物料優(yōu)選原則

電子器件選型指導(dǎo)書目錄1101電阻器21102電容器4TOC\o"1-5"\h\z\o"CurrentDocument"1103電感器10\o"CurrentDocument"1104晶體晶振14\o"CurrentDocument"1105二極管17\o"CurrentDocument"1106三極管22\o"CurrentDocument"可編程器件251101電阻器金屬膜電阻器1■推薦廠家生產(chǎn)商名稱生產(chǎn)商網(wǎng)址生產(chǎn)商等級采購器件類別備注四川永星(893廠)A金屬膜電阻器KOAwww.koanet.co.jpA金屬膜電阻器VISHAYA金屬膜電阻器2.選型原則不論那種電阻器，都不能選用邊緣極限規(guī)格；對于金膜電阻器，1W以下功率優(yōu)選金屬膜電阻，1W及1W以上功率優(yōu)選金屬氧化膜電阻；金屬膜電阻器就是在陶瓷骨架表面，經(jīng)真空高溫或燒滲工藝蒸發(fā)沉積一層金屬膜或合金膜。由于其電阻體是金屬或合金材料，又是在高真空條件下制備的，因而電阻器性能優(yōu)良。金屬膜電阻器的優(yōu)點是：精度高、穩(wěn)定性好、噪聲低、電壓系數(shù)小、體積小、高頻特性好，且允許工作環(huán)境溫度范圍大(-55?+125°C)、溫度系數(shù)低、耐熱性好。常常用作精密和高穩(wěn)定性的電阻器。對于金屬膜電阻器，優(yōu)先選擇1/4W及1/2W功率的金屬膜電阻器，當(dāng)對功率、安裝空間等無要求時，優(yōu)選1/4W。對于金屬膜電阻器，1W以下功率的優(yōu)選±1%精度。對于金屬膜電阻器，±1%精度的電阻器優(yōu)選E96系列。對于金屬膜電阻器，±5%精度的電阻器優(yōu)選E24系列。對于金屬膜電阻器，±0.1%精度的高精度電阻器優(yōu)選E192系列。對于金屬膜電阻器，電阻工作的平均功率必須小于其額定功率值的60%。金屬氧化膜電阻器推薦廠家生產(chǎn)商名稱生產(chǎn)商網(wǎng)址生產(chǎn)商等級采購器件類別備注四川永星（893廠）A金屬氧化膜電阻器已使用KOAwww.koanet.co.jpA金屬氧化膜電阻器未使用VISHAYA金屬氧化膜電阻器未使用選型原則（1）金屬氧化膜電阻器的電阻體是沉積在絕緣基體表面上的一層金屬氧化物薄膜（在玻璃、瓷器等材料上，通過高溫以化學(xué)反應(yīng)形式生成以二氧化錫為主體的金屬氧化層）。由于氧化膜膜層比較厚，因而金屬氧化膜電阻器的優(yōu)點是：耐磨、耐腐蝕、化學(xué)性能穩(wěn)定、寄生電感量小。（2）對于金屬氧化膜電阻器，實際功率等級有1/6W、1/4W、1/2W、1W、2W、3W、5W等。（3）對于金屬氧化膜電阻器，1W及1W功率以上的為優(yōu)選金屬氧化膜電阻器。（4）對于金屬氧化膜電阻器，1W以下功率的優(yōu)選±1%精度。（5）對于金屬氧化膜電阻器，1W及1W以上功率的優(yōu)選土5%精度。（6）對于金屬氧化膜電阻器，±1%精度的電阻器優(yōu)選E96系列。（7）對于金屬氧化膜電阻器，±5%精度的電阻器優(yōu)選E24系列。（8）對于金屬氧化膜電阻器，±0.1%精度的高精度電阻器優(yōu)選E192系列。（9）對于金屬氧化膜電阻器，電阻工作的平均功率必須小于其額定功率值的50%。（10）金屬氧化膜電阻有標(biāo)準(zhǔn)體（即本體）和縮體型（小體積）之區(qū)分，注意區(qū)分。1102電容器鋁電解電容器推薦廠家生產(chǎn)商名稱生產(chǎn)商網(wǎng)址生產(chǎn)商等級采購器件類別備注南通江海電容器股份有限公司鋁電解電容器Nichiconwww.nichicon.co.jp鋁電解電容器Rubycon(紅寶石)鋁電解電容器NCC(黑金剛)www.chemi-con.co.jp鋁電解電容器2.選型原則通常所說的鋁電解電容器是在高純鋁箔經(jīng)過電化學(xué)擴(kuò)面刻蝕和陽極氧化形成電介質(zhì)絕緣層后，制成的液體電解質(zhì)電容器，有極性、其絕緣介質(zhì)厚度為幾百埃10-1米)到幾千埃，是目前大量使用的電容器中電容量最大的電容器。鋁電解電容器可用于對電容量變化、功率損耗、絕緣電阻要求不高的各種電子電路，如濾波、旁路、耦合、儲能、隔直等。對于鋁電解電容器，額定工作電壓和標(biāo)稱容量優(yōu)先標(biāo)準(zhǔn)系列值。對于鋁電解電容器，優(yōu)選液體電解質(zhì)結(jié)構(gòu)類型。在沒有溫度和工藝限制條件下，鋁電容用在承受大上電沖擊電流的低阻抗電路中，成本和可靠性方面上要優(yōu)于其它電容。用于電源尤其是開關(guān)電源時，應(yīng)采用低功率損耗的鋁電解電容器。在大于75°C的高溫場合或作為濾波應(yīng)用時，應(yīng)盡量少用小尺寸(或指小容量＜10uF)的鋁電解電容。鋁電解電容的可靠應(yīng)用主要是關(guān)注溫度，但對于一般的大容量鋁電解電容，在大多數(shù)應(yīng)用場合下，在10-20年的時間內(nèi)都不會發(fā)生干涸失效。對于鋁電解電容器，避免反向電壓，極性鋁電容器耐反向電壓的能力一般只有0.5-1.5V，最好沒有反向電壓，更不能反向使用。對有反向電壓的電路應(yīng)采用無極性的鋁電容器。對于鋁電解電容器，環(huán)境溫度不能超過其工作上限溫度。鋁電容的壽命與工作溫度關(guān)系密切。一般無紋波電流情況下，溫度每降低10°C，壽命延長1倍。對于鋁電解電容器，把相同容量的鋁電解電容器，在相同的環(huán)境下，按照額定承受電壓進(jìn)行充電，放置一段時間后再檢測電容器兩端的電壓下降程度，下降電壓越少的漏電流就越小。對于鋁電解電容器，電容器容量愈高，漏電流就愈大。對于鋁電解電容器，降低工作電壓可降低漏電流。對于鋁電解電容器，選用更高耐壓的品種也會有助于減小漏電流。對于鋁電解電容器，相同條件下優(yōu)先選取高耐壓品種的鋁電解電容器，可降低內(nèi)阻、降低漏電流、降低損失角、增加壽命，好處多，但價格上會高一些。廠家手冊標(biāo)注Polymer鋁電容不需要降額，在實際應(yīng)用中推薦電壓降額到額定耐壓的80%以下使用。鉭電解電容器推薦廠家生產(chǎn)商名稱生產(chǎn)商網(wǎng)址生產(chǎn)商等級采購器件類別備注寧夏星日參考鉭電容器AVXC鉭電容器KEMETA鉭電容器VISHAYA鉭電容器選型原則鉭電解電容優(yōu)選CAK45、CA45系列；鉭電解電容器是鉭金屬表面經(jīng)過陽極氧化形成絕緣介質(zhì)制成的電容器，是電解電容器的一種，有極性、可達(dá)到的最高額定工作電壓低于鋁電容器，但各種參數(shù)的穩(wěn)定性、可靠性、壽命都優(yōu)于鋁電容器，成本也高。