半導體器件的基礎知識

1.1

半導體二極管1.2

半導體三極管

1.3

場效晶體管

本章小結(jié)第一章半導體器件的基礎知識1.1.1

什么是半導體

2．載流子：半導體中，攜帶電荷參與導電的粒子。自由電子：帶負電荷空穴：帶與自由電子等量的正電荷均可運載電荷——載流子特性：在外電場作用下，載流子都可以做定向移動，形成電流。

1．半導體：導電能力介于導體和絕緣體之間,且隨著摻入雜質(zhì)、輸入電壓（電流）、溫度和光照條件的不同而發(fā)生很大變化，人們把這一類物質(zhì)稱為半導體。1.1半導體二極管

3．N型半導體：主要靠電子導電的半導體。即：電子是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子。

4．P型半導體：主要靠空穴導電的半導體。

1.1.2

PN結(jié)即：電子是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子。

PN結(jié)：經(jīng)過特殊的工藝加工，將P

型半導體和N

型半導體緊密地結(jié)合在一起，則在兩種半導體的交界面就會出現(xiàn)一個特殊的接觸面，稱為PN結(jié)。

PN

結(jié)具有單向?qū)щ娞匦浴?.1半導體二極管

（1）正向?qū)ǎ弘娫凑龢O接P型半導體，負極接N型半導體，電流大。

（2）反向截止：電源正極接N型半導體，負極接P型半導體，電流小。結(jié)論：PN

結(jié)加正向電壓時導通，加反向電壓時截止，這種特性稱為PN

結(jié)的單向?qū)щ娦浴?/p>

1.1半導體二極管如果反向電流未超過允許值，反向電壓撤除后，PN

結(jié)仍能恢復單向?qū)щ娦浴?/p>

反向擊穿：PN結(jié)兩端外加的反向電壓增加到一定值時，反向電流急劇增大，稱為PN結(jié)的反向擊穿。

熱擊穿：若反向電流增大并超過允許值，會使PN

結(jié)燒壞，稱為熱擊穿。結(jié)電容：PN結(jié)存在著電容，該電容為PN

結(jié)的結(jié)電容。1.1半導體二極管1.1.3

半導體二極管

1．半導體二極管的結(jié)構(gòu)和符號

利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，可以用來制造一種半導體器件——半導體二極管。

箭頭表示正向?qū)娏鞯姆较颉?/p>

電路符號如圖所示。1.1半導體二極管由于管芯結(jié)構(gòu)不同，二極管又分為點接觸型（如圖a）、面接觸型（如圖b）和平面型（如圖c）。

點接觸型：PN結(jié)接觸面小，適宜在小電流狀態(tài)下使用。面接觸型、平面型：PN結(jié)接觸面大，截流量大，適合于大電流場合中使用。1.1半導體二極管

2．二極管的特性

伏安特性：二極管的導電性能由加在二極管兩端的電壓和流過二極管的電流來決定，這兩者之間的關系稱為二極管的伏安特性。硅二極管的伏安特性曲線如圖所示。特性曲線1.1半導體二極管

②正向?qū)ǎ寒斖饧与妷捍笥谒绤^(qū)電壓后，電流隨電壓增大而急劇增大，二極管導通。

①死區(qū)：當正向電壓較小時，正向電流極小，二極管呈現(xiàn)很大的電阻，如OA段，通常把這個范圍稱為死區(qū)。

死區(qū)電壓：

導通電壓：?íì=onV0.2V~0.3V（Ge）0.6V~0.7V（Si）

結(jié)論：正偏時電阻小，具有非線性。

（1）正向特性（二極管正極電壓大于負極電壓）1.1半導體二極管?íì=(Si）V0.2V5.0TV(Ge）

②反向擊穿：若反向電壓不斷增大到一定數(shù)值時，反向電流就會突然增大，這種現(xiàn)象稱為反向擊穿。

①反向飽和電流：當加反向電壓時，二極管反向電流很小，而且在很大范圍內(nèi)不隨反向電壓的變化而變化，故稱為反向飽和電流。

（2）反向特性（二極管負極電壓大于正極電壓）

普通二極管不允許出現(xiàn)此種狀態(tài)。

結(jié)論：反偏電阻大，存在電擊穿現(xiàn)象。二極管屬于非線性器件

1.1半導體二極管

3．半導體二極管的主要參數(shù)

