電子信息材料現(xiàn)狀與展望課件

電子信息材料現(xiàn)狀與展望2022/12/19電子信息材料現(xiàn)狀與展望電子信息材料現(xiàn)狀與展望2022/12/18電子信息材料現(xiàn)狀與1一、前言電子材料行業(yè)分為電子功能材料、結(jié)構(gòu)材料及工藝與輔助材料三大類電子信息材料是信息技術(shù)的基石，是發(fā)展電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，也是世界各國(guó)期望在未來(lái)信息技術(shù)發(fā)展中占有優(yōu)勢(shì)地位的關(guān)鍵技術(shù)之一

21世紀(jì)將開創(chuàng)一個(gè)以開發(fā)先進(jìn)的電子信息材料為先導(dǎo)，促進(jìn)高新技術(shù)群體快速發(fā)展的新世紀(jì)

電子信息材料現(xiàn)狀與展望一、前言電子材料行業(yè)分為電子功能材料、結(jié)構(gòu)材料及工藝與輔助材2二、市場(chǎng)半導(dǎo)體材料未來(lái)5年內(nèi)，8～12英寸硅片的主流地位不會(huì)動(dòng)搖。目前世界多晶硅的年產(chǎn)能力約30000噸，硅單晶片產(chǎn)量超過(guò)50億平方英寸

“十一五”硅外延片和絕緣層上的硅（SOI）材料的國(guó)內(nèi)需求將出現(xiàn)大幅增長(zhǎng)

電子信息材料現(xiàn)狀與展望二、市場(chǎng)半導(dǎo)體材料電子信息材料現(xiàn)狀與展望3目前國(guó)際上6英寸GaAs材料、4英寸InP材料、3英寸碳化硅（SiC）材料已經(jīng)商品化，2004年GaAsIC產(chǎn)值達(dá)60億美元

國(guó)內(nèi)目前GaAs以3～4英寸為主，InP以2英寸為主。半導(dǎo)體照明工程的發(fā)展對(duì)GaAs材料的應(yīng)用在增加，氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等半導(dǎo)體材料在微電子、光電子技術(shù)領(lǐng)域應(yīng)用發(fā)展很快，預(yù)計(jì)2005年全球鍺硅（SiGe）外延材料市場(chǎng)可達(dá)22億美元

電子信息材料現(xiàn)狀與展望目前國(guó)際上6英寸GaAs材料、4英寸InP材料、3英寸碳化硅42、新型平板顯示器件材料新型平板顯示器的材料主要包括LCD、高亮度LED、PDP用材料,其中LCD用電子材料的發(fā)展將以TFT—LCD為重點(diǎn),TFT液晶材料占市場(chǎng)的份額三分之二以上電子信息材料現(xiàn)狀與展望2、新型平板顯示器件材料電子信息材料現(xiàn)狀與展望52010年世界LCD材料需求預(yù)測(cè)

TFTTN黑白STN彩色STNLCD產(chǎn)能(萬(wàn)平米)7,00070015070液晶材料(噸)40045115彩色濾光片(萬(wàn)平米)7,0000070偏光片(萬(wàn)平米)17,5001,600350165玻璃基片(萬(wàn)平米)14,0001,400300140ITO玻璃(方平米)01,40030070電子信息材料現(xiàn)狀與展望2010年世界LCD材料需求預(yù)測(cè)

TFTTN黑白STN彩色62010年中國(guó)LCD材料需求量預(yù)測(cè)

TFTTN黑白STN彩色STNLCD產(chǎn)能(萬(wàn)平米)8006007060液晶材料(噸)504254彩色濾光片(萬(wàn)平米)8000060偏光片(萬(wàn)平米)2,0001,400160140玻璃基片(萬(wàn)平米)1,6001,200140120ITO玻璃(萬(wàn)平米)01,20014060電子信息材料現(xiàn)狀與展望2010年中國(guó)LCD材料需求量預(yù)測(cè)

TFTTN黑白STN彩7ITO導(dǎo)電玻璃是在鈉鈣基或硅硼基基片玻璃的基礎(chǔ)上，利用磁控濺射的方法鍍上一層氧化銦錫（俗稱ITO）膜加工制作成的。液晶顯示器專用ITO導(dǎo)電玻璃，還會(huì)在鍍ITO層之前，鍍上一層二氧化硅阻擋層，以阻止基片玻璃上的鈉離子向盒內(nèi)液晶里擴(kuò)散。高檔液晶顯示器專用ITO玻璃在濺鍍ITO層之前基片玻璃還要進(jìn)行拋光處理，以得到更均勻的顯示控制。液晶顯示器專用ITO玻璃基板一般屬超浮法玻璃，所有的鍍膜面為玻璃的浮法錫面。因此，最終的液晶顯示器都會(huì)沿浮法方向，規(guī)律的出現(xiàn)波紋不平整情況。