鉭電容器的用途與鋁電容器一樣，但適用于要求更加嚴(yán)格的電路，同時注意普通的固體燒結(jié)型鉭電容器比普通液體鋁電容器要貴(一般貴約2-4倍)。對于鉭電容器，優(yōu)選固體燒結(jié)型。鉭電容的容量隨工作頻率的變化而變化，工作頻率升高，有效容值下降，標(biāo)稱容量越大，下降比例越大。鉭電容的漏電流和質(zhì)量密切相關(guān)，如果某個批次發(fā)現(xiàn)鉭電容漏電流超標(biāo)，該批電容應(yīng)該拒收。（7）鉭電容的長期可靠性很高，是越用越可靠，它也沒有壽命老化的問題。（8）選取鉭電容器時一定要注意降額使用，實際工作電壓不應(yīng)超過額定工作電壓的0.5倍，當(dāng)承受紋波電流或環(huán)境溫度升高時，降額系數(shù)應(yīng)更低。（9）對于鉭電容，使用時，直流偏壓與交流分壓峰值之和不得超過電容器的額定電壓值。（10）對于鉭電容，使用時，交流負(fù)峰值與直流偏壓之和不超過電容器所允許的反向電壓值。（11）鉭電解電容器要避免瞬間大沖擊電流，瞬間沖擊電流可導(dǎo)致固體鉭電容器徹底損壞。（12）對于鉭電容器，在濾波場合，溫度變化對鉭電容的性能影響可以忽略。（13）鉭電容的ESR相對要比鋁電容要小，但其優(yōu)勢是作為表貼元件，安裝方便以及ESL較小，這也使得其應(yīng)用頻率較鋁電容要寬，在滿足目標(biāo)阻抗的條件下，最高可以達(dá)到10到幾十MHz。（14）鉭電容的邊緣規(guī)格為35V。（15）慎用35V的鉭電容，推薦16V、25V。禁用耐壓在35V以上的鉭電容。（16）Polymer鉭電容的缺點在于對熱沖擊較為敏感，以及自愈性能不如MnO2鉭電容。（17）Polymer鉭電容不需要遵守MnO2鉭電容電壓50%降額規(guī)則，只需要降到額定耐壓的80%即可。陶瓷電容器1■推薦廠家生產(chǎn)商名稱生產(chǎn)商網(wǎng)址生產(chǎn)商等級采購器件類別備注國巨A陶瓷電容器TDK優(yōu)選陶瓷電容器MURATA優(yōu)選陶瓷電容器2.選型原則（1）瓷介電容耐壓優(yōu)選100V檔；（2）磁介電容電壓選擇：耐壓值不小于工作電壓的2倍。（3）玻璃釉（獨石）電容優(yōu)選COG\X7R系列；（4）玻璃釉（獨石）電容耐壓優(yōu)選100V檔；（5）玻璃釉（獨石）電容電壓選擇：耐壓值不小于工作電壓的2倍。（6）對于瓷介電容器，優(yōu)選介質(zhì)種類為：NP0和X7R介質(zhì)，盡量避免使用Y5V和Z5U介質(zhì)電容器。（7）對于瓷介電容器，優(yōu)選容差：NP0介質(zhì)為±5%（不含小于10pF的電容器）、X7R介質(zhì)為±10%。（8）陶瓷電容器的特性差異大，確定選擇的電容器特性符合電路需要。（9）對于陶瓷電容器，盡量避免選用Y5V、X5R介質(zhì)的陶瓷電容器。在選用了Y5V介質(zhì)陶瓷電容器時，已經(jīng)確定其電容量的大幅度漂移特性不會影響線路功能。在選用7X5R介質(zhì)陶瓷電容器時，應(yīng)考慮到并可接受X5R電容的上限工作溫度為85°C。（10）對于片狀陶瓷電容器，優(yōu)選介質(zhì)種類為：NP0和X7R介質(zhì)，盡量避免使用Y5V和Z5U介質(zhì)電容器。（11）對于片狀陶瓷電容器，優(yōu)選額定工作電壓：25V、100V。（12）對于片狀陶瓷電容器，優(yōu)選容差：NP0介質(zhì)為±10%（不含小于10pF的電容器）；小于10pF的NPO電容器的優(yōu)選容差為0.25pF；X7R介質(zhì)為±10%。（13）對于片狀陶瓷電容器，優(yōu)選尺寸：0603。（14）慎選容值大的多層陶瓷電容，可采用小容量電容并聯(lián)的方式實現(xiàn)；ESR要求不高的場合可選用大的鉭電解電容代替。（15）由于溫度對Y5V介質(zhì)陶瓷電容容值影響比較大，因此選擇Y5V介質(zhì)陶瓷電容時要考慮容量相應(yīng)選擇大一些，如原本最低容量需要1uF的，至少應(yīng)選擇10uF容量，保證最壞情況下依然滿足阻抗的要求。（16）在對電容容值的精度要求較高的場合（如振蕩電路或濾波電路中決定電路頻率特性的電容），優(yōu)選陶瓷電容、固態(tài)鉭電容等溫度特性較好的固態(tài)介質(zhì)電容。（17）選用安規(guī)瓷片電容時一定要求廠家提供安規(guī)證書，在更換該類電容廠家時一定要到整機(jī)安規(guī)認(rèn)證機(jī)構(gòu)進(jìn)行備案。多層陶瓷電容的額定電壓要降額至50%使用，在特別重要的場合要降額至30%使用。慎用1206和1210封裝，最好禁用1206和1210以上封裝的陶瓷電容。滌綸電容器推薦廠家生產(chǎn)商名稱生產(chǎn)商網(wǎng)址生產(chǎn)商等級采購器件類別備注廈門法拉滌綸電容器未使用深圳塑镕電容器有限公司滌綸電容器未使用深圳市新生竹實業(yè)有限公司滌綸電容器未使用VISHAY滌綸電容器未使用EPCOS滌綸電容器未使用TAIYOwww.yuden.co.jp滌綸電容器未使用選型原則滌綸電容器是以滌綸(聚酯)薄膜作介質(zhì)的電容器，是薄膜電容器的一種。滌綸電容器的優(yōu)點是介電常數(shù)較高、體積小、電容量大、工作電壓范圍寬、能耐熱130°C左右、耐濕、成本低等。金屬化滌綸電容器的容量更寬，耐壓可達(dá)萬伏左右。滌綸電容器的缺點是穩(wěn)定性不高。滌綸電容器在精度、損耗角、絕緣電阻、溫度特性、可靠性及適應(yīng)環(huán)境等指標(biāo)方面都優(yōu)于電解電容和瓷片電容。但是容量價格比及容量體積比都大于電解電容和瓷片電容。滌綸電容器主要用于對穩(wěn)定性和損耗要求不高的各種直流或中低頻脈動電路中使用。適宜作為旁路、耦合、隔直等電路。常用的滌綸電容器的型號有CLll系列、CL21系列等。對于滌綸電容器，實際工作電壓不能超過額定工作電壓(額定直流或交流工作電壓），一般實際工作電壓為額定工作電壓的0.6倍。1103電感器常規(guī)電感器1■推薦廠家生產(chǎn)商名稱生產(chǎn)商網(wǎng)址生產(chǎn)商等級采購器件類別備注COILCRAFTA各類電感器已使用TDK參考各類電感器、磁珠已使用MURATA參考各類電感器、磁珠已使用PULSE參考各類電感器、磁珠未使用TOKOwww.toko.co.jp參考各類電感器、磁珠未使用深圳海光www.china-transfor參考常規(guī)電感器（定制電感、未使用標(biāo)準(zhǔn)電感）2.