半導(dǎo)體專業(yè)用語

金屬前介質(zhì)（）金屬間介質(zhì)層（）W塞（）鈍化層Passivation）受，如B摻入Si中要接受電子Acid：酸激ADIAfterdevelopinspection顯后檢視AEIAfteretchinginspection蝕后查atomicforcemicroscopy原子力顯微atomiclayerdeposition原層淀積：位標(biāo)記Alignment排一直線，對平：金Aluminum：鋁Ammonia氨水fluoride：NHOHsilicon：α，非晶硅（不是多晶硅）放大器AMU原質(zhì)量數(shù)Analog模擬的magnet磁分析器：A（E-m）埃Anisotropic：向異性（如POLY）Antimony(Sb)銻arcchamber起室：防射層Argon(Ar)氬trioxide(AsO)三氧化二砷Arsenic(As)一種干法刻蝕方式：去膠機(jī)ASI光去除后檢查ASIC特定用途集成電路ration：形貌比（中的深度、寬度比）ATE自檢測設(shè)備：后段CONTACT后、測前）背面蝕刻晶背面Baseline：標(biāo)準(zhǔn)流程電子束電流Benchmark：基準(zhǔn)BGAgridarray高腳封裝：雙極：擴(kuò)散用（石英）舟

Cassette裝片的晶舟CDcritical關(guān)性尺寸，臨界尺寸Chamber反室圖表Childlot子chiller制冷機(jī)Chip(die)晶粒Chip：碎片或芯片。夾子化學(xué)機(jī)械研磨Coater光阻覆蓋（機(jī)臺）Coating涂，光阻覆蓋design（CAD算機(jī)輔助設(shè)計(jì)。Hole接窗Wafer控Correlation：關(guān)性。Cp工藝能力，詳見。Critical重要層CVD化氣相淀積生周期efect：缺陷密度。單位面積內(nèi)的缺陷數(shù)。Defect缺陷淀積Depthof（DOF深。預(yù)理Developer顯液；顯影（機(jī)臺）：Ⅰ）顯影設(shè)備；Ⅱ顯影液顯DGdual雙門DIfilter離子交換器DIwater去離子水?dāng)U散disk靶盤faraday束流測量器Doping摻雜劑降designrulecheck設(shè)計(jì)規(guī)則檢查DryClean干date交期ummy擋片/R蝕速率EE設(shè)備工程師extendedsource高命離子源外殼氣體Non-critical非要：氧：緣line隔離氣體Non-critical非要：氧：緣line隔離線junction結(jié)junctionspikingn鋁刺塊阻landingpad層次OOS超規(guī)格界線majoritycarriern版Mask光masks,seriesofn實(shí)驗(yàn)的material原料matrix矩陣n平值quartz石舟。median中間值記憶體合并BPSG含硼磷的硅玻璃Break中斷機(jī)內(nèi)中途停止鍵cassette晶盒End蝕終點(diǎn)e-shower中性化電子子發(fā)生器etch蝕Exhaust排氣（將管路中的空氣排除）曝光extrantion高吸極FAB工：常指半導(dǎo)體生產(chǎn)的制造工廠。FIBfocusedionbeam聚焦離子束Field場氧化層filament燈絲film：膜，圓片上一層或多層迭加的質(zhì)。flat平檢測器flat：平邊capacitanse平帶電容：帶電壓Flatness平度flowcoefficicent：動系數(shù)flowvelocity流速計(jì)flow：流量計(jì)flux：單位時(shí)間內(nèi)流過給定面積的顆粒數(shù)焦gap禁帶代probe：四點(diǎn)探針臺FSG含氟的硅玻璃：功能區(qū)Furnace爐管gateoxide：柵氧temperature：玻璃態(tài)轉(zhuǎn)換度gateoxide門化層完整性gowning凈化服：灰區(qū)gyro兩方向偏轉(zhuǎn)bake后烘堅(jiān)烘,softbake軟烘)HCIhot熱流子注入：densityplasma高密度等離子體heat熱交換機(jī)High-Voltage高h(yuǎn)ost：主機(jī)Hotbake烘