電子信息材料現(xiàn)狀與展望ITO導(dǎo)電玻璃是在鈉鈣基或硅硼基基片玻璃的基礎(chǔ)上，利用磁控濺8國(guó)際PDP材料市場(chǎng)的占有以日本為主，韓國(guó)第二位，國(guó)內(nèi)已開始部分彩色PDP材料的研制和生產(chǎn)LED材料方面預(yù)計(jì)2010年我國(guó)普亮GaAs材料年用量90萬(wàn)平方米；紅外AlGaAs材料年用量90萬(wàn)平方米；紅、橙、黃AlGaInP材料年用量2180萬(wàn)平方米；藍(lán)、綠、紫高亮度AlGaInN材料年用量400萬(wàn)平方米。電子信息材料現(xiàn)狀與展望國(guó)際PDP材料市場(chǎng)的占有以日本為主，韓國(guó)第二位，國(guó)內(nèi)已開始部93、電子元器件材料電子陶瓷材料是制造各種陶瓷電容器的主體結(jié)構(gòu)材料，國(guó)外年產(chǎn)各類電子陶瓷材料約在2萬(wàn)余噸，預(yù)計(jì)“十一五”我國(guó)對(duì)微波介質(zhì)陶瓷材料需求總每年約1000噸，2010年各種電子陶瓷材料市場(chǎng)需求約13.9萬(wàn)噸電子信息材料現(xiàn)狀與展望3、電子元器件材料電子信息材料現(xiàn)狀與展望10預(yù)計(jì)世界磁性材料市場(chǎng)將以15%的年增長(zhǎng)率發(fā)展，2010年產(chǎn)量約為永磁鐵氧體85萬(wàn)噸，軟磁鐵氧體48萬(wàn)噸，釹鐵硼磁體9萬(wàn)噸，屆時(shí)我國(guó)永磁鐵氧體磁性材料產(chǎn)量約為40萬(wàn)噸，軟磁鐵氧體20萬(wàn)噸，釹鐵硼磁體6萬(wàn)噸，年產(chǎn)業(yè)規(guī)模將達(dá)到500億元在電子封裝材料領(lǐng)域，預(yù)計(jì)2005年全球環(huán)氧模塑料EMC的年銷量將達(dá)16～17萬(wàn)噸，市場(chǎng)約15～16億美元，我國(guó)的市場(chǎng)需求將達(dá)到2500～3000噸；低溫共燒基板(LTCC)全球2003年產(chǎn)量已突破1000萬(wàn)塊以上電子信息材料現(xiàn)狀與展望預(yù)計(jì)世界磁性材料市場(chǎng)將以15%的年增長(zhǎng)率發(fā)展，2010年產(chǎn)量11預(yù)計(jì)我國(guó)2010年覆銅板材的市場(chǎng)需求約62萬(wàn)噸。2004年全球光纖產(chǎn)量近6900萬(wàn)公里，光纜產(chǎn)量5700萬(wàn)芯公里。2004年國(guó)內(nèi)光纖產(chǎn)量約1600萬(wàn)芯公里，需求量約1300萬(wàn)芯公里

國(guó)際上激光晶體材料2003年產(chǎn)值約1億美元。非線性光學(xué)晶體年銷售額超過(guò)4億美元，今后幾年市場(chǎng)增長(zhǎng)率約20%。我國(guó)2010年人造石英晶體的產(chǎn)能約2000噸/年。鈮酸鋰、鉭酸鋰晶體材料的市場(chǎng)需求約100噸

電子信息材料現(xiàn)狀與展望預(yù)計(jì)我國(guó)2010年覆銅板材的市場(chǎng)需求約62萬(wàn)噸。電子信息材料12三、技術(shù)趨勢(shì)

新材料技術(shù)與生物技術(shù)、信息技術(shù)并列為二十一世紀(jì)的三大技術(shù)源動(dòng)力之一。世界新材料的研究熱點(diǎn)主要集中在生物工程材料、新能源材料、納米材料、電子信息材料、電子元器件材料、新型半導(dǎo)體材料等領(lǐng)域?？偟陌l(fā)展趨勢(shì)將向納米結(jié)構(gòu)、非均值、非線性和非平衡態(tài)、綠色化方向發(fā)展。

電子信息材料現(xiàn)狀與展望三、技術(shù)趨勢(shì)新材料技術(shù)與生物技術(shù)、信息技術(shù)并列為二十一世紀(jì)13半導(dǎo)體材料（微電子、光電子）的發(fā)展趨勢(shì)是：增大材料直徑、提高材料參數(shù)的均勻性和表面質(zhì)量、加速發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體材料及第三代高溫半導(dǎo)體材料，重點(diǎn)發(fā)展12″硅拋光片、8″、12″硅外延片，6″直拉砷化鎵材料、SiGe/Si材料、SOI硅基材料、193nm光刻膠、超純高純?cè)噭?、先進(jìn)的封裝材料等產(chǎn)品。開發(fā)藍(lán)光LED所需的GaN基、ZnSe基外延材料成為電子材料下一步的研究熱點(diǎn)

電子信息材料現(xiàn)狀與展望半導(dǎo)體材料（微電子、光電子）的發(fā)展趨勢(shì)是：增大材料直徑、提高14電子元器件材料當(dāng)前的發(fā)展重點(diǎn)是光電子器件所需的激光材料、非線性晶體材料、光纖通信材料、壓電晶體材料、片式元件用的陶瓷材料、高密度印制板用的高性能覆銅板材料、高性能磁性材料等