選型原則（1）電感器從制作工藝上看可以分為線繞電感器和疊層電感器。（2）繞線電感器是在支架或芯體上纏繞導(dǎo)線制成的電感器，這是目前工藝最成熟，種類最為繁多的電感類型。（3）線繞電感按有無鐵芯可將線繞電感分為空心電感和帶鐵芯（磁芯）電感。一般而言，空心電感的電感值比鐵芯（磁芯）電感值小。但是空心電感由于不使用磁芯，因此無磁飽和現(xiàn)象。而鐵芯（磁芯）電感的電感值可以做很大。（4）疊層電感是將鐵氧體以多層生產(chǎn)技術(shù)制造成的無繞線的電感。一般疊層電感均制作成貼片形式。（5）疊層陶瓷電感的通流能力差，應(yīng)用時應(yīng)關(guān)注電流降額。（6）疊層片式電感的端電極極易被氧化。電感的存儲環(huán)境應(yīng)該遠(yuǎn)離硫磺和氯氣等腐蝕性氣體，并避免把電感存放于鹽或酸性的環(huán)境中。（7）對于電感，建議在廠家提供的額定電流范圍內(nèi)工作，電流降額到80%。（8）小電流電感優(yōu)選表面貼裝的電感器，尤其是高頻電感。（9）功率電感線包層間應(yīng)有絕緣帶防匝間短路。（10）電感多用于電源濾波電路；磁珠多用于信號回路，用于抑制高頻干擾。（11）電感器件選用時要注意標(biāo)稱電感量、直流阻抗、諧振頻率和最大額定電流等幾個參數(shù)。（12）選用功率電感時需考慮散熱設(shè)計。（13）用于電源電路的電感，需特別注意直流阻抗，會產(chǎn)生磁飽和，或?qū)е码娫措妷航档?。?4）一般地，工字型線繞電感的焊端在器件的一側(cè)，對于0201封裝線繞電感，由于尺寸小，不利于生產(chǎn)和維修，禁用。（15）中低頻率場合下，優(yōu)選以鐵氧體類磁性材料為磁心的疊層電感。其電感量大、自諧振頻率較低。（16）高集成度的電路設(shè)計時應(yīng)優(yōu)選磁路封閉的電感。（17）建議在廠家提供的額定有效值電流（Irms）范圍內(nèi)工作。（18）建議在廠家提供的額定飽和電流（Isat）下工作。（19）建議選擇Q值較大的電感。差模電感器推薦廠家生產(chǎn)商名稱生產(chǎn)商網(wǎng)址生產(chǎn)商等級采購器件類別備注COILCRAFT差模電感器使用TDK差模電感器使用MURATA差模電感器使用PULSE差模電感器未使用TOKOwww.toko.co.jp差模電感器未使用深圳海光差模電感器未使用選型原則（1）對于插裝固定差模電感，標(biāo)稱電感：采用E6系列，即標(biāo)稱感值為1.0、1.5、2.2、3.3、4.7、6.8或以上數(shù)值再乘以10“。精度20%為優(yōu)選，精度要求高時可以選擇10%。盡量選擇廠家標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品。（2）對于插裝固定差模電感，優(yōu)選結(jié)構(gòu)類型：工字電感優(yōu)選。對于功率型電感，雖然PULSE、COILCRAFT和TDK有表面貼型產(chǎn)品，但考慮到成本相差較大，以插裝為優(yōu)選（注：根據(jù)貴司的實際情況定）。（3）對于插裝固定差模電感，優(yōu)選磁芯：考慮到成本問題。（4）對于插裝固定差模電感，電感器工作時自身最高溫度不要超過額定溫度。（5）對于固定表面貼差模電感，標(biāo)稱感值：選擇標(biāo)準(zhǔn)值。采用E12系列。即感值是1.0、1.2、1.5、1.8、2.2、2.7、3.3、3.9、4.7、5.6、6.8、8.2或以上數(shù)值再乘以1°〃（6）對于固定表面貼差模電感，優(yōu)選廠家:繞線型COILCRAFT、PULSE、TDK、TAIYOYUDEN；疊層型：TAIYOYUDEN、TDK、MURATA。其中COILCRAFT、PULSE的繞線型電感可以完全兼容，作為繞線型電感的優(yōu)選器件（注：根據(jù)貴司的實際情況定）。（7）對于固定表面貼差模電感，優(yōu)選類型：疊層型，在滿足指標(biāo)要求的前提下，選擇疊層型。（8）對于固定表面貼差模電感，外形尺寸（mm）：0603、0805、1008，盡量往小型化發(fā)展。（9）對于固定表面貼差模電感，功率型電感:優(yōu)選插裝，特殊情況下可以選擇COILCRAFT、PULSE表面貼產(chǎn)品，但不作為優(yōu)選系列（注：根據(jù)貴司的實際情況定）。（10）對于固定表面貼差模電感，電感器感值和精度等隨頻率而變化，精度要求高的電感器，要注意應(yīng)用頻率與標(biāo)稱電感測試頻率的差別。（11）對于固定表面貼差模電感，電感額定電流要正確選用，以防電感飽和及線圈過熱。共模電感器1■推薦廠家生產(chǎn)商名稱生產(chǎn)商網(wǎng)址生產(chǎn)商等級采購器件類別COILCRAFT優(yōu)選共模電感器TDK優(yōu)選共模電感器MURATA優(yōu)選共模電感器PULSE優(yōu)選共模電感器TOKOwww.toko.co.jp優(yōu)選共模電感器深圳海光推薦共模電感器選型原則共模電感是一個以鐵氧體為磁芯的共模干擾抑制器件，它由兩個尺寸、匝數(shù)相同的線圈對稱地繞制在同一個鐵氧體環(huán)形磁芯上，形成一個四端器件，共模信號呈現(xiàn)出大電感具有抑制作用，而差模信號呈現(xiàn)出很小的漏電感幾乎不起作用。對于共模電感，優(yōu)選廠家：小電流，優(yōu)選TDK、COILCRAFT、TAIYOYUDEN；大電流高頻(N400KHz)，優(yōu)選TDK、COILCRAFT、TAIYOYUDEN；(注：根據(jù)貴司的實際情況定)。對于共模電感，優(yōu)選封裝：小電流，表面貼型；大電流，插裝。(注：根據(jù)貴司的實際情況定)。對于共模電感，優(yōu)選尺寸：0805、1210(注：根據(jù)貴司的實際情況定)。對于共模電感，繞組間電壓不要超出額定電壓。工作電流使電感器產(chǎn)生的溫升不超過30°C，電感量下降在應(yīng)用允許范圍內(nèi)。選用共模電感時，注意加到繞組間的電壓不能超出廠家規(guī)格書標(biāo)注的額定電壓。通常下，注意選擇所需濾波的頻段，共模阻抗越大越好，在選擇共模電感時，看器件資料，主要根據(jù)阻抗頻率曲線選擇。選擇時注意考慮差模阻抗對信號的影響，主要關(guān)注差模阻抗，特別注意高速端口。