n金屬ICPinductiveplasmaMetalVia金接觸窗感應(yīng)等離子體MFG制部ID辨認(rèn)，鑒定Mid-Current中電流IGBT絕緣門雙極晶體管Module部門images去掉圖形區(qū)域的版：納米注入(ns)：秒植氮硅impurity摻：氮化物刻蝕：質(zhì)n：氣，一種雙原子inductive：應(yīng)等離子體inert：惰性氣體NPn-dopedplus(N+)N型摻n-typeadj：n型wellN阱definition定氧化層ohmssquaren歐姆每平方方劃槽OMoptic光學(xué)顯微鏡OOC超控制界線lightlydopeddrain輕摻雜漏：晶向一組晶列所指linerdrive直往復(fù)運(yùn)動的向lithographyn制Over過刻valve靶腔裝片閥溢Localdefocus局失焦因機(jī)：交區(qū)臺或晶片造成之臟污Overlay測前層與本層之間曝光LOCOS的確度of局部氧化OXSiO二氧化硅Loop巡路poly多硅Lot批PA;鈍化層LP(低淀積多晶硅LPPOLYParentlot母主機(jī)Particle含塵量微塵粒子equipmentPH黃光或微影設(shè)備產(chǎn)能phosphorus(P)n：，一有毒保的金屬元素光刻版用于光刻的多數(shù)載流子photomask,：反刻photomask,positive：正刻一成套光刻版PVD物氣相淀積p-dopedwell阱quadrupole磁焦透鏡rate測漏率Queue等時(shí)間內(nèi)介層ILD內(nèi)屬電（）靜釋放膨Fall靜釋放膨FallTime下時(shí)間False假時(shí)鐘氟乙丙烯顯示Overshoot過Variant派License網(wǎng)浮動Panelfiducial板基準(zhǔn)導(dǎo)電雙擴(kuò)散型晶體管Gaussian高斯分布hot：熱載流子：親水性：水性：pn結(jié)Pod裝晶舟與晶片的盒子聚物PORProcessofpost后速器電PMDdielectric電容p-dopedP型重?fù)诫sPhotoresisit光阻光阻water純。半導(dǎo)體生產(chǎn)所用之水。PVD物氣相淀積p-dopedwell阱quadrupole磁焦透鏡quartz石舟。ueuetime等待時(shí)間：此步驟到下一個步驟共停留的時(shí)間范圍（超出范會出問題）顯影前烘焙(PEB)降低或除駐波效/C運(yùn)作卡SOG是種相當(dāng)簡易的平坦化技術(shù)。因?yàn)榻閷硬牧鲜且匀軇┑男螒B(tài)覆蓋在片表面，因此SOG對低起伏外觀溝填能力非常好，可以避免純粹以CVD法作介質(zhì)層時(shí)所面臨的孔洞問：工藝是通過LPTEPSBACK，在PLOY側(cè)形成兩個側(cè)壁突出的工藝用于源漏區(qū)注入的自對準(zhǔn)減少由于源漏橫向擴(kuò)散成的溝道效應(yīng)。LPTEOS主用于及電容氧化層TEOS=Si（OC2H5）

BIST,Built-in內(nèi)的自測試us總布線arbide碳circuit電路圖Circuit電基準(zhǔn)專共形開線設(shè)計(jì)簇布局CM合約制造商COFChipFPC將IC固于柔性線路板上COGGlass將芯偏固定于玻璃上CommonImpedance共阻抗component-分視頻Compositevideo-復(fù)合視頻Concurrent并設(shè)計(jì)ConstantSource恒源Cooper智能覆銅Crosstalk串陰射線管DC直幅度延Delays延時(shí)for可試性設(shè)計(jì)標(biāo)焦深DepthOf，分IDOF、前者只有中心，后者包括四角for面向成本的設(shè)計(jì)forReliability面可靠性的設(shè)計(jì)DFT,DesignforTest面測試的設(shè)計(jì)DPIInch點(diǎn)英寸Management動設(shè)定管理DVIDigitalVisual（VGA）字接口動態(tài)布線DynamicCheck動電性能分析ElectromagneticDisturbance電磁干擾Electromagnetic電噪聲EMC,ElctromagneticCompatibilt電兼容Interference電干擾Emulation硬仿真多平面電磁場仿真