（1）最大整流電流IF：

二極管長時間工作時允許通過的最大直流電流。

二極管正常使用時允許加的最高反向電壓。使用時應注意流過二極管的正向最大電流不能大于這個數(shù)值，否則可能損壞二極管。

（2）最高反向工作電壓VRM使用中如果超過此值，二極管將有被擊穿的危險。1.1半導體二極管1.2.1半導體三極管的基本結(jié)構(gòu)與分類

1．結(jié)構(gòu)及符號三極：發(fā)射極E、基極B、集電極

C。三區(qū)：發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)。1.2半導體三極管

PNP型及NPN型三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及符號如圖所示。

實際上發(fā)射極箭頭方向就是發(fā)射結(jié)正向電流方向。

兩結(jié)：發(fā)射結(jié)、集電結(jié)。

（1）按半導體基片材料不同：NPN型和PNP型。

（2）按功率分：小功率管和大功率管。

（3）按工作頻率分：低頻管和高頻管。

（4）按管芯所用半導體材料分：鍺管和硅管。

（5）按結(jié)構(gòu)工藝分：合金管和平面管。

（6）按用途分：放大管和開關管。

2．分類1.2半導體三極管三極管常采用金屬、玻璃或塑料封裝。常用的外形及封裝形式如圖所示。

3．外形及封裝形式1.2半導體三極管

1．三極管各電極上的電流分配

三極管電流分配實驗電路如圖所示。1.2.2

三極管的電流放大作用1.2半導體三極管

實驗數(shù)據(jù)

表1-1三極管三個電極上的電流分配IB/mA00.010.020.030.040.05IC/mA0.010.561.141.742.332.91IE/mA0.010.571.161.772.372.96結(jié)論：IE=IB+IC

三極管的電流分配規(guī)律：發(fā)射極電流等于基極電流和極電極電流之和。1.2半導體三極管

2．三極管的電流放大作用由表1-1的數(shù)據(jù)可看出，當基極電流

IB由0.03mA

變到0.04mA

時，集電極電流IC

由1.74mA

變到2.23mA

。上面兩個變化量之比為1.2半導體三極管

（1）三極管的電流放大作用，實質(zhì)上是用較小的基極電流信號控制集電極的大電流信號，是“以小控大”的作用。

由此可見，基極電流的微小變化控制了集電極電流較大的變化，這就是三極管的電流放大原理。結(jié)論：要使三極管起放大作用，必須保證發(fā)射結(jié)加正向偏置電壓，集電結(jié)加反向偏置電壓。

（2）三極管的放大作用，需要一定的外部條件。

注意：1.2半導體三極管

利用三極管的電流放大作用，可以用來構(gòu)成放大器，其方框圖如圖所示。

（1）共發(fā)射極電路（CE）：把三極管的發(fā)射極作為公共端子。

三極管在構(gòu)成放大器時，有三種基本連接方式：1.2.3

三極管的基本連接方式1.2半導體三極管（2）共基極電路（CB）：把三極管的基極作為公共端子。（3）共集電極電路（CC）：把三極管的集電極作為公共端子。1.2半導體三極管

輸入特性：在VCE一定的條件下，加在三極管基極與發(fā)射極之間的電壓VBE和它產(chǎn)生的基極電流IB

之間的關系。

1．輸入特性曲線1.2.4

三極管的特性曲線1.2半導體三極管

改變RP2可改變VCE，VCE一定后，改變RP1可得到不同的VBE和IB

。由圖可見：（1）當V

CE

≥1V時，特性曲線基本重合。（2）當VBE

很小時，IB等于零，三極管處于截止狀態(tài)。1.2半導體三極管（4）三極管導通后，VBE基本不變。硅管約為0.7V，鍺管約為0.3V，稱為三極管的導通電壓。（5）VBE與IB