1104晶體晶振晶體推薦廠家生產(chǎn)商名稱生產(chǎn)商網(wǎng)址生產(chǎn)商等級采購器件類別備注Epsonwww.epson.jp參考晶體使用HOSONIC參考晶體使用TAITIEN.tw參考晶體未使用選型原則石英晶體諧振器(簡稱晶體)，就是利用石英晶體的壓電效應(yīng)制成的一種諧振器件，基本結(jié)構(gòu)就是在一片晶片的兩個對應(yīng)面上涂敷銀層作為電極，在每個電極上各焊一根引線接到管腳上，再加上封裝外殼就構(gòu)成了石英晶體諧振器，簡稱為石英晶體或晶體。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑膠封裝的。晶體是無源器件，需要外圍電路驅(qū)動其工作，產(chǎn)生時鐘輸出。在晶體選型時，需要關(guān)注：中心頻率偏差、負(fù)載電容、等效電阻、溫度頻差、老化率等幾個主要指標(biāo)。在晶體選型時，還要考慮外殼封裝。禁用圓柱型封裝的晶體。選用通用晶體器件時，選用HC-49SMD翼型或5X7陶瓷表貼封裝。小公差晶體調(diào)整頻差指標(biāo)要求選用土10ppm，溫度頻差指標(biāo)要求選用土10ppm/-20?70°C。晶體是溫度敏感元器件，負(fù)載電容穩(wěn)定性對頻率影響非常大。在選型時需要考慮溫度問題，晶體、晶振最高工作溫度需降額值為Tmax-10C，最低工作溫度值為Tmin+10C。晶體是溫度敏感元器件，負(fù)載電容穩(wěn)定性對頻率影響非常大。安裝時，要求晶體和負(fù)載電容遠(yuǎn)離發(fā)熱元器件。插裝晶體垂直安裝時，要求加絕緣墊片，防止外殼與PCB板線路短路。晶振推薦廠家生產(chǎn)商名稱生產(chǎn)商網(wǎng)址生產(chǎn)商等級采購器件類別備注Epsonwww.epson.jp參考晶振使用HOSONIC參考晶振使用TAITIEN.tw參考晶振未使用2.選型原則石英晶體振蕩器(簡稱晶振)就是由晶體諧振器和外圍振蕩電路共同組成，它們的組合電路稱為晶體振蕩器。晶振是有源器件，加電就可以產(chǎn)生時鐘輸出。在晶振選型時，需要關(guān)注：中心頻率偏差、頻率老化、短期穩(wěn)定度、溫度頻率穩(wěn)定度、電源變化頻率穩(wěn)定度等幾個最主要的指標(biāo)。在晶振選型時除了上述的指標(biāo)外，還需要考慮：振蕩器的類型、電源電壓、輸出信號和電平、負(fù)載能力、占空比以及封裝形式等參數(shù)，請根據(jù)實際情況選擇。在晶振選型時，高指標(biāo)要求會增加成本，請綜合考慮成本和指標(biāo)，取得均衡。在晶振選型時，由于封裝等原因造成的獨家供貨器件，容易出現(xiàn)產(chǎn)能和質(zhì)量風(fēng)險，應(yīng)權(quán)衡應(yīng)用需要，選取合適的晶振。在壓控晶振選型時，寬牽引范圍與高穩(wěn)定度相互制約，應(yīng)權(quán)衡應(yīng)用需要，選取合適的指標(biāo)。晶體晶振的頻點優(yōu)先選用標(biāo)準(zhǔn)頻點，不要選用非標(biāo)準(zhǔn)的頻點。優(yōu)選用防靜電包裝的晶振、晶體。普通晶振的選用，建議使用后續(xù)兩種工作溫度等級，A：-40°C?85°C；B：-20°C?70°C(0°C?70°C)。選取的工作溫度范圍盡可能有一定的裕量，以5C?10C為標(biāo)準(zhǔn)，但選取的溫度等級將會影響頻率器件的價格，必要時需考慮相應(yīng)的性價比。普通晶體振蕩器優(yōu)選全尺寸插裝和5X7SMD封裝。在既能用晶體又能用晶振的電路中，優(yōu)選使用晶振，避免出現(xiàn)晶體同芯片配合問題引起電路不振蕩。小型、微小型、低激勵、片式化、高基頻、低jitter是晶振的發(fā)展方向。隨設(shè)備和工藝的進(jìn)一步提高，頻率穩(wěn)定度日益提高，功耗不斷降低，電源從5V-3.3Vf2.5Vf1.8V。環(huán)境溫度不能超過晶振規(guī)定的工作溫度范圍，否則會造成頻率超出規(guī)格要求、停振、跳頻等現(xiàn)象。根據(jù)頻率溫度穩(wěn)定度要求，確定相應(yīng)的晶體振蕩器類型，溫度范圍越窄，頻率溫度穩(wěn)定度指標(biāo)越好。(15)可靠性要求不高并且成本或布板限制時可選擇表貼晶振。（16）在選型中，還要注意允許使用的功率（例如：是否是電池供電，如果是，需選用低功耗晶振）。（17）所選用的晶振，插裝晶振推薦采用波峰焊或者手工焊接；一般精度插裝晶振推薦采用波峰焊，高精度晶振（譬如，加強(qiáng)型二級時鐘）推薦采用手工焊接。（18）所選用的晶振在使用時，要求晶振遠(yuǎn)離發(fā)熱量大的元器件。1105二極管通用二極管1■推薦廠家生產(chǎn)商名稱生產(chǎn)商網(wǎng)址生產(chǎn)商等級采購器件類別ONSEMI優(yōu)選二極管NXP優(yōu)選二極管Fairchild優(yōu)選二極管、TVSSEMTECH優(yōu)選TVS、硅保護(hù)器件樂山無線推薦二極管選型原則（1）選擇二極管時，主要關(guān)注最大正向電流、反向耐壓、熱阻、壓降曲線、損耗等。（2）二極管的種類眾多，如穩(wěn)壓管、TVS、肖特基、發(fā)光二極管等，針對不同的應(yīng)用，需要關(guān)注的參數(shù)也是不同的，例如有的關(guān)注正向壓降，有的關(guān)注工作速度等，在選型時需要注意。（3）在高頻或開關(guān)狀態(tài)應(yīng)用場合，可以選擇肖特基二極管，其電容效應(yīng)非常小，工作速度很快。（4）當(dāng)需要對器件進(jìn)行快速過壓保護(hù)時，可以選擇瞬態(tài)抑制二極管（TVS）。（5）選用TVS時，要考慮TVS的殘壓。（6）根據(jù)防護(hù)要求，選用不同響應(yīng)速度的TVS。（7）要考慮防護(hù)TVS的過流能力和瞬時功率。（8）選用TVS時，如果對數(shù)據(jù)速率有要求，還需考慮TVS的結(jié)電容大小。（9）慎用使用玻璃封裝（包括貼片、插裝封裝）的二極管。（10）慎用MELF封裝的二極管（圓柱狀封裝的二極管）。（11）選擇整流及開關(guān)二極管時應(yīng)綜合考慮：正向額定電流、反向重復(fù)工作電壓、正向壓降及開關(guān)過程中的損耗等參數(shù)。（12）對于普通整流二極管，比如1N400X系列、1N5400X系列，由于在通用的電壓范圍類，其正向壓降基本相同（生產(chǎn)時使用了同樣的管芯，只是測試時進(jìn)行分檔），可以用以高代低的原則進(jìn)行選型。