電子信息材料現(xiàn)狀與展望電子元器件材料當(dāng)前的發(fā)展重點(diǎn)是光電子器件所需的激光材料、非線15同時(shí)已開展無(wú)鉛、鎘等有害物質(zhì)介質(zhì)瓷料的研究和生產(chǎn)；光纖材料正向不斷擴(kuò)展通信容量、降低損耗、增加傳輸距離、降低色散、提高帶寬、抑制非線性效應(yīng)、實(shí)現(xiàn)密集波分復(fù)用以及高靈敏度傳感及大尺寸、低成本預(yù)制捧等方向發(fā)展；磁性材料領(lǐng)域?qū)⒅铝τ诎l(fā)展新型稀土永磁材料，高磁性能的稀土永磁薄膜材料，高磁能積的納米和非晶金屬永磁材料。摻釹釔鋁石榴石晶體已成為應(yīng)用最廣泛的激光晶體，激光晶體的直徑和尺寸也在不斷增大，質(zhì)量和性能不斷提高。電子信息材料現(xiàn)狀與展望同時(shí)已開展無(wú)鉛、鎘等有害物質(zhì)介質(zhì)瓷料的研究和生產(chǎn)；光纖材料正16電子顯示器件材料的發(fā)展集中在FPD領(lǐng)域，STN-LCD和TFT-LCD顯示器所用的混合液晶，彩色濾色膜及顏料，平板玻璃，研究PDP所需的電極、熒光粉點(diǎn)陣的微細(xì)化技術(shù)，以使彩色等離子體顯示器向大屏幕、高信息容量方向發(fā)展無(wú)鉛焊料替代含鉛焊料，包括焊球、焊膏、焊條和焊絲等電子信息材料現(xiàn)狀與展望電子顯示器件材料的發(fā)展集中在FPD領(lǐng)域，STN-LCD和T17四、產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

我國(guó)電子材料行業(yè)經(jīng)過(guò)數(shù)十年的發(fā)展，取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，2004年行業(yè)銷售收入540億元，從業(yè)企業(yè)1000多家，但電子材料行業(yè)企業(yè)分散，生產(chǎn)規(guī)模小，產(chǎn)品大部分為中低檔材料，不少技術(shù)要求高的關(guān)鍵材料仍需依靠進(jìn)口

電子信息材料現(xiàn)狀與展望四、產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀我國(guó)電子材料行業(yè)經(jīng)過(guò)數(shù)十年的發(fā)展，取得了長(zhǎng)足的18國(guó)內(nèi)從事硅單晶材料研究生產(chǎn)企業(yè)約有40多家，從業(yè)人員約4000余人，2004年國(guó)內(nèi)硅單晶產(chǎn)量達(dá)1700噸左右，大部分為4英寸、5英寸、6英寸硅片，其中太陽(yáng)能電池用硅片占三分之二,8英寸硅片可提供少量產(chǎn)品，12英寸硅片尚在研制中。我國(guó)硅材料和硅外延材料企業(yè)的技術(shù)水平比發(fā)達(dá)國(guó)家落后約10年，目前國(guó)內(nèi)4、5、6英寸硅外延片已可批量生產(chǎn)，8、12英寸硅外延片尚屬空白。電子信息材料現(xiàn)狀與展望國(guó)內(nèi)從事硅單晶材料研究生產(chǎn)企業(yè)約有40多家，從業(yè)人員約40019我國(guó)光刻膠除紫外負(fù)性光刻膠外，其他光刻膠品種與國(guó)際先進(jìn)水平存在較大差距，有的甚至是空白國(guó)內(nèi)在SOI和SiGe/Si外延方面，取得了較好的進(jìn)展，研究水平基本與國(guó)外同步，國(guó)內(nèi)SiC材料處于實(shí)驗(yàn)室研發(fā)和技術(shù)攻關(guān)階段電子信息材料現(xiàn)狀與展望我國(guó)光刻膠除紫外負(fù)性光刻膠外，其他光刻膠品種與國(guó)際先進(jìn)水平存20我國(guó)液晶材料的生產(chǎn)以中低檔的TN、STN型為主，TFT用材料尚處于實(shí)驗(yàn)室階段。我國(guó)ITO導(dǎo)電玻璃行業(yè)的年生產(chǎn)能力超過(guò)500萬(wàn)片。已成為世界ITO導(dǎo)電玻璃的主要生產(chǎn)國(guó)。國(guó)內(nèi)偏光片的生產(chǎn)能力為每年300萬(wàn)㎡。彩色濾光片已有批量生產(chǎn)，但TFT用彩色濾光片尚處于研制階段。我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)規(guī)模和水平與日、美、臺(tái)灣等先進(jìn)國(guó)家和地區(qū)相比還有較大差距，在外延材料等方面均落后先進(jìn)國(guó)家3～4年。PDP材料國(guó)內(nèi)已有一些研究單位和企業(yè)開始了部分的研制和生產(chǎn)電子信息材料現(xiàn)狀與展望我國(guó)液晶材料的生產(chǎn)以中低檔的TN、STN型為主，TFT用材料21我國(guó)在激光晶體材料領(lǐng)域取得了舉世矚目的成績(jī)，Nd:YAG等一批晶體產(chǎn)品已形成批量生產(chǎn)能力，年產(chǎn)值超過(guò)4000萬(wàn)元，產(chǎn)品的質(zhì)量達(dá)到或接近國(guó)際先進(jìn)水平。中國(guó)已成為全球石英(α-SiO2)材料的重要生產(chǎn)和供應(yīng)基地之一，2004年產(chǎn)量約2000噸，但多屬中低檔產(chǎn)品。國(guó)內(nèi)生產(chǎn)的鈮酸鋰(LiNbO3)和鉭酸鋰(LiTaO3)晶體多屬中低檔產(chǎn)品，2004年產(chǎn)量為50噸電子信息材料現(xiàn)狀與展望我國(guó)在激光晶體材料領(lǐng)域取得了舉世矚目的成績(jī)，Nd:YAG等一222005年我國(guó)磁性材料產(chǎn)量約為永磁鐵氧體約為35萬(wàn)噸，軟磁鐵氧體約為10萬(wàn)噸，釹鐵硼磁體約1萬(wàn)多噸，分別占世界產(chǎn)量的50%、25%、33%。各種介質(zhì)陶瓷材料1800余噸，其中不少類別瓷料在綜合性能上可與國(guó)外同品種比美我國(guó)鋰離子電池正極材料年產(chǎn)能力已達(dá)5000噸以上MCMB碳負(fù)極材料已可批量提供，鋰離子電池用隔膜材料還完全依賴進(jìn)口電子信息材料現(xiàn)狀與展望2005年我國(guó)磁性材料產(chǎn)量約為永磁鐵氧體約為35萬(wàn)噸，軟磁鐵23五、發(fā)展目標(biāo)

