集成電路工藝概述

集成電路工藝概述課程介紹普通高校專(zhuān)業(yè)學(xué)科目錄（1998版）01哲學(xué)02經(jīng)濟(jì)學(xué)03法學(xué)04教育學(xué)05文學(xué)06歷史學(xué)07理學(xué)08工學(xué)09農(nóng)學(xué)10醫(yī)學(xué)11管理學(xué)0806電氣信息類(lèi)080601 電氣工程及其自動(dòng)化080602 自動(dòng)化080603 電子信息工程080604 通信工程080605 計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)080606

電子科學(xué)與技術(shù)080607 生物醫(yī)學(xué)工程分設(shè)十一個(gè)學(xué)科門(mén)類(lèi)（無(wú)軍事學(xué)），下設(shè)二級(jí)類(lèi)71個(gè)，專(zhuān)業(yè)249種。電子科學(xué)與技術(shù)專(zhuān)門(mén)研究電子科學(xué)理論及其應(yīng)用技術(shù)的學(xué)科，其研究的主要內(nèi)容是電子技術(shù)的核心理論制造電子元器件的材料、方法與工藝電路設(shè)計(jì)理論與應(yīng)用技術(shù)設(shè)計(jì)制造測(cè)試電子科學(xué)與技術(shù)的基本內(nèi)容1.電子元器件分立器件和集成器件如何設(shè)計(jì)出滿(mǎn)足應(yīng)用系統(tǒng)要求的電子元器件2.電子材料半導(dǎo)體材料、金屬材料和非金屬材料采用什么樣的材料才能滿(mǎn)足工程實(shí)際的需要3.分析與設(shè)計(jì)基本理論電子材料的基本物理和化學(xué)性質(zhì)、元器件的基本工作原理等4.工程應(yīng)用技術(shù)與方法提供了最直接的應(yīng)用技術(shù)，是電子科學(xué)與技術(shù)理論研究和工程應(yīng)用技術(shù)聯(lián)系的紐帶集成電路技術(shù)器件階段——集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)是支持技術(shù)設(shè)計(jì)基礎(chǔ)是器件系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)技術(shù)是器件組成系統(tǒng)基本工具是器件分析系和系統(tǒng)仿真SoC階段——集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)是基本應(yīng)用技術(shù)設(shè)計(jì)基礎(chǔ)是系統(tǒng)和電路系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)技術(shù)是系統(tǒng)集成技術(shù)基本工具是系統(tǒng)和電路模型的仿真分析時(shí)間安排（每周4學(xué)時(shí)*16周=64學(xué)時(shí)）時(shí)間內(nèi)容安排1課程概述2晶圓制備3氧化4物理氣相淀積5化學(xué)氣相淀積6化學(xué)機(jī)械拋光7期中復(fù)習(xí)8光刻作業(yè)一、二、三9刻蝕10擴(kuò)散11離子注入12工藝集成作業(yè)四、五13封裝14期末復(fù)習(xí)15仿真實(shí)驗(yàn)一、二16仿真實(shí)驗(yàn)三、四基本工藝制膜氧化4CVD4PVD4外延4平坦化4圖形轉(zhuǎn)移光刻4刻蝕4摻雜擴(kuò)散4離子注入4封測(cè)切片封裝4測(cè)試?yán)匣Y選工序集成CMOS工藝2雙極工序2新技術(shù)實(shí)驗(yàn)軟件環(huán)境2氧化2摻雜2綜合2參考教材材序號(hào)書(