（13）肖特基二極管以正向額定電流來進(jìn)行分類，以反向重復(fù)工作電壓來進(jìn)行分檔，其功耗主要由正向壓降來決定，選型時應(yīng)充分考慮這些因素。（14）肖特基二極管近年來的發(fā)展方向是向更小正向壓降，大電流方向發(fā)展，其反向電壓目前基本都能做到200V以上，選型時應(yīng)考慮這些因素。（15）肖特基二極管是靜電特別敏感器件，在選型時需特別考慮。（16）普通串聯(lián)穩(wěn)壓電源電路中使用的整流二極管，對截止頻率的反向恢復(fù)時間要求不高，只要根據(jù)電路的要求選擇最大整流電流和最大反向工作電流符合要求的整流二極管即可。例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等。（17）開關(guān)穩(wěn)壓電源的整流電路及脈沖整流電路中使用的整流二極管，應(yīng)選用工作頻率較高、反向恢復(fù)時間較短的整流二極管（例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等）或選擇快恢復(fù)二極管。（18）表貼器件優(yōu)選，推薦封裝：SOT-23、SOD-123，功率器件可選插裝器件。（19）功率整流二極管比普通二極管結(jié)面積較大，能通過較大電流（可達(dá)上千安），但工作頻率不高，一般在幾十千赫以下。功率整流二極管主要用于各種低頻整流電路。按照實際應(yīng)用的要求，可選擇不同類型的功率二極管，如：肖特基功率二極管、快速恢復(fù)功率二極管和工頻功率二極管等。發(fā)光二極管推薦廠家生產(chǎn)商名稱生產(chǎn)商網(wǎng)址生產(chǎn)商等級采購器件類別億光優(yōu)選發(fā)光二極管佳光優(yōu)選發(fā)光二極管AOT.tw推薦發(fā)光二極管光寶推薦發(fā)光二極管選型原則對于插裝LED器件，按照要求，選用管腳長度適中的器件，防止管腳過短或太長。選用合適的發(fā)光管形狀(不同直徑的圓形燈，方型燈，是否帶有底座)。一般推薦圓形的①3mm，表貼的選用0603或2.0*1.25*1.1mm即0805的封裝。發(fā)光二極管優(yōu)選直徑為5mm的插腳型號，貼片發(fā)光二極管優(yōu)選選用有焊接框架的型號；注意發(fā)光管中引腳外包裹的絕緣介質(zhì)要厚，以免插入結(jié)構(gòu)件時可能造成的短路。LED的兩項重要指標(biāo)是亮度和波長。應(yīng)選用通用型亮度發(fā)光管。在選擇亮度時，可以先在相應(yīng)的數(shù)據(jù)手冊中查找到亮度與驅(qū)動電流對應(yīng)關(guān)系，再結(jié)合實際驅(qū)動電流大小，選擇適當(dāng)標(biāo)稱亮度。選用發(fā)光管的顏色，應(yīng)嚴(yán)格按照波長區(qū)分。一般的峰值波長為紅色697nm；綠色565nm；黃色585nm。LED的發(fā)展方向是超高亮度及低功耗，但普通高亮的器件仍有巨大的市場，考慮到價格因素，在選用LED時應(yīng)慎選超高亮器件。另外，由于技術(shù)的發(fā)展，新材料比如SIC、GaN的應(yīng)用，藍(lán)光、白光LED近年來發(fā)展較快，但也是慎選器件。直流驅(qū)動最簡單，為了控制電流，通常要串聯(lián)一限流電阻；（9）交流驅(qū)動時，電源的峰值電壓不應(yīng)超過器件的反向擊穿電壓，否則應(yīng)接上起保護(hù)作用的整流二極管。穩(wěn)壓二極管推薦廠家生產(chǎn)商名稱生產(chǎn)商網(wǎng)址生產(chǎn)商等級采購器件類別ONSEMI優(yōu)選穩(wěn)壓二極管NXP優(yōu)選穩(wěn)壓二極管Fairchild優(yōu)選穩(wěn)壓二極管SEMTECH優(yōu)選穩(wěn)壓二極管樂山無線推薦穩(wěn)壓二極管長電推薦穩(wěn)壓二極管選型原則（1）穩(wěn)壓二極管是能在齊納擊穿或雪崩擊穿條件下正常工作的二極管。當(dāng)通過器件的電流在一定范圍內(nèi)變化時，其兩端的電壓變化很小，輸出穩(wěn)定的直流電壓。穩(wěn)壓二極管通常用于箝位、直接耦合等。（2）穩(wěn)壓二極管的選擇首先應(yīng)考慮其擊穿電壓和耗散功率，而表現(xiàn)其性能優(yōu)越與否的主要參數(shù)是電壓的溫度系數(shù)和在其工作電流下的微分電阻，這兩個參數(shù)在規(guī)定的條件下應(yīng)盡可能的小。（3）對器件沒有特殊要求時，穩(wěn)壓二極管是以耗散功率來進(jìn)行分類，以穩(wěn)定電壓值來進(jìn)行分檔，選擇時需注意。（4）在選擇穩(wěn)壓二極管時，在可能的情況下，應(yīng)選擇小微分電阻的器件。（5）在選擇穩(wěn)壓二極管時，在可能的情況下，選擇較低溫度系數(shù)的器件，但不主張選用低溫度系數(shù)穩(wěn)壓二極管。（6）在穩(wěn)壓二極管的設(shè)計應(yīng)用時，應(yīng)考慮電壓的容差，即電壓的變化范圍應(yīng)盡可能的大。（7）在穩(wěn)壓二極管工作時，為避免因電流太大過熱而損壞穩(wěn)壓管，使用中應(yīng)串接限流電阻。（8）穩(wěn)壓二極管器件的功率一般由管芯面積決定，因而封裝大小基本決定了器件的耗散功率。（9）在需要穩(wěn)壓的場合，可以選擇穩(wěn)壓（齊納）二極管，穩(wěn)壓二極管的正向曲線與普通二極管相仿，但反向曲線比普通二極管低得多。（10）注意穩(wěn)壓二極管的作用一一穩(wěn)壓電源、過壓保護(hù)。1106三極管推薦廠家生產(chǎn)商名稱生產(chǎn)商網(wǎng)址生產(chǎn)商等級采購器件類別NXP優(yōu)選三極管Fairchild優(yōu)選三極管ONSEMI優(yōu)選三極管樂山無線推薦三極管選型原則在同等情況下，優(yōu)選表貼的三極管(如果板上絕大多數(shù)已經(jīng)是插裝等情況除外)。三極管的類型選擇：常用三極管的類型WNPN型與PNP型兩種。由于這兩類三極管工作時對電壓的極性要求不同，所以它們是不能相互代換的。選用時，根據(jù)設(shè)計電路工作電壓的極性，選擇三極管的類型。三極管的材料選擇：三極管的材料有鍺材料和硅材料。它們之間最大的差異就是起始電壓不一樣。鍺管PN結(jié)的導(dǎo)通電壓為0.2V左右，而硅管PN結(jié)的導(dǎo)通電壓為0.6?0.7V。