半導體存儲器分為哪兩種-與磁性存儲器區(qū)別_第1頁
半導體存儲器分為哪兩種-與磁性存儲器區(qū)別_第2頁
半導體存儲器分為哪兩種-與磁性存儲器區(qū)別_第3頁
半導體存儲器分為哪兩種-與磁性存儲器區(qū)別_第4頁
全文預(yù)覽已結(jié)束

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

半導體存儲器分為哪兩種_與磁性存儲器區(qū)別1.半導體存儲器分類的定義及分類半導體存儲器是指用半導體大規(guī)模集成存儲器芯片作為存儲媒體的,能對數(shù)據(jù)信息進行存取的存儲設(shè)備。多用作計算機可尋址存儲器。從使用功能角度看,半導體存儲器可以分為兩大類:易失性存儲器VM(Volatile

Memory)和非易失性存儲器NVM(Non-VolatileMemory)。(1)易失性存儲器所謂易失性存儲器就是指存儲器中存儲的數(shù)據(jù)會在存儲器斷電后丟失。一般易失性存儲器包括靜態(tài)隨機存儲器SRAM(StaticRandomAccessMemory)和動態(tài)隨機存儲器DRAM(Dynamic

RandomAccessMemory);而對于非易失性存儲器主要包括掩膜只讀存儲器MROM(MaskRead-Only

Memory)、可編程只讀存儲器PROM(ProgrammableRead-OnlyMemory)、可擦除可編程只讀存儲器EPROM

(EraseProgrammableRead-OnlyMemory)、電可擦除可編程只讀存儲器EEPROM(ElectricallyErasable

ProgrammableRead-OnlyMemory)、閃速存儲器FlashMemory、鐵電存儲器FeRAM(Ferroelectric

RandomAccessMemory)等(2)非易失性存儲器非易失性存儲器就是數(shù)據(jù)在斷電后不會丟失的半導體存儲器。現(xiàn)在市面上使用較為廣泛的非易失性存儲器主要就是EEPROM和Flash這兩類。而EEPROM以其自身具有電可擦寫,可編程的特點,使用靈活且可靠性高,在市場上表現(xiàn)出巨大的潛力。就當今市場上看來,對片上系統(tǒng)的一個重要解決方案就是EEPROM存儲器。它不僅提供了用不同軟件對芯片進行現(xiàn)場編程或者現(xiàn)場升級的能力,還能夠?qū)鏟IN碼這類重要的本地信息數(shù)據(jù)進行存儲,并且這些信息在設(shè)備掉電的時候仍然能夠保存。同時EEPROM相比于Flash存儲器而言,其功耗更低,擦寫更方便;在頻標簽RFID,IC智能卡等這類小容量、低功耗的應(yīng)用場合,EEPROM的地位在一定時期內(nèi)還是無人可撼。2.半導體存儲器的優(yōu)點(1)存儲單元陣列和主要外圍邏輯電路制作在同一個硅芯片上,輸出和輸入電平可以做到同片外的電路兼容和匹配。這可使計算機的運算和控制與存儲兩大部分之間的接口大為簡化;(2)數(shù)據(jù)的存入和讀取速度比磁性存儲器約快三個數(shù)量級,可大大提高計算機運算速度;(3)利用大容量半導體存儲器使存儲體的體積和成本大大縮小和下降。3.半導體存儲器與磁性存儲器區(qū)別同磁性存儲器相比,半導體存儲器具有存取速度快、存儲容量大、體積小等優(yōu)點,并且存儲單元陣列和主要外圍邏輯電

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論