shū)名作者出版社時(shí)間1半導(dǎo)體制造技術(shù)【美】MichaelQuirk電子工業(yè)20042芯片制造——半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程【美】PeterVanZant電子工業(yè)20103硅集成電路工藝基礎(chǔ)關(guān)旭東北京大學(xué)20034超大規(guī)模集成電路—基礎(chǔ)、設(shè)計(jì)、制造工藝【日】巖田穆科學(xué)20075集成電路工藝和器件的計(jì)算機(jī)模擬——ICTCAD技術(shù)概論阮剛復(fù)旦大學(xué)20076電子科學(xué)與技術(shù)導(dǎo)論李哲英電子工業(yè)20067集成電路芯片封裝技術(shù)李可為電子20078現(xiàn)代集成電路制造工藝原理李惠軍山東大學(xué)20079集成電路制程設(shè)計(jì)與工藝仿真劉睿強(qiáng)電子工業(yè)201110MOS集成電路結(jié)構(gòu)與制造技術(shù)潘桂忠上?？茖W(xué)技術(shù)201011集成電路制造技術(shù)——原理與工藝王蔚電子工業(yè)201012微系統(tǒng)封裝原理與技術(shù)邱碧秀電子工業(yè)200613圖解半導(dǎo)體基礎(chǔ)【日】水野文夫科學(xué)2007網(wǎng)絡(luò)考核方法法20%平時(shí)成績(jī)績(jī)（考勤勤、作業(yè)業(yè)、平時(shí)時(shí)表現(xiàn)））20%實(shí)驗(yàn)成績(jī)績(jī)60%考試成績(jī)績(jī)（開(kāi)卷卷）課程作業(yè)業(yè)作業(yè)一1描述CZ拉單晶爐爐的工作作原理。。作業(yè)二2描述集成成電路的的制膜工工藝原理理。作業(yè)三3描述集成成電路的的圖形轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)移工藝藝原理。。作業(yè)四4描述集成成電路的的摻雜工工藝原理理。作業(yè)五5以反相器器為例描描述CMOS工藝流程程。集成電路路什么是集集成電路路？英文全稱(chēng)稱(chēng)IntegratedCircuit，縮寫(xiě)IC通過(guò)一系系列特定定的加工工工藝，，將晶體體管、二二極管等等有源器器件和電電阻、電電容等無(wú)無(wú)源器件件，按照照一定的的電路互互連，“集成”在一塊半半導(dǎo)體單晶片（如硅或或砷化鎵鎵）上，，封裝在在一個(gè)外外殼內(nèi)，，執(zhí)行特特定電路路或系統(tǒng)統(tǒng)功能。。制造電子子器件的的基本半半導(dǎo)體材材料是圓圓形單晶晶薄片，，稱(chēng)為硅片或硅襯底。在硅片片制造廠(chǎng)廠(chǎng)，由硅硅片生產(chǎn)產(chǎn)的半導(dǎo)導(dǎo)體產(chǎn)品品，又被被稱(chēng)為微芯片或芯片。2022/12/29172022/12/2918集成電電路的的內(nèi)部部電路路VddABOutABOUT0010101001102022/12/29192022/12/292050m100m頭發(fā)絲粗細(xì)細(xì)30m1m1m(晶體管的大大小)30~50m(皮膚細(xì)胞的的大小)90年代生產(chǎn)的的集成電路路中晶體管管大小與人人類(lèi)頭發(fā)絲絲粗細(xì)、皮皮膚細(xì)胞大大小的比較較一個(gè)工業(yè)的的誕生1906年，真空三三極管，LeeDeforest（電信號(hào)處處理工業(yè)））1947年，ENIAC1947年12月23日，晶體管管，JohnBardeen，WalterBrattin，WilliamShockley（1956年諾貝爾物物理獎(jiǎng)），，固態(tài)，分分立器件（半導(dǎo)體工工業(yè)）世界第一個(gè)個(gè)晶體管集成電路集成電路是是由Kilby和Noyce兩人于1959年分別發(fā)明明，并共享享集成電路路的專(zhuān)利。。？