三極管的主要參數(shù)選擇：選用三極管主要關(guān)注三極管的四個極限參數(shù)：Icm(集電極最大電流)、BVceo(集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓)、Pcm(最大功耗)及fT(特征頻率)。三極管的主要作用是放大，選用時，應(yīng)在滿足降額要求的前提下，考慮輸出電流和相應(yīng)的耗散功率、擊穿電壓大小、放大倍數(shù)等參數(shù)。同時，應(yīng)盡量選用熱阻小，允許結(jié)溫高的器件。針對大功率輸出的應(yīng)用，可以選擇達(dá)林頓管。針對高頻開關(guān)的應(yīng)用，可以選擇開關(guān)三極管，它是一種飽和與截止?fàn)顟B(tài)變換速度較快的三極管，廣泛應(yīng)用于各種脈沖電路、開關(guān)電路及功率輸出電路中。小功率三極管的選用：小功率三極管在電子電路中的應(yīng)用最多，主要用作小信號的放大、控制或振蕩器。選用三極管時首先明確電子電路的工作頻率大概范圍。大功率三極管的選用：對于大功率三極管，除高頻發(fā)射電路設(shè)計之外，可不必考慮三極管的特征頻率fT。對于三極管的集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓BVCEO這個極限參數(shù)的考慮與小功率三極管是一樣的。對于集電極最大允許電流1。皿勺選擇主要也是根據(jù)三極管所帶的負(fù)載情況而計算的。三極管同等參數(shù)下高頻的優(yōu)選，低頻的歸并。例如普通開關(guān)三極管歸并到高頻三極管。三極管應(yīng)用時其結(jié)溫一般需滿足Tj<0.6X(Tjmax—25°C)+20°C或TjmaxX80%。功率三極管在應(yīng)用中應(yīng)保證結(jié)溫不超標(biāo)，通常需要加裝有足夠大的散熱器來保證。在同等情況下，硅管與鍺管相比，優(yōu)選硅三極管。溫度對晶體管的各個參數(shù)有影響。硅管比鍺管受溫度的影響要小得多。高溫是對晶體管破壞性最強(qiáng)的應(yīng)力，因此晶體管的功耗和結(jié)溫須進(jìn)行降額；電壓擊穿是導(dǎo)致晶體管失效的另一主要因素，所以其電壓須降額；建議降額系數(shù)).5?0.8。直流、交流和瞬態(tài)電壓或電流的最壞組合不得大于降額后的極限值(包括感性負(fù)載)。硅管和鍺管之間最大的差異就是起始電壓不一樣。鍺^tPN結(jié)的導(dǎo)通電壓為0.2V左右，而硅管PN結(jié)的導(dǎo)通電壓為0.6?0.7V。MOSFET場效應(yīng)管推薦廠家生產(chǎn)商名稱生產(chǎn)商網(wǎng)址生產(chǎn)商等級采購器件類別IRwww.IRF.com推薦MOSFET場效應(yīng)管Fairchild優(yōu)選MOSFET場效應(yīng)管NXP優(yōu)選MOSFET場效應(yīng)管VISHAY推薦MOSFET場效應(yīng)管選型原則MOSFET是一種利用電場效應(yīng)來控制其電流大小的半導(dǎo)體器件，其輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、壽命長，在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中占有重要的地位，是CMOS邏輯電路的基本單元。（2）應(yīng)用中根據(jù)電流流向和電壓方向首先確認(rèn)適合選擇N溝道MOSFET還是P溝道MOSFET。（3）漏源電壓Vdss的選擇：需根據(jù)實際的電壓應(yīng)力選擇合適耐壓值的MOS管，通常MOS管承認(rèn)書給出的Vdss電壓是器件在最高結(jié)溫時所能承受的最高電壓。（4）漏源極電流Id的選擇：實際選擇時根據(jù)實際的電流大小選擇足夠電流容量的MOS管，并留有一定的余量。（5）柵源電壓Vgs的選擇：盡量選擇柵源電壓較高的MOS管，以提高驅(qū)動受干擾時的可靠性。（6）導(dǎo)通電阻的選擇:原則上盡量選擇導(dǎo)通電阻的低的MOS管以減小其損耗，提高效率。（7）MOS管都是靜電敏感器件，在選型時，盡可能選擇抗ESD能力強(qiáng)的器件。（8）鑒于目前集成放大電路的發(fā)展，建議在單板設(shè)計中一般將MOSFET用作開關(guān)器件，如果需要設(shè)計放大電路，可以選用運算放大器芯片，溫漂和精度可以做得更好。（9）優(yōu)先選用將管腳短路的包裝方式。（10）在選擇MOSFET時，首先根據(jù)器件在應(yīng)用場合中出現(xiàn)的最大阻斷電壓和最大工作電流選擇MOSFET器件，主要考慮的參數(shù)是漏源、柵源擊穿電壓及開啟電壓；當(dāng)應(yīng)用在對飽和導(dǎo)通壓降很敏感的場合時，還需要考慮漏源通態(tài)電阻。（11）MOSFET器件在選型時要特別關(guān)注:漏源擊穿電壓V（BR）DSS、最大額定柵源電壓VGS；當(dāng)器件處于高頻開關(guān)狀態(tài)時，需要注意考慮門極電容的大小及驅(qū)動能力的大小。（12）所選MOS管的最大可允許結(jié)溫Tjmax應(yīng)該大于實際工作結(jié)溫，允許最大結(jié)溫降額到可編程器件推薦廠家生產(chǎn)商名稱生產(chǎn)商網(wǎng)址生產(chǎn)商等級采購器件類別備注XilinxAFPGA/CPLD使用AlteraACPLD/FPGA使用LatticeCGAL、CPLD、FPGA使用選型原則（1）對于可編程邏輯器件的選型，應(yīng)結(jié)合設(shè)計中對邏輯容量、I/O數(shù)目、RAM數(shù)目及使用方式、鎖相環(huán)、速度要求、功耗、封裝、PCB布板、工藝的要求等情況和不同廠家器件技術(shù)、質(zhì)量等方面對比，綜合分析進(jìn)行選擇。（2）同等情況下，盡量優(yōu)先采用表面貼裝的可編程邏輯器件（3）考慮器件應(yīng)用的可靠性、編譯實現(xiàn)、可能的擴(kuò)展功能等多方面的原因，建議選型時考慮資源占用率問題。（4）CPLD器件常用指標(biāo)有額定工作電壓、工作電流、功耗、頻率、邏輯資源和I/O資源等，要根據(jù)產(chǎn)品具體需要進(jìn)行選型。（5）大多FPGA集成多個模塊，如SRAM、DCM、高速串行IO，甚至DSP等，選型時要以“夠用”為原則，避免選用集成很多模塊的芯片。（6）FPGA器件常用指標(biāo)有額定工作電壓、工作電流、功耗、、頻率、邏輯資源和I/O資源等，要根據(jù)產(chǎn)品具體需要進(jìn)行選型。