2010年主要電子信息材料的技術(shù)水平和產(chǎn)品性能與當(dāng)時(shí)的國(guó)際水平相當(dāng)，并形成相應(yīng)的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。微電子配套材料的性能指標(biāo)達(dá)到0.09～0.13μm技術(shù)要求，2010年主要材料國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率達(dá)到30%。新型電子顯示器件材料以高亮度發(fā)光材料為突破口，使半導(dǎo)體照明工程的主要外延材料達(dá)到批量化生產(chǎn)，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率達(dá)50%以上；電子信息材料現(xiàn)狀與展望五、發(fā)展目標(biāo)2010年主要電子信息材料的技術(shù)水平和產(chǎn)品性能24重點(diǎn)發(fā)展平板顯示材料，掌握平板顯示用超薄玻璃等6種關(guān)鍵材料生產(chǎn)技術(shù)，形成批量生產(chǎn)；建立YAG等量大面廣的激光材料、非線性晶體材料產(chǎn)業(yè)化基地2～3個(gè)；完成光纖材料產(chǎn)業(yè)鏈的建設(shè)，促進(jìn)光電子器件用材料整體發(fā)展水平。新型電子元器件材料通過(guò)優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)，降低量大面廣材料的生產(chǎn)成本，提高國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，形成中國(guó)名牌電子信息材料現(xiàn)狀與展望重點(diǎn)發(fā)展平板顯示材料，掌握平板顯示用超薄玻璃等6種關(guān)鍵材25六、發(fā)展重點(diǎn)

1、半導(dǎo)體材料⑴硅基材料①半導(dǎo)體級(jí)、太陽(yáng)能級(jí)多晶硅材料②8英寸、12英寸硅外延③6、8英寸SOI材料；6英寸SiGe/Si材料等⑵4-6英寸GaAs和InPPHEMT與HBT外延材料⑶i線、193nm光刻膠⑷0.13-0.09um用超凈高純?cè)噭╇娮有畔⒉牧犀F(xiàn)狀與展望六、發(fā)展重點(diǎn)1、半導(dǎo)體材料電子信息材料現(xiàn)狀與展望262、新型顯示器件材料⑴TFT—LCD液晶顯示器件關(guān)鍵材料⑵高亮度發(fā)光二極管、第三代高溫寬禁帶半導(dǎo)體材料：GaN、SiC等晶體及外延材料。⑶PDP、OLED材料電子信息材料現(xiàn)狀與展望2、新型顯示器件材料電子信息材料現(xiàn)狀與展望273、光通信材料⑴通信用光纖、光纖預(yù)制棒材料⑵特種光纖、光纖預(yù)制棒材料電子信息材料現(xiàn)狀與展望3、光通信材料電子信息材料現(xiàn)狀與展望284、激光晶體⑴高功率激光晶體材料⑵LD泵浦激光晶體材料⑶可調(diào)諧激光晶體材料