19692000年，Kilby被授予諾貝貝爾物理學(xué)學(xué)獎(jiǎng)（Noyce去世10年）杰克·基爾比（JackKilby）德州儀器公公司——TexasInstruments鍺,1959,2“第一塊集集成電路的的發(fā)明家””羅伯特·諾伊思（RobertNoyce）仙童半導(dǎo)體公公司——FairchildSemiconductor硅,1959,7,30,“提出了適合合于工業(yè)生產(chǎn)產(chǎn)的集成電路路理論”2022/12/2923集成電路是怎怎么誕生的？？早期的許多先先驅(qū)者開(kāi)始在在北加利福尼尼亞州，現(xiàn)在在以硅谷著稱(chēng)稱(chēng)的地區(qū)。1957年，在加利福福尼亞州的帕帕羅阿托市（（PaloAlto）的仙童半導(dǎo)導(dǎo)體公司（FairchildSemiconductor）制造造出第第一個(gè)個(gè)商用用平面面晶體體管。。它有一一層鋁鋁互連連材料料，這這種材材料被被淀積積在硅硅片的的最頂頂層以以連接接晶體體管的的不同同部分分。從從硅上上熱氧氧化生生長(zhǎng)的的一層層自然然氧化化層被被用于于隔離離鋁導(dǎo)導(dǎo)線(xiàn)。。這些些層的的使用用在半半導(dǎo)體體領(lǐng)域域是一一個(gè)重重要發(fā)發(fā)展，，也是是稱(chēng)其其為平面面技技術(shù)術(shù)的原原因因。。2022/12/2924半導(dǎo)導(dǎo)體體的的集集成成時(shí)代代2022/12/2925電路集成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期每個(gè)芯片元件數(shù)分立元件1960年前1SSI20世紀(jì)60年代前期2~50MSI20世紀(jì)60年代到70年代前期20~5000LSI20世紀(jì)70年代前期到70年代后期5000~100000VLSI20世紀(jì)70年代后期到80年代后期100000~1000000ULSI20世紀(jì)90年代后期至今大于1000000半導(dǎo)導(dǎo)體體主主要要趨趨勢(shì)勢(shì)提高高芯芯片片性性能能：：速度度（（按按比比例例縮縮小小器器件件和和使使用用新新材材料料））關(guān)鍵鍵尺尺寸寸（（CD）芯片片上上的的物物理理尺尺寸寸特特征征被被稱(chēng)稱(chēng)為為特征征尺尺寸寸。硅硅片片上上的的最小小特特征征尺尺寸寸被稱(chēng)為關(guān)關(guān)鍵尺寸寸或CD。技術(shù)節(jié)節(jié)點(diǎn)每塊芯片片上的元元件數(shù)摩爾定律律功耗提高芯片片可靠性性浴盆曲線(xiàn)線(xiàn)降低芯片片成本2022/12/2926集成電路路的5個(gè)制造階段集成電路的5個(gè)制造階段第1階段：硅片制制備第2階段：硅片制制造裸露的硅片到到達(dá)硅片制造造廠(chǎng)，然后經(jīng)經(jīng)過(guò)各種清洗洗、成膜、光光刻、刻蝕和和摻雜步驟，，加工完的硅硅片具有永久久刻蝕在硅片片上的一整套套集成電路。。IDMfablessfoundry半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總總是處于設(shè)備備設(shè)計(jì)和制造造技術(shù)的前沿沿。2022/12/2930第3階段：硅片的的測(cè)試/揀選硅片制造完成成后，硅片被被送到測(cè)試/揀選區(qū)，在那那里進(jìn)行單個(gè)個(gè)芯片的探測(cè)測(cè)和電學(xué)測(cè)試試，然后揀選選出可接受和和不可接受的的芯片，并為為有缺陷的芯芯片做標(biāo)記，，通過(guò)測(cè)試的的芯片將繼續(xù)續(xù)進(jìn)行以后的的工藝。