Ground地彈反射GUI,GraphicalUser圖形戶面Harmonica射頻微波電路仿真三高頻結(jié)構(gòu)電磁場仿真六甲基硅)：膠前處理，加片底光膠的粘附性ICCircuit集電路Fiducial電路基準(zhǔn)Impedance阻在測試初始電壓InputTime輸入躍升時(shí)間Inverter-逆變器Jumper跳LCDLiquidCrystal液晶顯示LiquidCrystal液晶塊LEDLight發(fā)光二管DesignSuit線性設(shè)計(jì)軟件包LocalFiducial個基準(zhǔn)manufacturing制業(yè)MCMs,Multi-ChipModules多芯片件MDE,MaxwellDesign合MFG制部NonlinearSuit非性設(shè)計(jì)件包：NMOS調(diào)閾值電壓ODB++OpenBase公開數(shù)據(jù)庫原備造商目連接與嵌入名稱：正硅乙脂，又稱四乙氧基硅（OC2H5→

On-lineDRC在設(shè)計(jì)規(guī)則檢查：化層-氮層-氧化層介top頂金屬層質(zhì)用作電容介質(zhì)下沖Optimetrics優(yōu)和參數(shù)掃描Uniform均勻分布在上FFT,FastTransform快傅里葉變換VDMOS(VerticalDoubleSemiconductor)直頻VideoGraphicAnay視圖形陳列VIA-VendorAlliance程框架聯(lián)盟SiO2+2H2O它的設(shè)備結(jié)和LPSi3N4基本類似。蝕不足硅璃vacuum真空。蒸發(fā)器W鎢watt(W)瓦。能量單位。周曝光well阱。wet濕法化學(xué)腐。wrench扳專業(yè)術(shù)語A/D[]AnalogDigital,模/字ACMagnitude交流幅度AC交流相位Accuracy精"ActivityModel活模型"AdditiveProcess加工藝附力干擾源AnalogSource模源AOI,AutomatedOptical自動光學(xué)檢ASIC特殊應(yīng)用集成電路不的裝配版本輸Attributes屬性AXI,AutomatedInspection自X光查-背光PDP等子顯示屏Period周期PeriodicSource周脈沖源LinePAL制式（逐行相制式）PhysicalDesignReuse物設(shè)計(jì)可重復(fù)Integrity電完整性Source分線性源裝舟和晶片的盒子輸預(yù)覽PSG硼玻璃脈寬度Pulsed脈電壓uiescentLine靜線ArrayPlacement極坐標(biāo)方式元件布局反Refractive射Reticle光Reuse實(shí)設(shè)計(jì)重用RiseTime上時(shí)間振,信號的振鈴環(huán)振蕩Rules規(guī)則驅(qū)動設(shè)計(jì)uncard運(yùn)作卡axEngine設(shè)系統(tǒng)中嵌入Scratch刮傷DesignEnvironmentSDT,Schematic電路原理設(shè)工具：源漏柵，如曝，就是經(jīng)過一次性曝光得到源漏柵Setting設(shè)SettlingTime建立時(shí)間ShapeBase以形為基礎(chǔ)的無網(wǎng)格布線Shove元器件的推擠布局SI,SignalIntegrity信號完整性Simulation軟件仿真草法布線偏Rate斜溶SPC,StaticticalControl統(tǒng)計(jì)過程控制Spin旋轉(zhuǎn)Split/Mixed多電源/線的自動分隔Sputter濺射SSO同交換濕刻蝕法的一種系統(tǒng)仿真柔線路板TFTThin薄晶體管domain時(shí)TimestepSetting步時(shí)間設(shè)置time：圓片做完某段工藝或設(shè)定工藝段所需要的時(shí)間。通常用來衡量流通速度的快慢。amage：損傷。對于單晶體來說，有時(shí)晶格缺陷在表面處理后形成無法修復(fù)的變形也可以叫做損傷。：盡注入。一種在溝道中注入離子形成耗盡晶體管的注入工藝管指在柵壓為零的情況下有電流流過晶體管layer：耗盡層?？