成非線性關系。（3）當VBE大于門檻電壓（硅管約0.5V，鍺管約0.2V）時，IB逐漸增大，三極管開始導通。1.2半導體三極管

輸出特性：在

IB

一定條件下時，集電極極與發(fā)射極之間的電壓VCE和集電極電流IC

之間的關系。

2．輸出特性曲線1.2半導體三極管先調(diào)節(jié)RP1，使IB為一定值，再調(diào)節(jié)RP2得到不同的VCE、IC。測試電路如圖所示。輸出特性曲線1.2半導體三極管條件：發(fā)射結(jié)反偏或兩端電壓為零。（2）放大區(qū)條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。特點：

IC受IB控制，即IC=IB

。在放大狀態(tài)，當IB一定時，IC不隨VCE變化，即放大狀態(tài)的三極管具有恒流特性。

（3）飽和區(qū)條件：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為正偏。

VCES

稱為飽和管壓降，小功率硅管約0.3V，鍺管約為0.1V。輸出特性曲線族可分三個區(qū)：特點：VCE=VCES。（1）截止區(qū)

特點：IB=0，IC=ICEO。1.2半導體三極管

3．三極管的主要參數(shù)：

②集電極—發(fā)射極反向飽和電流ICEO。

①集電極—基極反向飽和電流ICBO。（2）極間反向飽和電流

選用管子時，值應恰當，一般說來，值太大的管子工作穩(wěn)定性差。（1）共射極電流放大倍數(shù)

兩者關系：

ICEO=（1+）ICBO1.2半導體三極管（3）極限參數(shù)

②反向擊穿電壓。

當基極開路時，集電極與發(fā)射極之間所能承受的最高反向電壓—V（BR）CEO。

當發(fā)射極開路時，集電極與基極之間所能承受的最高反向電壓—V（BR）CBO。

當集電極開路時，發(fā)射極與基極之間所能承受的最高反向電壓—V（BR）EBO。1.2半導體三極管

當IC過大時，電流放大系數(shù)將下降。在技術(shù)上規(guī)定，

下降到正常值的2/3時的集電極電流稱集電極最大允許電流。

①集電極最大允許電流ICM。

在三極管因溫度升高而引起的參數(shù)變化不超過允許值時，集電極所消耗的最大功率稱集電極最大允許耗散功率。

三極管應工作在三極管最大損耗曲線圖中的安全工作區(qū)。三極管最大損耗曲線如圖所示。

③集電極最大允許耗散功率PCM1.2半導體三極管

1．用萬用表判別三極管的管型和管腳方法：

①黑表筆和三極管任一管腳相連，紅表筆分別和另外兩個管腳相連測其阻值，若阻值一大一小，則將黑表筆所接的管腳調(diào)換重新測量，直至兩個阻值接近。如果阻值都很小，則黑表筆所接的為NPN型三極管的基極。若測得的阻值都很大，則黑表筆所接的是PNP型三極管的基極。1.2.5

三極管的簡易測試1.2半導體三極管

②若為NPN型三極管，將黑紅表筆分別接另兩個引腳，用手指捏住基極和假設的集電極，觀察表針擺動。再將假設的集電極和發(fā)射極互換，按上述方法重測。比較兩次表針擺幅，擺幅較大的一次黑表筆所接的管腳為集電極，紅表筆所接的管腳為發(fā)射極。

③若為PNP型三極管，只要將紅表筆和黑表筆對換再按上述方法測試即可。1.2半導體三極管

2．判斷三極管的好壞

（1）萬用表置于“R

1k”擋或“R

100”擋位。

（2）方法：分別測量三極管集電結(jié)與發(fā)射結(jié)的正向電阻和反向電阻，只要有一個PN結(jié)的正、反向電阻異常，就可判斷三極管已壞。1.2半導體三極管