2022/12/2931第4階段：裝配和和封裝把單個(gè)芯片包包裝在一個(gè)保保護(hù)管殼內(nèi)。DIP2022/12/2932第5階段：終測(cè)測(cè)為確保芯片片的功能，，要對(duì)每一一個(gè)封裝的的集成電路路進(jìn)行測(cè)試試，以滿(mǎn)足足制造商的的電學(xué)和環(huán)環(huán)境的特性性參數(shù)要求求。至此，集成成電路制造造完成。2022/12/2933晶圓制造廠(chǎng)廠(chǎng)晶圓在亞微米CMOSIC制造廠(chǎng)典型型的硅片流流程模型擴(kuò)散區(qū)擴(kuò)散區(qū)一般般認(rèn)為是進(jìn)進(jìn)行高溫工工藝及薄膜膜淀積的區(qū)區(qū)域。主要設(shè)備：：高溫?cái)U(kuò)散爐爐：1200℃℃左右，能完完成氧化、、擴(kuò)散、淀淀積、退火火以及合金金等多種工工藝流程。。濕法清洗設(shè)設(shè)備（輔助助）硅片在放入入高溫爐之之前必須進(jìn)進(jìn)行徹底的的清洗，以以去除硅片片表面的沾沾污以及自自然氧化層層。2022/12/2938光刻區(qū)區(qū)光刻的的本質(zhì)質(zhì)是把把（臨臨時(shí)））電路路圖形形復(fù)制制到覆覆蓋于于硅片片表面面的光光刻膠膠上。。黃色熒熒光管管照明明主要設(shè)設(shè)備步進(jìn)光光刻機(jī)機(jī)（steper）涂膠/顯影設(shè)設(shè)備（（coater/developertrack）清洗裝裝置和和光刻刻膠剝剝離機(jī)機(jī)？2022/12/2940光刻工藝藝模塊示示意圖刻蝕區(qū)刻蝕是在在硅片上上沒(méi)有光光刻膠保保護(hù)的地地方留下下永久的的圖形。。一旦材料料被錯(cuò)誤誤刻蝕去去掉，在在刻蝕過(guò)過(guò)程中所所犯的錯(cuò)錯(cuò)誤將難難以糾正正，只能能報(bào)廢硅硅片，帶帶來(lái)經(jīng)濟(jì)濟(jì)損失。。主要設(shè)備備：等離子體體刻蝕機(jī)機(jī)（濕法法、干法法）等離子去去膠機(jī)濕法清洗洗設(shè)備2022/12/2942干法等離子子體刻蝕機(jī)機(jī)示意圖離子注入?yún)^(qū)區(qū)離子注入機(jī)機(jī)是亞微米米工藝中常常見(jiàn)的摻雜雜工具。主要設(shè)備：：離子注入機(jī)機(jī)等離子去膠膠機(jī)濕法清洗設(shè)設(shè)備2022/12/2944薄膜生長(zhǎng)區(qū)區(qū)主要負(fù)責(zé)生生產(chǎn)各個(gè)步步驟當(dāng)中的的介質(zhì)層和和金屬層的的淀積。薄薄膜生長(zhǎng)中中所采用的的溫度低于于擴(kuò)散區(qū)中中設(shè)備的工工作溫度。。主要要設(shè)設(shè)備備（中中低真真空空環(huán)環(huán)境境）CVDPVDSOG、RTP、濕濕法法清清洗洗設(shè)設(shè)備備CVD多腔腔集集成成設(shè)設(shè)備備和和工工藝藝腔腔的的示示意意圖圖拋光光區(qū)區(qū)化學(xué)學(xué)機(jī)機(jī)械械平平坦坦化化（（CMP）工工藝藝的的目目的的是是使使硅硅片片表表面面平平坦坦化化。。通通過(guò)過(guò)將將硅硅片片表表面面突突出出的的部部分分減減薄薄到到下下凹凹部部分分的的高高度度來(lái)來(lái)實(shí)實(shí)現(xiàn)現(xiàn)的的。。