蓜虞d流子密度遠(yuǎn)低于施主和受主的固定電荷密度的區(qū)域。：盡寬度。中提到的耗盡層這個區(qū)域的寬。：積。一種在圓片上淀積一定厚度的且不和下面層次發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的薄膜的一種方法。designexperiments：為了達(dá)到費(fèi)用最小化、降低試驗(yàn)錯誤、以及保證數(shù)據(jù)結(jié)果的統(tǒng)計(jì)合理性等目的，所設(shè)計(jì)的初始工程批驗(yàn)計(jì)劃。develop：顯影（通過化學(xué)處理除去曝光區(qū)域的光刻膠，形成所需圖形的過程）(BH)：乙硼烷，一種無色、易揮發(fā)、有毒的可燃?xì)怏w，常用來作為半導(dǎo)體生產(chǎn)中的硼源(CHCL)：二氯甲，一種無色，不可燃，不可爆的液體。dichlorosilane(DSC)二氯甲硅烷，一種可燃，有腐蝕性，無色，在潮濕環(huán)境下易水解的物質(zhì)，常用于硅外延或多晶硅的成長，以用在沉積二氧化硅、氮化硅時(shí)的化學(xué)氣氛中。die：硅片中一個很小的單位，包括了設(shè)計(jì)完整的單個芯片以及芯片鄰近水平和垂直方向上的部分劃片槽區(qū)域。dielectric：Ⅰ）介質(zhì)，一種絕緣材料；Ⅱ用于陶瓷或塑料封裝的表面材料，可以提供電絕緣功能。：擴(kuò)散層，即雜質(zhì)離子通過固態(tài)擴(kuò)散進(jìn)入單晶硅中，在臨近硅表面的區(qū)域形成與襯底材料反型的雜質(zhì)離子層。disilane：乙硅烷，一種無色、無腐蝕性、極易燃的氣體，燃燒時(shí)能產(chǎn)生高火焰，暴露在空氣中會自燃。在生產(chǎn)光電單元時(shí)，硅烷常用于沉積多晶硅薄膜。：推阱，指運(yùn)用高溫過程使雜質(zhì)在硅片中分布擴(kuò)散。dryetch干刻，指采用反應(yīng)氣體或電離氣體除去硅片某一層次中未受保護(hù)區(qū)域的混合了物理腐蝕及化學(xué)腐蝕的工藝過程。effectivelayer：效層厚，指在外延片制造中，載流子密度在規(guī)定范圍內(nèi)的硅錠前端的深度。EM，電子遷移，指由通過鋁條的電流導(dǎo)致電子沿鋁條連線進(jìn)行的自擴(kuò)散過程。：外延層。半導(dǎo)體技術(shù)中，在決定晶向的基質(zhì)襯底上生長一層單晶半導(dǎo)材料，這一單晶半導(dǎo)體層即為外延層。downtime：設(shè)備狀態(tài)異常以及不能完成預(yù)定功能的時(shí)間。electrostaticdamage靜離子損傷etch：腐蝕，運(yùn)用物理或化學(xué)方法有選擇的去除不需的區(qū)域。：曝光，使感光材料感光或受其他輻射材料照射的過程。：特征尺寸，指單個圖形的最小物理尺寸。field-effecttransistor（效管。包含源、漏、柵、襯四端，由源經(jīng)柵到漏的多子流驅(qū)動而工作，多子流由柵下的橫向電場制。incidenceinterferometer：切線入射干涉儀heteroepitaxy單晶長在不同材料的襯底上的外延方法high-currentimplanter：電流大于注入方式，用于批量生產(chǎn)hign-efficiencyair(HEPA)：高效率空氣顆粒過濾器，去%大于um的粒經(jīng)水烘烤的晶片，將涂上一層增加光阻與晶片表面附著力的化合物，稱HMDSoxidationn：化，高溫下氧氣或水蒸氣與硅進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng)processengineer;、藝工程師、等離子體增強(qiáng)pilotn：行批，用以驗(yàn)證該工藝是否符合規(guī)格的片子n：等離子體，用于去膠、刻蝕或淀積的電離氣體chemicalvapor(PECVD)：等子體化學(xué)氣相淀積，低溫條件下的等離子淀積工藝oxide：淀，淀積的種工藝beadn麻點(diǎn)，在X下觀察到的吸附在低壓表面的水珠polarizationn：偏振，描述電磁波下電場矢量方向的術(shù)語n多晶硅/金屬硅化物，解決高阻的復(fù)合柵結(jié)構(gòu)polycrystallinesilicon(poly)：多晶硅，高濃度摻雜（）硅，能導(dǎo)電。