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/37Nt%rpR2"o%ni2丑。2"0Nt%rpR2"o%ni2丑。2"02.2510410106「pRNjpPoPo2.25109/cm3s13.室溫下,p型半導(dǎo)體中的電子壽命為二350,電子的遷移率36002/(Vs)。試求電子的擴散長度。解:D解:Dn根據(jù)愛因斯坦關(guān)系:koTqDnk°DnnqLnLndn*n0.02636003501060.18cm14.設(shè)空穴濃度是線性分布,在3內(nèi)濃度差為101534002/(V s)oJP qDPJP qDPdP
dxPxk°Tqpqk°Tp」x0.0264000.0264001015310415.在電阻率為1的p型硅半導(dǎo)體區(qū)域中,摻金濃度 10153,由邊界穩(wěn)定注入的電子濃度 (n)0=10103,試求邊界處電子擴散電流。根據(jù)少子的連續(xù)性方程無電場,無產(chǎn)生率,達到穩(wěn)定分布2nDp 2"x由于pSi內(nèi)部摻有Ntx1510cmpnx3的復(fù)合中心n遇到復(fù)合中心復(fù)合1 1rnNt6.310810151.610邊界條件:x0,n(0)x,n(n(x)n00xLnJnqDnn°edn(x)
dxDd2nDP2gpxd2ndx2DqD-0,n方程的通解為:xn(x)AeLnn0nLn16.一塊電阻率為3n的醐硅樣品?形的表面處黑noxBe'Ln.Dn-5,在其平面P)=10133o計算從這個表面擴散進入半導(dǎo)體內(nèi)部的空穴電流密度,以及在離表面多遠處過??昭舛鹊扔?23r10P⑴過??昭ㄋ駨牡倪B續(xù)性方程為DJDp,2
dx10121012xp°exeLp邊界條件:0,p(0)p()13 310cm0P。p(x)p0eLxp,Lp..Dp一1012Lpln1013Lpln10dpJpqDpdxPo0qDp—LppDp
qpp17.光照1 的n型硅樣品,均勻產(chǎn)生非平衡載流子,電子空穴對產(chǎn)生率為10173;設(shè)樣品的壽命為10,表面符合速度為100。試計算:(1)單位時間單位表面積在表面復(fù)合的空穴數(shù)(2)單位時間單位表面積在離表面三個擴散長度中體積內(nèi)復(fù)合的空穴數(shù)。d口
p2
dxgp0由邊界條件得邊界條件:Pp(Dp)gp
p(x)
xxCgd口
p2
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p(x)
xxCgpsppplpsppx0sp(p(0)P0)p(x)p。pgp1xspp lP ePLpspp解之:p(x)cexp(x)p0ceLpLpgpp⑴.單位時間在單位表示積復(fù)合的空穴數(shù)psp[p(0)p0]Dp—xcx0Dp—Lp18.一塊摻雜施主濃度為210163的硅片,在920下?lián)浇鸬斤柡蜐舛?,然后?jīng)氧化等處理,最后此硅片的表面復(fù)合中心 10102①計算體壽命,擴散長度和表面復(fù)合速度。②如果用光照射硅片弁被樣品均勻吸收,電子-空穴對的產(chǎn)生率是10173:試求表面的空穴濃度以及流向表面的空穴流密度是多少
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