主要要設(shè)設(shè)備備：：拋光光機(jī)機(jī)刷片片機(jī)機(jī)（（waferscrubber）、、清清洗洗裝裝置置、、測(cè)測(cè)量量裝裝置置2022/12/2948典故故威廉廉·肖克克利利（（WilliamShockely）“晶晶體體管管之之父父””（（1910-1989）1947，點(diǎn)點(diǎn)接接觸觸晶晶體體管管；；1950，面面結(jié)結(jié)型型晶晶體體管管肖克克利利實(shí)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)室室（（1955-1968），，圣圣克克拉拉拉拉谷谷(硅谷谷)1956，諾諾貝貝爾爾物物理理獎(jiǎng)獎(jiǎng)1957，八八判判逆逆1958，斯斯坦坦福福大大學(xué)學(xué)1963，斯斯坦坦福福大大學(xué)學(xué)70年代代，，人人種種學(xué)學(xué)和和優(yōu)優(yōu)生生學(xué)學(xué)？？？？肖克克利利博博士士非非凡凡的的商商業(yè)業(yè)眼眼光光，，成成就就了了硅硅谷谷；；肖肖克克利利博博士士拙拙劣劣的的企企業(yè)業(yè)才才能能，，創(chuàng)創(chuàng)造造了了硅硅谷谷。?！啊疤焯觳挪排c與廢廢物物””硅硅谷谷的的第第一一公公民民，，硅硅谷谷第第一一棄棄兒兒。?！鞍税伺雅涯婺妗薄保ǎ═heTraitorousEight）1955年，，““晶晶體體管管之之父父””威威廉廉·肖克克利利，，離離開(kāi)開(kāi)貝貝爾爾實(shí)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)室室創(chuàng)創(chuàng)建建肖肖克克利利實(shí)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)室室。。他他吸吸引引了了很很多多富富有有才才華華的的年年輕輕科科學(xué)學(xué)家家加加盟盟。。但但是是很很快快，，肖肖克克利利的的管管理理方方法法和和怪怪異異行行為為引引起起員員工工的的不不滿(mǎn)滿(mǎn)。。其其中中八八人人決決定定一一同同辭辭職職，，他他們們是是羅伯特·諾依斯、戈登登·摩爾、朱利亞亞斯·布蘭克、尤金金·克萊爾、金·赫爾尼、杰·拉斯特、謝爾爾頓·羅伯茨和維克克多·格里尼克。被肖克利稱(chēng)稱(chēng)為“八叛逆”。八人接受位位于紐約的仙仙童攝影器材材公司的資助助，于1957年，創(chuàng)辦了仙童半導(dǎo)體公公司。喬布斯：“仙仙童半導(dǎo)體公公司就象個(gè)成成熟了的蒲公公英，你一吹吹它，這種創(chuàng)創(chuàng)業(yè)精神的種種子就隨風(fēng)四四處飄揚(yáng)了。?！薄肮韫热瞬艙u搖籃”八叛逆在FairchildSemiconductor，1959年從左至右GordonMoore,SheldonRoberts,EugeneKleiner,RobertNoyce,VictorGrinich,JuliusBlank,JeanHoerniJayLast1968，INTEL杰里·桑德斯（J.Sanders）AMD查爾斯·斯波克（C.Sporck）NSC2011年，臺(tái)臺(tái)灣成成為全全球最最大半半導(dǎo)體體晶圓圓生產(chǎn)產(chǎn)地根據(jù)市市調(diào)機(jī)機(jī)構(gòu)ICInsights調(diào)查統(tǒng)統(tǒng)計(jì)，，2011年全球球半導(dǎo)導(dǎo)體晶晶圓總總月產(chǎn)產(chǎn)能達(dá)達(dá)13,617.8千片8寸約當(dāng)當(dāng)晶圓圓。