n探針。在集成電路的電流測試中使用的一種設(shè)備，用以連接圓片和檢測設(shè)備。n過控制。半導(dǎo)體制造過程中，對設(shè)備或產(chǎn)品規(guī)范的控制能力。proximityX-ray近X射線：一種光刻技術(shù)，用X射照射置于光刻膠上方的掩膜，從而使對應(yīng)的光刻膠暴光。quantumdevice量設(shè)備。一種電子設(shè)備結(jié)構(gòu)，其特性源于電子的波動性。rapidthermalprocessing(RTP)n快熱處理(RTP)。recipen菜。生產(chǎn)過程中對圓片所做的每一步處理規(guī)范。scanningmicroscope(SEM)電子顯微鏡(SEM)。SEM：electronmicroscope掃描式電子顯微鏡半導(dǎo)體。電導(dǎo)性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的元素。(orsquare)n薄電阻。一般用以衡量半導(dǎo)體表面雜質(zhì)摻雜水平。onwafer外是藍(lán)寶石襯底硅的原片integration(SSI)小模綜合，在單一模塊上由到個圖案的布局。source原代碼，機(jī)器代碼編譯者使用的，輸入到程序設(shè)計(jì)語言里或編碼器的代碼。spectral光線，光譜鑷制機(jī)或分光計(jì)在焦平面上捕捉到的狹長狀的圖形。spin旋帶，在旋轉(zhuǎn)過程中在下表面形成的細(xì)絲狀的剩余物。sputter濺射刻蝕，從離子轟擊產(chǎn)生的表面除去薄膜。堆層錯，原子普通堆積規(guī)律的背離產(chǎn)生的次空間錯誤。bath蒸浴，一個大氣壓下，流動蒸汽或其他溫度熱源的暴光。responsetime瞬特性時(shí)間，大多數(shù)流控制器實(shí)驗(yàn)中，普通變化段氣流剛到特定地帶的那個時(shí)刻之間的時(shí)間。應(yīng)測試，包括特定的電壓、溫度、濕度條件。surface表輪廓，指與原片表面垂直的平面的輪廓（沒有特指的情況下symptom征，人員感覺到在一定條件下產(chǎn)生變化的弊病的主觀認(rèn)識。weld斷焊，通常在角落上尋找預(yù)先有的地點(diǎn)進(jìn)行的點(diǎn)焊（用于連接蓋子溫度周期變化，測量出的重復(fù)出現(xiàn)相類似的高低溫循環(huán)。TEOS–四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常溫下液態(tài)。作LPCVD/PECVD生的料。又指用TEOS生長得到的SiO層。易測性，對于一個已給電路來說，哪些測試是適用它的。熱積，在超過度的高溫下，硅片引入化學(xué)摻雜物的過程。thinfilm超薄膜，堆積在原片表面的用于傳導(dǎo)或絕緣的一層特殊薄膜。toluene(CHCH)甲苯。有毒、無色易燃的液體，它不溶于水但溶于酒精和大氣。totalfixedcharge下是硅表面不可動電荷密度的總和：氧化層固定電荷密、化層俘獲的電荷的密度(、界面負(fù)獲得電荷密(。trench溝道，深腐蝕區(qū)域，用于從另一區(qū)域隔離出一個區(qū)域或者在硅晶片上形成存儲電容器。tungstenhexafluoride(WF)氟鎢。無色無味的氣體或者是淡黃色液體。在CVD中WF用于淀積硅化物，也可用于鎢傳導(dǎo)的薄膜當(dāng)固體或液體處于平衡態(tài)時(shí)自己擁有的蒸汽所施加的壓力。蒸汽壓力是與物質(zhì)和溫度有關(guān)的函數(shù)。via通。使隔著電介質(zhì)的上下兩層金屬實(shí)現(xiàn)電連接。flat從片的一面直接切下去，用于表明自由載流子的導(dǎo)電類型和晶體表面的晶向，也可用于在處理和雕合過程中的排列晶。processchamber(WPC)對片進(jìn)行工藝的腔體。window在離晶片中，允許上下兩層實(shí)現(xiàn)電連接的絕緣的通道。ColdCathodeFluorescentLight/Tude冷極熒光燈COBBoard通綁定將IC偏固定于印刷線路板上Verification元件確認(rèn)與跟蹤,