn)形帽熔斷體A型用于半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)的熔斷體也可以具有與以下熔斷體相同的尺寸：GB/T13539.6-2002中第1篇GB/T13539.6-2002中第3篇GB/T13539.5-1999中第1篇熔斷體的耗散功率除應(yīng)滿足GB/T13539.4的要求外,同時(shí)不應(yīng)超出配合使用的熔斷器底座和熔斷器支持件的接受功率。如果熔斷體的耗散功率大于標(biāo)準(zhǔn)熔斷器底座或支持件的接受功率,制造廠

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