標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 11499-2001 半導(dǎo)體分立器件文字符號(hào)》相比于《GB 11499-1989》，主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了調(diào)整和更新：

  1. 標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)變化：從原來(lái)的強(qiáng)制性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)（GB）轉(zhuǎn)變?yōu)橥扑]性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)（GB/T），意味著新版標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)施不再是強(qiáng)制要求，而是為行業(yè)提供指導(dǎo)和推薦。

  2. 適用范圍擴(kuò)展：新標(biāo)準(zhǔn)可能根據(jù)半導(dǎo)體分立器件技術(shù)的發(fā)展，擴(kuò)展了文字符號(hào)的覆蓋范圍，納入了更多新型器件的標(biāo)識(shí)規(guī)則，以適應(yīng)技術(shù)進(jìn)步和市場(chǎng)需求。

  3. 符號(hào)體系優(yōu)化：對(duì)原有的文字符號(hào)體系進(jìn)行了修訂和優(yōu)化，可能包括新增、刪除或修改了一些符號(hào)，以更準(zhǔn)確、清晰地表示半導(dǎo)體分立器件的功能和特性，提高了信息傳遞的效率和準(zhǔn)確性。

  4. 定義和術(shù)語(yǔ)更新：隨著技術(shù)發(fā)展，一些術(shù)語(yǔ)和定義可能已發(fā)生變化。新標(biāo)準(zhǔn)對(duì)此進(jìn)行了更新，確保與當(dāng)前行業(yè)實(shí)踐保持一致，便于技術(shù)人員準(zhǔn)確理解和使用。

  5. 圖示說(shuō)明改進(jìn)：可能增強(qiáng)了標(biāo)準(zhǔn)中的圖示和實(shí)例說(shuō)明，使得文字符號(hào)的應(yīng)用實(shí)例更加直觀易懂，便于使用者快速掌握和應(yīng)用。

  6. 標(biāo)準(zhǔn)化一致性：為了與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)接軌，新標(biāo)準(zhǔn)可能對(duì)部分內(nèi)容進(jìn)行了調(diào)整，以增強(qiáng)與國(guó)際電工委員會(huì)(IEC)等國(guó)際組織發(fā)布的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的一致性和兼容性。

  7. 編輯性修改：除了實(shí)質(zhì)內(nèi)容的更新，還可能包括了對(duì)標(biāo)準(zhǔn)文本的格式、表述清晰度等方面的編輯性修改，提高了標(biāo)準(zhǔn)文檔的可讀性和規(guī)范性。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2001-11-05 頒布
  • 2002-06-01 實(shí)施
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GB/T 11499-2001半導(dǎo)體分立器件文字符號(hào)_第1頁(yè)
GB/T 11499-2001半導(dǎo)體分立器件文字符號(hào)_第2頁(yè)
GB/T 11499-2001半導(dǎo)體分立器件文字符號(hào)_第3頁(yè)
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GB/T 11499-2001半導(dǎo)體分立器件文字符號(hào)_第5頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

ICS31.080.01L40中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T11499-一2001半導(dǎo)體分立器件文字符號(hào)Lettersymbolsfordiscretesemiconductordevices2001-11-05發(fā)布2002-06-01實(shí)施中華人民共和國(guó)發(fā)布國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

GB/T11499—2001目次前言1范圍總則整流二極管4信號(hào)二極管(包括開(kāi)關(guān)二極管)和調(diào)整二極管.5射頻二極管…光電子器件…………1閘流晶體管……8雙極品體管……9絕緣柵雙極晶體管(IGBT)10場(chǎng)效應(yīng)品體管其他半導(dǎo)體器件