(4)高效低閾值晶體材料電子信息材料現(xiàn)狀與展望4、激光晶體電子信息材料現(xiàn)狀與展望295、磁性材料⑴燒結(jié)永磁材料大生產(chǎn)技術(shù)⑵粘結(jié)NdFeB永磁、磁粉注射成型技術(shù)⑶納米復(fù)合永磁及其制備技術(shù)⑷低溫共燒材料和納米軟磁材料⑸磁致冷材料⑹電磁屏蔽材料⑺磁記錄材料電子信息材料現(xiàn)狀與展望5、磁性材料電子信息材料現(xiàn)狀與展望306、壓電晶體材料⑴移動(dòng)通信用高頻寬帶聲表面波（SAW）器件用低缺陷壓電晶體材料⑵（3～10GHz）聲表面波（SAW）器件用壓電晶體薄膜材料電子信息材料現(xiàn)狀與展望6、壓電晶體材料電子信息材料現(xiàn)狀與展望317、電子功能陶瓷材料⑴高性能高可靠片式電容器陶瓷材料：⑵低溫共燒陶瓷（LTCC）材料及封裝陶瓷材料8、覆銅板材料高性能覆銅板、特殊功能覆銅板、高性能撓性覆銅板和材料電子信息材料現(xiàn)狀與展望7、電子功能陶瓷材料電子信息材料現(xiàn)狀與展望329、電子封裝材料⑴先進(jìn)封裝模塑料（EMC）⑵先進(jìn)的封裝復(fù)合材料⑶高精度引線框架材料⑷高性能聚合物封裝材料⑸高密度多層基板材料⑹精密陶瓷封裝材料⑺壓電石英晶體封裝材料⑻無(wú)鉛焊料⑼系統(tǒng)封裝（SIP）用先進(jìn)封裝材料電子信息材料現(xiàn)狀與展望9、電子封裝材料電子信息材料現(xiàn)狀與展望3310、綠色電池材料⑴鋰離子電池高性能、低成本正負(fù)極材⑵綠色電池高性能隔膜材料⑶太陽(yáng)能電池用單晶和多晶硅材料電子信息材料現(xiàn)狀與展望10、綠色電池材料電子信息材料現(xiàn)狀與展望34演講完畢，謝謝聽講!再見，seeyouagain3rew2022/12/19電子信息材料現(xiàn)狀與展望演講完畢，謝謝聽講!再見，seeyouagain3rew35電子信息材料現(xiàn)狀與展望2022/12/19電子信息材料現(xiàn)狀與展望電子信息材料現(xiàn)狀與展望2022/12/18電子信息材料現(xiàn)狀與36一、前言電子材料行業(yè)分為電子功能材料、結(jié)構(gòu)材料及工藝與輔助材料三大類電子信息材料是信息技術(shù)的基石，是發(fā)展電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，也是世界各國(guó)期望在未來(lái)信息技術(shù)發(fā)展中占有優(yōu)勢(shì)地位的關(guān)鍵技術(shù)之一

21世紀(jì)將開創(chuàng)一個(gè)以開發(fā)先進(jìn)的電子信息材料為先導(dǎo)，促進(jìn)高新技術(shù)群體快速發(fā)展的新世紀(jì)

電子信息材料現(xiàn)狀與展望一、前言電子材料行業(yè)分為電子功能材料、結(jié)構(gòu)材料及工藝與輔助材37二、市場(chǎng)半導(dǎo)體材料未來(lái)5年內(nèi)，8～12英寸硅片的主流地位不會(huì)動(dòng)搖。目前世界多晶硅的年產(chǎn)能力約30000噸，硅單晶片產(chǎn)量超過(guò)50億平方英寸

“十一五”硅外延片和絕緣層上的硅（SOI）材料的國(guó)內(nèi)需求將出現(xiàn)大幅增長(zhǎng)

電子信息材料現(xiàn)狀與展望二、市場(chǎng)半導(dǎo)體材料電子信息材料現(xiàn)狀與展望38目前國(guó)際上6英寸GaAs材料、4英寸InP材料、3英寸碳化硅（SiC）材料已經(jīng)商品化，2004年GaAsIC產(chǎn)值達(dá)60億美元

國(guó)內(nèi)目前GaAs以3～4英寸為主，InP以2英寸為主。半導(dǎo)體照明工程的發(fā)展對(duì)GaAs材料的應(yīng)用在增加，氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等半導(dǎo)體材料在微電子、光電子技術(shù)領(lǐng)域應(yīng)用發(fā)展很快，預(yù)計(jì)2005年全球鍺硅（SiGe）外延材料市場(chǎng)可達(dá)22億美元

電子信息材料現(xiàn)狀與展望目前國(guó)際上6英寸GaAs材料、4英寸InP材料、3英寸碳化硅392、新型平板顯示器件材料新型平板顯示器的材料主要包括LCD、高亮度LED、PDP用材料,其中LCD用電子材料的發(fā)展將以TFT—LCD為重點(diǎn),TFT液晶材料占市場(chǎng)的份額三分之二以上電子信息材料現(xiàn)狀與展望2、新型平板顯示器件材料電子信息材料現(xiàn)狀與展望402010年世界LCD材料需求預(yù)測(cè)

TFTTN黑白STN彩色STNLCD產(chǎn)能(萬(wàn)平米)7,00070015070液晶材料(噸)40045115彩色濾光片(萬(wàn)平米)7,0000070偏光片(萬(wàn)平米)17,5001,600350165玻璃基片(萬(wàn)平米)14,0001,400300140ITO玻璃(方平米)01,40030070電子信息材料現(xiàn)狀與展望2010年世界LCD材料需求預(yù)測(cè)