（7）FPGA優(yōu)選順序為XILINX、ALTERA。（8）CPLD/EPLD優(yōu)選順序ALTERA和Xilinx。（9）5V的可編程邏輯器件工藝?yán)?、功耗大、現(xiàn)已是非主流器件，在行業(yè)內(nèi)屬于淘汰系列，在產(chǎn)品選型規(guī)劃里需要考慮器件的行業(yè)發(fā)展趨勢，以免后續(xù)出現(xiàn)問題。（10）新選的FPGA/CPLD器件以選用3.3V/2.5V/1.8V/1.5V器件為主。在內(nèi)部資源及速度相近的情況下，由于3.3V/2.5V/1.8V/1.5V器件采用比5V器件更先進(jìn)的工藝，性能更好，價格要比5V器件低較多，且支持3.3VI/O接口，新設(shè)計中建議選用3.3V/2.5V/1.8V/1.5V器件取代5V器件。（11）FPGA/CPLD的選型，不同廠家不同系列器件價格差別較大，應(yīng)充分考慮器件結(jié)構(gòu)和價格。推薦廠家生產(chǎn)商名稱生產(chǎn)商網(wǎng)址生產(chǎn)商等級采購器件類別備注TIWWW.TI.COMATTL邏輯門電路、CMOS邏輯門電路、其它各類門電路已使用NXPATTL邏輯門電路、CMOS邏輯門電路、其它各類門電路已使用FairchildATTL邏輯門電路、CMOS邏輯門電路、其它各類門電路已使用ONSEMITTL邏輯門電路、CMOS邏輯門電路、其它各類門電路未使用選型原則（1）邏輯驅(qū)動芯片主要是74系列的邏輯門電路芯片，其中按電壓等級可分為3.3V器件和5V器件，按電平標(biāo)準(zhǔn)可分為TTL器件和CMOS器件。（2）常用器件類別（或邏輯電平）：TTL：Transistor-TransistorLogicCMOS：ComplementaryMetalOxideSemicondutorLVTTL：LowVoltageTTLLVCMOS：LowVoltageCMOSECL：EmitterCoupledLogic,PECL：Pseudo/PositiveEmitterCoupledLogicLVDS：LowVoltageDifferentialSignaling（3）常用器件型號類別：HC/HCT-High-SpeedCMOSLogicAC/ACT-AdvancedCMOSLogicABT-AdvancedBiCMOSTechnologyLVT-Low-VoltageBiCMOSTechnologyLVC-LowVoltageCMOSTechnologyLV-Low-VoltageALVC-AdvancedLow-VoltageCMOSTechnologyAHC/AHCT-AdvancedHigh-SpeedCMOSALVT-AdvancedLow-VoltageBiCMOSTechnology（4）所選邏輯器件的靜電防護(hù)等級ESD建議高于1000V（HBM）。（5）所選邏輯器件的潮濕敏感等級MSL應(yīng)小于5A級。（6）所選邏輯器件的抗閂鎖能力建議100mA以上。（7）邏輯器件選型在性能方面主要考慮的：電壓、速度、功耗、驅(qū)動能力以及與其它器件的接口性能等幾個主要方面。（8）所選擇的邏輯器件，接口電平必須符合要求。盡量選用相同接口電平特性的器件。（9）推薦優(yōu)選表貼器件，如果同一器件有表貼和插裝兩種封裝，慎選插裝器件。（10）在滿足使用要求條件下，盡量選用低速、低功耗、低驅(qū)動能力的器件。（11）做板內(nèi)驅(qū)動的器件，應(yīng)盡可能選用低速、低功耗、低驅(qū)動能力的芯片，以減少信號過沖，改善信號質(zhì)量，并且在設(shè)計時必須考慮信號匹配。（12）注意邏輯器件的電平匹配問題，如不要用TTL器件驅(qū)動CMOS器件；對于驅(qū)動發(fā)光管等需要驅(qū)動能力很強(qiáng)的場合要注意器件的驅(qū)動能力。（13）針對不同電壓電平之間的接口應(yīng)用，優(yōu)選雙電源供電的接口器件，以避免不同公司的產(chǎn)品差異造成的電平匹配問題。（14）目前板上最常用的電壓等級為3.3V和5V，MCU及DSP、FPGA等器件的接口電平一般為3.3V，因此配合的邏輯器件首選3.3V的LVT和LVTH系列；除與背板等的接口類器件建議使用5V的器件外，其它場合不建議使用。（15）四位三態(tài)緩沖驅(qū)動器推薦使用125型號；3.3V系統(tǒng)推薦74AHC125和74LVTH125型號。（16）十六位總線器件推薦TSSOP封裝的74ABT16244/16245和74LVTH16244/16245。（17）對于觸發(fā)器，3.3V系統(tǒng)推薦74LVC74和74LVTH16374。（18）鎖存器5V推薦AHC/AHCT373C板內(nèi)）、ABT373（板間）；3.3V推薦LVT16373、LVC373、AHC373。（19）譯碼器不推薦二/四、四/十六譯碼器，僅推薦三/八譯碼器138。（20）如果板上有可編程器件的情況下，計數(shù)器、比較器、移位寄存器盡量利用可編程邏輯器件實現(xiàn)。存儲器SRAM推薦廠家產(chǎn)商名稱生產(chǎn)商網(wǎng)址生產(chǎn)商等級采購器件類別備注IDTASRAM、雙口RAM已使用ISSIASRAM已使用MICRONSRAM未使用選型原則（1）SRAM（StaticRAM）是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)，因此SRAM具有較高的性能，速度也很快。但是SRAM的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，同時功耗大、價格高。（2）SRAM的選用一般要考慮供電電壓，功耗和速度三個方面。（3）選擇存儲器時，容量應(yīng)考慮留有一定余量。（4）在選擇SRAM時，盡量把速率歸一到幾個等級,例如：15nS、70nS。（5）SRAM在選型，快于15nS的應(yīng)考慮使用同步SRAM。（6）雙口RAM不需保留太多型號，盡可能歸一到少數(shù)的物料上。（7）因業(yè)界使用較少，價格較高，盡量改用其他方案替代。（8）選擇廠家主流推薦的型號，因為工藝的更新?lián)Q代，相對容易遇到停產(chǎn)的情況。（9）雙端口SRAM主要作為數(shù)據(jù)交換使用，合理高效的軟件協(xié)議是保證正確進(jìn)行消息交換的前提之一。