GB/T11499—2001前本標(biāo)準(zhǔn)參照了下列國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的有關(guān)文字符號(hào)的內(nèi)容，對(duì)GB/T11499-—1989進(jìn)行修訂：IEC60747半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路IEC60747-1:1983第1部分總則IEC60747-1:1991第一次補(bǔ)充IEC60747-1:1993第二次補(bǔ)充IEC60747-1:1996第三次補(bǔ)充IEC60747-2：2000第2部分整流二極管IEC60747-3:1985第3部分信號(hào)二極管（包括開(kāi)關(guān)二極管)和調(diào)整二極管IEC60747-3:1991第一次補(bǔ)充IEC60747-3:1993第二次補(bǔ)充IEC60747-4:1991第4部分微波器件IEC60747-4:1993第一次補(bǔ)充IEC60747-4:1999第二次補(bǔ)充IEC60747-5:1992第5部分光電子器件IEC60747-5:1994第一次補(bǔ)充IEC60747-5:1995第二次補(bǔ)充IEC60747-6:1983第6部分閘流品體管IEC60747-6:1991第一次補(bǔ)充IEC60747-6:1994第二次補(bǔ)充IEC60747-7:1988第7部分雙極品體管IEC60747-7:1991第一次補(bǔ)充IEC60747-7：1994第二次補(bǔ)充IEC60747-8:1984第8部分場(chǎng)效應(yīng)品體管IEC60747-8:1991第一次補(bǔ)充IEC60747-8:1993第二次補(bǔ)充IEC60747-9:1998第9部分絕緣柵雙極品體管本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)的主要差別是-原標(biāo)準(zhǔn)全文中“功率耗散”都改為"耗散功率”；修改了原標(biāo)準(zhǔn)中"2.1.1.2大寫(xiě)基本字母"；修改了原標(biāo)準(zhǔn)中"2.1.3電流、電壓和功率文字符號(hào)規(guī)則匯總表”；修改了原標(biāo)準(zhǔn)中"2.3其他量的文字符號(hào)"；修改了原標(biāo)準(zhǔn)中"2.4其他參數(shù)”中的部分內(nèi)容：刪除了原標(biāo)準(zhǔn)中"6.2.2.2其他”中的部分內(nèi)容：補(bǔ)補(bǔ)充了"2.1.5電流、電壓極性標(biāo)記”；補(bǔ)充了“2.5用分貝（dB)表示的以對(duì)數(shù)形式為單位的信號(hào)比的文字符號(hào)"：補(bǔ)充了"6.1.1開(kāi)關(guān)時(shí)間”；補(bǔ)充了“第9章絕緣柵雙極品體管”.

GB/T11499-2001本標(biāo)準(zhǔn)自實(shí)施之日起,代替GB/T11499—1989《半導(dǎo)體分立器件文字符號(hào)》。本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)信息產(chǎn)業(yè)部提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體分立器件標(biāo)準(zhǔn)化分技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)由河北半導(dǎo)體研究所負(fù)責(zé)修訂。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：崔波、顧振球、陳海暮本標(biāo)準(zhǔn)首次發(fā)布時(shí)間：1989年3月31日

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T11499-2001半導(dǎo)體分立器件文字符號(hào)代替GB/T11499-1989Lettersymbolsfordiscretesemiconductordeviees1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體分立器件主要的文字符號(hào)本標(biāo)準(zhǔn)適用于編寫(xiě)半導(dǎo)體分立器件有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和有關(guān)技術(shù)資料，2總則2.1電流、電壓和電功率的文字符號(hào)2.1.1基本字母推薦的基本字母有：1,i——電流U,或V.u-電壓P,——功率2.1.1.1大寫(xiě)基本字母的使用大寫(xiě)基本字母用來(lái)表示量的恒定值或從量的周期性波形中得到的值：a）直流值；b）最大(峰)值;）平均值；d）方均根值：）峰峰(擺幅)值2.1.1.2小寫(xiě)基本字母的使用小寫(xiě)基本字母用來(lái)表示量的周期性波形的瞬態(tài)值2.1.2下標(biāo)2.1.2.1推薦的通用下標(biāo)第一下標(biāo)：F，f——正向-噪聲R.r--反向其他下標(biāo)：AV）-平均值(BR）擊穿(Cr）·cr-——臨界CD—-直

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