3．判斷三極管的大小

將兩個NPN管接入判斷三極管C腳和E腳的測試電路，如圖所示，萬用表顯示阻值小的管子的

值大。

4．判斷三極管ICEO的大小

以NPN型為例，用萬用表測試C、E間的阻值，阻值越大，表示ICEO越小。1.2半導體三極管

1．片狀三極管的封裝

小功率三極管：額定功率在100mW~200mW

的小功率三極管，一般采用SOT-23形式封裝。如圖所示。

1—基極，2—發(fā)射極，3—集電極。1.2.6

片狀三極管1.2半導體三極管

大功率三極管：額定功率在1W~1.5W的大功率三極管，一般采用SOT-89形式封裝。

1—基極，3—發(fā)射極，2、4（內(nèi)部連接在一起）—集電極。1.2半導體三極管

在三極管的管芯內(nèi)加入一只或兩只偏置電阻的片狀三極管稱帶阻片狀三極管。

2．帶阻片狀三極管1.2半導體三極管帶阻片狀三極管型號及極性。表1-2部分帶阻片狀三極管型號和極性型號極性R1/R2型號極性R1/R2DTA114YP10k/47kDTC114EN10k/10kDTA114EP100k/100kDTC124EN22k/22kDTA123YP2.2k/2.2kDTC114N47k/47kDTA143XP4.7k/22kDTC114WKN47k/22kDTC143XN4.7k/10kDTC114TNR1=10kDTC363EN6.8k/6.8kDTC124TNR1=22k1.2半導體三極管

3．復合雙三極管

在一個封裝內(nèi)包含兩只三極管的新型器件。1.2半導體三極管

常見外型封裝形式如圖所示。

UM—6

SOT—25

SOT—36

1.3場效晶體管

半導體三極管是利用輸入電流控制輸出電流的半導體器件，稱為電流控制型器件。

場效晶體管是利用輸入電壓產(chǎn)生電場效應來控制輸出電流的器件，稱為電壓控制器件。

根據(jù)結(jié)構(gòu)和工作原理不同，場效晶體管可分為{結(jié)型（JFET）絕緣柵型（MOSFET）1.3.1

結(jié)型場效晶體管

1．符號和分類結(jié)型場效晶體管的電路符號和外形如圖所示。三個電極：漏極（D），源極（S）和柵極（G），D和S可交換使用，電路符號和外形如圖所示。。

結(jié)型場效晶體管可分為P溝道和N溝道兩種，在電路符號中用箭頭加以區(qū)別。1.3場效晶體管

2．電壓放大作用場效晶體管的放大電路如圖所示。場效晶體管共源極電路中，漏極電流受柵源電壓控制。

場效晶體管是電壓控制器件，具有電壓放大作用。1.3場效晶體管1.3.2

絕緣柵場效晶體管柵極與漏、源極完全絕緣的場效晶體管，稱絕緣柵場效晶體管（MOSFET）。

輸入電阻很大，在

1012

以上。

它也有N溝道和P溝道兩大類，每一類中又分為增強型和耗盡型兩種。1.3場效晶體管

1．電路符號和分類

①N溝道—箭頭指向內(nèi)。溝道用虛線為增強型，用實線為耗盡型，N溝道稱NMOS管。

②P溝道—箭頭指向外。溝道用虛線為增強型，用實線為耗盡型，P溝道稱PMOS管。1.3場效晶體管四種場效晶體管的電路符號如圖所示。

P溝道增強型

N溝道耗盡型

P溝道耗盡型

N溝道增強型

2．結(jié)構(gòu)和工作原理（1）結(jié)構(gòu)1.3場效晶體管

②在源區(qū)和漏區(qū)之間的襯底表面覆蓋一層很薄的絕緣層，再在絕緣層上覆蓋一層金屬薄層，形成柵極（G）。

①N型區(qū)引出兩個電極：漏極（D）、源極（S）。

③從襯底基片上引出一個電極，稱為襯底電極。以N溝道增強型MOSFET為例

。

（2）工作原理

①當VGS=0

，在漏、源極間加一正向電壓VDS

時，漏源極之間的電流ID=0

。

②

當VGS>VT

，在絕緣層和襯底之間感應出一個反型層，使漏極和源極之間產(chǎn)生導電溝道。在漏、源極間加一正向電壓VDS

時，將產(chǎn)生電流ID

。總結(jié)：

VGS越大，導電溝道越寬，溝道電阻越小，ID越大。則通過調(diào)節(jié)VGS可控制漏極電流ID

。（3）輸出特性和轉(zhuǎn)移特性（與晶體管類似）。1.3場效晶體管

3．電壓放大作用

MOS場效晶體管放大電路與結(jié)型場效晶體管放大電路的工作原理相似。

N溝道耗盡型場效晶體管的VGS可取