DRAM推薦廠家生產(chǎn)商名稱生產(chǎn)商網(wǎng)址生產(chǎn)商等級采購器件類別備注MICRON優(yōu)選DRAM使用MICROCHIP優(yōu)選DRAM未使用ISSI推薦DRAM未使用選型原則（1）DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間，為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM必須每隔一段時間就刷新一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。（2）優(yōu)選SDRAM、DDRDRAM。不選EDODRAM、FPMDRAM、SGRAM和Rambus等老技術(shù)。由于RDRAM的功耗大，價格高，除非特殊場合可選用，對早期CPU等核心芯片選擇要考慮外圍器件，可以選用FCRAM器件。（3）推薦選用技術(shù)可以平滑升級的器件，這里平滑升級指廠家在容量和速度正常升級,如容量從128Mb升級到256Mb,速度從133MHz升級為166MHz，慎用新器件。（4）選用3.3V或更低電壓器件,不選用5V器件。（5）SDRAM器件的32Bit數(shù)據(jù)寬度建議選用容量64M和128M。（6）SDRAM器件的16Bit數(shù)據(jù)寬度建議選用容量128M和256M。速度等級劃分：100MHZ和133MHZ為一個等級，166MHZ為一個等級，因為100MHZ和133MHZ的價格基本無差別,而166MHZ比133MHZ貴20%-30%。器件數(shù)據(jù)寬度，根據(jù)需要可以組成不同的工作數(shù)據(jù)寬度和工作容量。器件刷新周期和一次刷新的容量大小。是否支持Burst方式，Burst的長度，在Burst方式下，是否支持連續(xù)地址操作和交叉地址操作。寄存器工作方式設(shè)置是否相同。DRAM器件向更低成本、更高速、更大容量、更高帶寬和低電壓(低功耗)方向發(fā)展。FLASH推薦廠家生產(chǎn)商名稱生產(chǎn)商網(wǎng)址生產(chǎn)商等級采購器件類別備注ATMEL優(yōu)選Flash使用MICRON優(yōu)選Flash使用SST優(yōu)選Flash未使用MICROCHIP推薦Flash未使用選型原則FLASH與DRAM、SRAM等存儲器相比，主要不足表現(xiàn)在價格高、讀/寫速度慢、讀/寫速度不對稱，各廠家為解決以上問題推出了各自的解決方案，包括同時讀寫、Burst讀、Page讀、1個單元放2個bit、FLASH+SRAM結(jié)構(gòu)、FWH總線等。FLASH的主要發(fā)展方向是大容量、小型化、低成本、通用化。用于程序存儲優(yōu)選NORFLASH，可靠性較高，對于不重要的數(shù)據(jù)存儲選用NANDFLASH，成本較低。在單板設(shè)計條件允許情況下，推薦使用一片芯片完成BOOT、BIOS、APP(應(yīng)用程序)的存儲。（5）用于程序存儲時，選擇32M以下器件。（6）速度等級優(yōu)選70ns、90ns。（7）封裝優(yōu)選TSOP.（8）選擇時需考慮容量升級問題，保證升級時封裝兼容，同時保證軟件上的兼容。（9）慎選5VFLASH器件。（10）電路設(shè)計需考慮設(shè)計成多廠家FLASH器件兼容模式。（11）優(yōu)選具有快讀方式的FLASH器件。（12）優(yōu)選具有寫buffer緩沖器的FLASH器件。（13）選擇FLASH時，容量應(yīng)考慮留有一定余量。（14）NORFlash的讀速度（35ns）比NANDFlash（50ns）稍快一些。（15）NANDFlash的兩大強(qiáng)項是低成本和高性能，但固有可靠性則是其弱點。（16）NANDFlash的擦除速度（毫秒級）遠(yuǎn)比NORFlash（秒級）的快。需要高速更新數(shù)據(jù)的應(yīng)用場合，選用NANDFlasho（17）NANDFlash的寫入速度比NORFlash快很多，典型的要快10倍。要求高速寫入的應(yīng)用場合選用NANDFlasho（18）NORFlash可以隨機(jī)讀，而NANDFlash只能按塊或者頁連續(xù)讀，選擇時需注意。（19）在應(yīng)用設(shè)計中，需要對FLASH進(jìn)行寫保護(hù)。（20）NANDFlash比NORFlash的容量做的要大。EEPROM1■推薦廠家生產(chǎn)商名稱生產(chǎn)商網(wǎng)址生產(chǎn)商等級采購器件類別ATMEL優(yōu)選EEPROMMICROCHIP優(yōu)選EEPROMST優(yōu)選EEPROM2.選型原則首選表面帖裝器件，對于特殊用途的情況下，如要求頻繁燒寫、換片的情況下，可以使用DIP封裝的片子。優(yōu)選SOP或者TSSOP封裝。EEPROMW擦除次數(shù)限制，需要指定一定的策略，優(yōu)選分頁管理或者支持字節(jié)讀寫的EEPROM，或者通過軟件的方法減少擦除次數(shù)，增加使用時間。根據(jù)設(shè)計需要，選擇不同讀寫速度的EEPROMo根據(jù)設(shè)計需要，選擇不同接口(I2C、SPI、MicroWire等)的EEPROMo禁止選擇跟其他主流EEPROM管腳不兼容的器件。禁選PLCC和慎選DIP封裝的EEPROMo新器件選型禁選EPROM，有用到該類器件的單板在改版時更改為串行EEPROMo對于E2PROM，在條件允許的情況下，適當(dāng)?shù)貙?shù)據(jù)做備份可提高系統(tǒng)可靠性，不過此種方法不適用于數(shù)據(jù)存取頻繁的電路，不然會消?CPU大量時間用于存取數(shù)據(jù)。FRAM推薦廠家生產(chǎn)商名稱生產(chǎn)商網(wǎng)址生產(chǎn)商等級采購器件類別Ramtron優(yōu)選FRAMCYPRESS推薦FRAM選型原則不需保留太多型號，盡量歸一到少數(shù)物料。選擇廠家主流推薦的型號，因為工藝的更新?lián)Q代，相對容易遇到停產(chǎn)的情況。FRAM為鐵電存儲器讀寫速度較快，能掉電保持，有串行和并行兩種接口。適用丑2PROM的速度達(dá)不到要求的應(yīng)用場合。FRAM集RAM和ROM兩者的長處于一身，其寫入速度快，而且可作為非揮發(fā)性內(nèi)存使用。（4）FRAM最多能夠承受100億次讀取作業(yè)。接口器件RS-422&RS-485器件推薦廠家生產(chǎn)商名稱生產(chǎn)商網(wǎng)址生產(chǎn)商等級采購器件類別MAXIMHY