TFTTN黑白STN彩色412010年中國(guó)LCD材料需求量預(yù)測(cè)

TFTTN黑白STN彩色STNLCD產(chǎn)能(萬(wàn)平米)8006007060液晶材料(噸)504254彩色濾光片(萬(wàn)平米)8000060偏光片(萬(wàn)平米)2,0001,400160140玻璃基片(萬(wàn)平米)1,6001,200140120ITO玻璃(萬(wàn)平米)01,20014060電子信息材料現(xiàn)狀與展望2010年中國(guó)LCD材料需求量預(yù)測(cè)

TFTTN黑白STN彩42ITO導(dǎo)電玻璃是在鈉鈣基或硅硼基基片玻璃的基礎(chǔ)上，利用磁控濺射的方法鍍上一層氧化銦錫（俗稱ITO）膜加工制作成的。液晶顯示器專用ITO導(dǎo)電玻璃，還會(huì)在鍍ITO層之前，鍍上一層二氧化硅阻擋層，以阻止基片玻璃上的鈉離子向盒內(nèi)液晶里擴(kuò)散。高檔液晶顯示器專用ITO玻璃在濺鍍ITO層之前基片玻璃還要進(jìn)行拋光處理，以得到更均勻的顯示控制。液晶顯示器專用ITO玻璃基板一般屬超浮法玻璃，所有的鍍膜面為玻璃的浮法錫面。因此，最終的液晶顯示器都會(huì)沿浮法方向，規(guī)律的出現(xiàn)波紋不平整情況。

電子信息材料現(xiàn)狀與展望ITO導(dǎo)電玻璃是在鈉鈣基或硅硼基基片玻璃的基礎(chǔ)上，利用磁控濺43國(guó)際PDP材料市場(chǎng)的占有以日本為主，韓國(guó)第二位，國(guó)內(nèi)已開始部分彩色PDP材料的研制和生產(chǎn)LED材料方面預(yù)計(jì)2010年我國(guó)普亮GaAs材料年用量90萬(wàn)平方米；紅外AlGaAs材料年用量90萬(wàn)平方米；紅、橙、黃AlGaInP材料年用量2180萬(wàn)平方米；藍(lán)、綠、紫高亮度AlGaInN材料年用量400萬(wàn)平方米。電子信息材料現(xiàn)狀與展望國(guó)際PDP材料市場(chǎng)的占有以日本為主，韓國(guó)第二位，國(guó)內(nèi)已開始部443、電子元器件材料電子陶瓷材料是制造各種陶瓷電容器的主體結(jié)構(gòu)材料，國(guó)外年產(chǎn)各類電子陶瓷材料約在2萬(wàn)余噸，預(yù)計(jì)“十一五”我國(guó)對(duì)微波介質(zhì)陶瓷材料需求總每年約1000噸，2010年各種電子陶瓷材料市場(chǎng)需求約13.9萬(wàn)噸電子信息材料現(xiàn)狀與展望3、電子元器件材料電子信息材料現(xiàn)狀與展望45預(yù)計(jì)世界磁性材料市場(chǎng)將以15%的年增長(zhǎng)率發(fā)展，2010年產(chǎn)量約為永磁鐵氧體85萬(wàn)噸，軟磁鐵氧體48萬(wàn)噸，釹鐵硼磁體9萬(wàn)噸，屆時(shí)我國(guó)永磁鐵氧體磁性材料產(chǎn)量約為40萬(wàn)噸，軟磁鐵氧體20萬(wàn)噸，釹鐵硼磁體6萬(wàn)噸，年產(chǎn)業(yè)規(guī)模將達(dá)到500億元在電子封裝材料領(lǐng)域，預(yù)計(jì)2005年全球環(huán)氧模塑料EMC的年銷量將達(dá)16～17萬(wàn)噸，市場(chǎng)約15～16億美元，我國(guó)的市場(chǎng)需求將達(dá)到2500～3000噸；低溫共燒基板(LTCC)全球2003年產(chǎn)量已突破1000萬(wàn)塊以上電子信息材料現(xiàn)狀與展望預(yù)計(jì)世界磁性材料市場(chǎng)將以15%的年增長(zhǎng)率發(fā)展，2010年產(chǎn)量46預(yù)計(jì)我國(guó)2010年覆銅板材的市場(chǎng)需求約62萬(wàn)噸。2004年全球光纖產(chǎn)量近6900萬(wàn)公里，光纜產(chǎn)量5700萬(wàn)芯公里。2004年國(guó)內(nèi)光纖產(chǎn)量約1600萬(wàn)芯公里，需求量約1300萬(wàn)芯公里

國(guó)際上激光晶體材料2003年產(chǎn)值約1億美元。非線性光學(xué)晶體年銷售額超過(guò)4億美元，今后幾年市場(chǎng)增長(zhǎng)率約20%。我國(guó)2010年人造石英晶體的產(chǎn)能約2000噸/年。鈮酸鋰、鉭酸鋰晶體材料的市場(chǎng)需求約100噸