其其中臺(tái)臺(tái)灣晶晶圓月月產(chǎn)能能達(dá)2,858.3千片8寸約當(dāng)當(dāng)晶圓圓，占占全球球半導(dǎo)導(dǎo)體總總產(chǎn)能能達(dá)21%，躍居居第1大生產(chǎn)產(chǎn)國(guó)；；原本本是全全球最最大晶晶圓生生產(chǎn)國(guó)國(guó)的日日本，，月產(chǎn)產(chǎn)能達(dá)達(dá)2,683.6千片8寸約當(dāng)晶圓圓，市占率率達(dá)19.7%，位居第2大生產(chǎn)國(guó)；；韓國(guó)則以以2,293.5千片8寸約當(dāng)晶圓圓月產(chǎn)能，，位居第3大生產(chǎn)國(guó)，，市占率達(dá)達(dá)16.8%；美國(guó)月產(chǎn)產(chǎn)能達(dá)1,995.1千片8寸約當(dāng)晶圓圓，市占率率降至14.7%，是全球第第4大生產(chǎn)國(guó)。。臺(tái)積電聯(lián)電芯片制造——半導(dǎo)體工藝藝制程實(shí)用用教程第1章半導(dǎo)體體工業(yè)1.1一個(gè)工業(yè)的的誕生1906，LeeDeforest，真空三極極管，電信信號(hào)處理工工業(yè)（1947，ENIAC）1947.12.23，貝爾實(shí)驗(yàn)驗(yàn)室的Johnbardeen，WalterBrattin和WilliamShockley，晶體管1.2固態(tài)時(shí)代晶體管二級(jí)管電容器電阻器分立器件1.3集成電路1959，TI的JackKilby，鍺，集成成電路1959，F(xiàn)airchild的RobertNoyce，硅，集成成電路兩者共享集集成電路專(zhuān)專(zhuān)利。1.4工藝和產(chǎn)品品趨勢(shì)工藝和結(jié)構(gòu)構(gòu)摩爾定律1.5特征圖形尺尺寸的縮小小特征圖形尺尺寸CD1.6芯片和晶晶圓尺寸寸的增大大ChipWafer1.7缺陷密度度的減小小缺陷尺寸寸缺陷密度度1.8內(nèi)部連線(xiàn)線(xiàn)水平的的提高多層連線(xiàn)線(xiàn)1.9SIA的發(fā)展方方向未來(lái)技術(shù)術(shù)路線(xiàn)圖圖1.10芯片成本工藝產(chǎn)品成本價(jià)格性能1.11半導(dǎo)體工業(yè)的的發(fā)展附加值最高的的工業(yè)1.12半導(dǎo)體工業(yè)的的構(gòu)成半導(dǎo)體和系統(tǒng)統(tǒng)（或產(chǎn)品））三類(lèi)芯片供應(yīng)應(yīng)商IDMFoundryFabless1.6生產(chǎn)階段1材料準(zhǔn)備2晶體生長(zhǎng)和晶晶圓準(zhǔn)備3晶圓制造和分分選4封裝5終測(cè)1.14結(jié)型晶體管PN結(jié)----晶體管雙極型器件FET----MOS單極性器件貝爾實(shí)驗(yàn)室，，1956擴(kuò)散結(jié)1957氧化掩膜，硅硅1.15工業(yè)發(fā)展的50年50年代，黃金時(shí)時(shí)期，工藝，，材料，公司司，價(jià)格，60年代，成熟工工業(yè)，塑封，，IFET，CMOS70年代，投射光光刻機(jī)，潔凈凈間，離子注注入機(jī)，步進(jìn)進(jìn)光刻機(jī)，自自動(dòng)化80年代，全程自自動(dòng)化，1um90年代，銅，開(kāi)發(fā)的十年（（1951~1960）基本工藝和材材料（黃金十十年）雙極型和單極極型設(shè)備和材料的的問(wèn)題內(nèi)部解解決工藝的十年（（1961~1970）價(jià)格下降的趨趨勢(shì)形成--新老公司交替替高產(chǎn)量的工藝藝，低價(jià)格的的芯片設(shè)備和材料的的問(wèn)題導(dǎo)致半半導(dǎo)體特殊供供應(yīng)商形成塑料封裝1963實(shí)驗(yàn)室小批量量生產(chǎn)設(shè)備的十年（（1971~1980）MSI—LSI，膜板引起的的缺陷，接觸觸式光刻機(jī)造造成的晶圓損損傷投射式光刻機(jī)機(jī)，離子注機(jī)機(jī)，步進(jìn)式式光刻機(jī)，潔潔凈間進(jìn)一步步發(fā)展，單一一設(shè)備自動(dòng)化化（工藝和設(shè)設(shè)備結(jié)合）生產(chǎn)線(xiàn)的大大批量制造造—產(chǎn)量和利潤(rùn)潤(rùn)自動(dòng)動(dòng)化化的的十十年年（（1981~1990）市場(chǎng)場(chǎng)的的壓壓力力和和工工藝藝步步驟驟的的增增多多無(wú)人人化化和和材材料料的的自自動(dòng)動(dòng)運(yùn)運(yùn)輸輸（（污污染染源源））美國(guó)國(guó)、、歐歐洲洲統(tǒng)統(tǒng)治治地地位位，，日日本本崛崛起起，，四四小小龍龍（（香香港港、、臺(tái)臺(tái)灣灣、、新新加加坡坡、、韓韓國(guó)國(guó)））發(fā)發(fā)展展生產(chǎn)的十十年（1991~2000）1微米成熟的工工業(yè)--生產(chǎn)和市市場(chǎng)控制成本本銅連線(xiàn)極小的紀(jì)紀(jì)元（2001~至今）CD極限180nm，45，32，22nm晶圓300mm，450mm低端技技術(shù)新新用途途1.16納米時(shí)時(shí)代umnm?9、靜夜四無(wú)鄰鄰，荒居舊業(yè)業(yè)貧。。12月-2212月-22Thursday,December29,202210、雨中黃葉葉樹(shù)，燈下下白頭人。。。22:05:0122:05:0122:0512/29/202210:05:01PM11、以以我我獨(dú)獨(dú)沈沈久久，，愧愧君君相相見(jiàn)見(jiàn)頻頻。。。。12月月-2222:05:0122:05Dec-2229-Dec-2212、故人江海別別，幾度隔山山川。。22:05:0122:05:0122:05Thursday,December29,202213、乍乍見(jiàn)見(jiàn)翻翻疑疑夢(mèng)夢(mèng)，，相相悲悲各各問(wèn)問(wèn)年年。。。。12月月-2212月月-2222:05:0122:05:01December29,202214、他鄉(xiāng)生白白發(fā)，舊國(guó)國(guó)見(jiàn)青山。。。29十二二月202210:05:01下下午22:05:0112月-2215、比不了得就就不比，得不不到的就不要要。。。十二月2210:05下下午12月-2222:05December29,202216、行動(dòng)動(dòng)出成成果，，工作作出財(cái)財(cái)富。。。2022/12/2922:05:0122:05:0129December202217、做前，，能夠環(huán)環(huán)視四周周；做時(shí)時(shí)，你只只能或者者最好沿沿著以腳腳為起點(diǎn)點(diǎn)的射線(xiàn)線(xiàn)向前。。。10:05:01下下午10:05下下午22:05:0112月-229、沒(méi)沒(méi)有有失失敗敗，，只只有有暫暫時(shí)時(shí)停停止止成成功功！！。。12月月-2212月月-22Thursday,December29,202210、很很多多事事情情努努力力了了未未必必有有結(jié)結(jié)果果，，但但是是不不努努力力卻卻什什么么改改變變也也沒(méi)沒(méi)有有。。。。22:05:0122:05:0122:0512/29/202210:05:01PM11、成功功就是是日復(fù)復(fù)一日日那一一點(diǎn)點(diǎn)點(diǎn)小小小努力力的積積累。。。12月月-2222:05:0122:05Dec-2229-Dec-2212、世間成成事，不不求其絕絕對(duì)圓滿(mǎn)滿(mǎn)，留一一份不足足，可得得無(wú)限完完美。。。22:05:0122:05:0122:05Thursday,December29,202213、不知香積積寺，數(shù)里里入云峰。。。12月-2212月-2222:05:0122:05:01December29,202214、意意志志堅(jiān)堅(jiān)強(qiáng)強(qiáng)的的人人能能