電子信息材料現(xiàn)狀與展望預(yù)計(jì)我國(guó)2010年覆銅板材的市場(chǎng)需求約62萬(wàn)噸。電子信息材料47三、技術(shù)趨勢(shì)

新材料技術(shù)與生物技術(shù)、信息技術(shù)并列為二十一世紀(jì)的三大技術(shù)源動(dòng)力之一。世界新材料的研究熱點(diǎn)主要集中在生物工程材料、新能源材料、納米材料、電子信息材料、電子元器件材料、新型半導(dǎo)體材料等領(lǐng)域?？偟陌l(fā)展趨勢(shì)將向納米結(jié)構(gòu)、非均值、非線性和非平衡態(tài)、綠色化方向發(fā)展。

電子信息材料現(xiàn)狀與展望三、技術(shù)趨勢(shì)新材料技術(shù)與生物技術(shù)、信息技術(shù)并列為二十一世紀(jì)48半導(dǎo)體材料（微電子、光電子）的發(fā)展趨勢(shì)是：增大材料直徑、提高材料參數(shù)的均勻性和表面質(zhì)量、加速發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體材料及第三代高溫半導(dǎo)體材料，重點(diǎn)發(fā)展12″硅拋光片、8″、12″硅外延片，6″直拉砷化鎵材料、SiGe/Si材料、SOI硅基材料、193nm光刻膠、超純高純?cè)噭?、先進(jìn)的封裝材料等產(chǎn)品。開發(fā)藍(lán)光LED所需的GaN基、ZnSe基外延材料成為電子材料下一步的研究熱點(diǎn)

電子信息材料現(xiàn)狀與展望半導(dǎo)體材料（微電子、光電子）的發(fā)展趨勢(shì)是：增大材料直徑、提高49電子元器件材料當(dāng)前的發(fā)展重點(diǎn)是光電子器件所需的激光材料、非線性晶體材料、光纖通信材料、壓電晶體材料、片式元件用的陶瓷材料、高密度印制板用的高性能覆銅板材料、高性能磁性材料等

電子信息材料現(xiàn)狀與展望電子元器件材料當(dāng)前的發(fā)展重點(diǎn)是光電子器件所需的激光材料、非線50同時(shí)已開展無(wú)鉛、鎘等有害物質(zhì)介質(zhì)瓷料的研究和生產(chǎn)；光纖材料正向不斷擴(kuò)展通信容量、降低損耗、增加傳輸距離、降低色散、提高帶寬、抑制非線性效應(yīng)、實(shí)現(xiàn)密集波分復(fù)用以及高靈敏度傳感及大尺寸、低成本預(yù)制捧等方向發(fā)展；磁性材料領(lǐng)域?qū)⒅铝τ诎l(fā)展新型稀土永磁材料，高磁性能的稀土永磁薄膜材料，高磁能積的納米和非晶金屬永磁材料。摻釹釔鋁石榴石晶體已成為應(yīng)用最廣泛的激光晶體，激光晶體的直徑和尺寸也在不斷增大，質(zhì)量和性能不斷提高。電子信息材料現(xiàn)狀與展望同時(shí)已開展無(wú)鉛、鎘等有害物質(zhì)介質(zhì)瓷料的研究和生產(chǎn)；光纖材料正51電子顯示器件材料的發(fā)展集中在FPD領(lǐng)域，STN-LCD和TFT-LCD顯示器所用的混合液晶，彩色濾色膜及顏料，平板玻璃，研究PDP所需的電極、熒光粉點(diǎn)陣的微細(xì)化技術(shù)，以使彩色等離子體顯示器向大屏幕、高信息容量方向發(fā)展無(wú)鉛焊料替代含鉛焊料，包括焊球、焊膏、焊條和焊絲等電子信息材料現(xiàn)狀與展望電子顯示器件材料的發(fā)展集中在FPD領(lǐng)域，STN-LCD和T52四、產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

我國(guó)電子材料行業(yè)經(jīng)過(guò)數(shù)十年的發(fā)展，取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，2004年行業(yè)銷售收入540億元，從業(yè)企業(yè)1000多家，但電子材料行業(yè)企業(yè)分散，生產(chǎn)規(guī)模小，產(chǎn)品大部分為中低檔材料，不少技術(shù)要求高的關(guān)鍵材料仍需依靠進(jìn)口

電子信息材料現(xiàn)狀與展望四、產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀我國(guó)電子材料行業(yè)經(jīng)過(guò)數(shù)十年的發(fā)展，取得了長(zhǎng)足的53國(guó)內(nèi)從事硅單晶材料研究生產(chǎn)企業(yè)約有40多家，從業(yè)人員約4000余人，2004年國(guó)內(nèi)硅單晶產(chǎn)量達(dá)1700噸左右，大部分為4英寸、5英寸、6英寸硅片，其中太陽(yáng)能電池用硅片占三分之二,8英寸硅片可提供少量產(chǎn)品，12英寸硅片尚在研制中。我國(guó)硅材料和硅外延材料企業(yè)的技術(shù)水平比發(fā)達(dá)國(guó)家落后約10年，目前國(guó)內(nèi)4、5、6英寸硅外延片已可批量生產(chǎn)，8、12英寸硅外延片尚屬空白。電子信息材料現(xiàn)狀與展望國(guó)內(nèi)從事硅單晶材料研究生產(chǎn)企業(yè)約有40多家，從業(yè)人員約40054我國(guó)光刻膠除紫外負(fù)性光刻膠外，其他光刻膠品種與國(guó)際先進(jìn)水平存在較大差距，有的甚至是空白國(guó)內(nèi)在SOI和SiGe/Si外延方面，取得了較好的進(jìn)展，研究水平基本與國(guó)外同步，國(guó)內(nèi)SiC材料處于實(shí)驗(yàn)室研發(fā)和技術(shù)攻關(guān)階段電子信息材料現(xiàn)狀與展望我國(guó)光刻膠除紫外負(fù)性光刻膠外，其他光刻膠品種與國(guó)際先進(jìn)水平存55我國(guó)液晶材料的生產(chǎn)以中低檔的TN、STN型為主，TFT用材料尚處于實(shí)驗(yàn)室階段。我國(guó)ITO導(dǎo)電玻璃行業(yè)的年生產(chǎn)能力超過(guò)500萬(wàn)片。已成為世界ITO導(dǎo)電玻璃的主要生產(chǎn)國(guó)。國(guó)內(nèi)偏光片的生產(chǎn)能力為每年300萬(wàn)㎡。彩色濾光片已有批量生產(chǎn)，但TFT用彩色濾光片尚處于研制階段。我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)規(guī)模和水平與日、美、臺(tái)灣等先進(jìn)國(guó)家和地區(qū)相比還有較大差距，在外延材料等方面均落后先進(jìn)國(guó)家3～4年。PDP材料國(guó)內(nèi)已有一些研究單位和企業(yè)開始了部分的研制和生產(chǎn)電子信息材料現(xiàn)狀與展望我國(guó)液晶材料的生產(chǎn)以中低檔的TN、STN型為主，TFT用材料56我國(guó)在激光晶體材料領(lǐng)域取得了舉世矚目的成績(jī)，Nd:YAG等一批晶體產(chǎn)品已形成批量生產(chǎn)能力，年產(chǎn)值超過(guò)4000萬(wàn)元，產(chǎn)品的質(zhì)量達(dá)到或接近國(guó)際先進(jìn)水平。中國(guó)已成為全球石英(α-SiO2)材料的重要生產(chǎn)和供應(yīng)基地之一，2004年產(chǎn)量約2000噸，但多屬中低檔產(chǎn)品。國(guó)內(nèi)生產(chǎn)的鈮酸鋰(LiNbO3)和鉭酸鋰(LiTaO3)晶體多屬中低檔產(chǎn)品，2004年產(chǎn)量為50噸電子信息材料現(xiàn)狀與展望我國(guó)在激光晶體材料領(lǐng)域取得了舉世矚目的成績(jī)，Nd:YAG等一572005年我國(guó)磁性材料產(chǎn)量約為永磁鐵氧體約為35萬(wàn)噸，軟磁鐵氧體約為10萬(wàn)噸，釹鐵硼磁體約1萬(wàn)多噸，分別占世界產(chǎn)量的50%、25%、33%。各種介質(zhì)陶瓷材料1800余噸，其中不少類別瓷料在綜合性能上可與國(guó)外同品種比美我國(guó)鋰離子電池正極材料年產(chǎn)能力已達(dá)5000噸以上MCMB碳負(fù)極材料已可批量提供，鋰離子電池用隔膜材料還完全依賴進(jìn)口電子信息材料現(xiàn)狀與展望2005年我國(guó)磁性材料產(chǎn)量約為永磁鐵氧體約為35萬(wàn)噸，軟磁鐵58五、發(fā)展目標(biāo)

2010年主要電子信息材料的技術(shù)水平和產(chǎn)品性能與當(dāng)時(shí)的國(guó)際水平相當(dāng)，并形成相應(yīng)的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。微電子配套材料的性能指標(biāo)達(dá)到0.09～0.13μm技術(shù)要求，2010年主要材料國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率達(dá)到30%。新型電子顯示器件材料以高亮度發(fā)光材料為突破口，使半導(dǎo)體照明工程的主要外延材料達(dá)到批量化生產(chǎn)，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率達(dá)50%以上；電子信息材料現(xiàn)狀與展望五、發(fā)展目標(biāo)2010年主要電子信息材料的技術(shù)水平和產(chǎn)品性能59重點(diǎn)發(fā)展平板顯示材料，掌握平板顯示用超薄玻璃等6種關(guān)鍵材料生產(chǎn)技術(shù)，形成批量生產(chǎn)；建立YAG等量大面廣的激光材料、非線性晶體材料產(chǎn)業(yè)化基地2～3個(gè)；完成光纖材料產(chǎn)業(yè)鏈的建設(shè)，促進(jìn)光電子器件用材料整體發(fā)展水平。新型電子元器件材料通過(guò)優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)，降低量大面廣材料的生產(chǎn)成本，提高國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，形成中國(guó)名牌電子信息材料現(xiàn)狀與展望重點(diǎn)發(fā)展平板